公开(公告)号：US20140035071A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：US13563626

申请日：2012-07-31

申请人： Po-Jui Chen ,  Gary Yama ,  Matthieu Liger ,  Andrew Graham

发明人： Po-Jui Chen ,  Gary Yama ,  Matthieu Liger ,  Andrew Graham

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/84 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/0023 ,  B81C2201/0197 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0771 ,  G01C19/5783 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/18 ,  H01L29/66007

摘要： A device with multiple encapsulated functional layers, includes a substrate, a first functional layer positioned above a top surface of the substrate, the functional layer including a first device portion, a first encapsulating layer encapsulating the first functional layer, a second functional layer positioned above the first encapsulating layer, the second functional layer including a second device portion, and a second encapsulating layer encapsulating the second functional layer.

摘要翻译： 具有多个封装的功能层的器件包括衬底，位于衬底顶表面上方的第一功能层，功能层包括第一器件部分，封装第一功能层的第一封装层，位于第一功能层上方的第二功能层 第一封装层，第二功能层包括第二器件部分和封装第二功能层的第二封装层。

公开(公告)号：US07709827B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US10533550

申请日：2003-10-29

申请人： Andrew Graham ,  Franz Hofmann ,  Wolfgang Hönlein ,  Johannes Kretz ,  Franz Kreupl ,  Erhard Landgraf ,  Johannes Richard Luyken ,  Wolfgang Rösner ,  Thomas Schulz ,  Michael Specht

发明人： Andrew Graham ,  Franz Hofmann ,  Wolfgang Hönlein ,  Johannes Kretz ,  Franz Kreupl ,  Erhard Landgraf ,  Johannes Richard Luyken ,  Wolfgang Rösner ,  Thomas Schulz ,  Michael Specht

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/78642 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/283 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/775 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0512

摘要： The invention relates to a vertical integrated component, a component arrangement and a method for production of a vertical integrated component. The vertical integrated component has a first electrical conducting layer, a mid layer, partly embodied from dielectric material on the first electrical conducting layer, a second electrical conducting layer on the mid layer and a nanostructure integrated in a through hold introduced in the mid layer. A first end section of the nanostructure is coupled to the first electrical conducting layer and a second end section is coupled to the second electrical conducting layer. The mid layer includes a third electrical conducting layer between two adjacent dielectric partial layers, the thickness of which is less than the thickness of at least one of the dielectric partial layers.

摘要翻译： 本发明涉及垂直集成部件，部件布置和用于生产垂直集成部件的方法。 垂直集成部件具有第一导电层，中间层，其部分地由第一导电层上的介电材料实现，中间层上的第二导电层和集成在中间层中的贯通保持件中的纳米结构。 纳米结构的第一端部分耦合到第一导电层，第二端部分耦合到第二导电层。 中间层包括在两个相邻的介电部分层之间的第三导电层，其厚度小于介电部分层中的至少一个的厚度。

公开(公告)号：US07385243B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US10926838

申请日：2004-08-25

申请人： Andrew Graham ,  Franz Hofmann ,  Michael Specht

发明人： Andrew Graham ,  Franz Hofmann ,  Michael Specht

IPC分类号： H01L29/30

CPC分类号： H01L27/11519 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L29/66825

摘要： Floating gate memory cell having a first layer with first and second source/drain regions and a channel region arranged between and next to the first and second source/drain regions, and a floating gate layer arranged on the first layer, wherein the first and second source/drain regions and the floating gate layer are formed of a metallically conductive material, and the channel region is formed of an electrically insulating material.

摘要翻译： 具有具有第一和第二源极/漏极区域的第一层和布置在第一和第二源极/漏极区域之间和之后的沟道区域的浮动栅极存储单元以及布置在第一层上的浮动栅极层，其中第一和第二 源极/漏极区域和浮置栅极层由金属导电材料形成，并且沟道区域由电绝缘材料形成。

公开(公告)号：US07183131B2

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：US10712767

申请日：2003-11-12

申请人： Eugen Unger ,  Georg Stefan Dusberg ,  Andrew Graham ,  Maik Liebau

发明人： Eugen Unger ,  Georg Stefan Dusberg ,  Andrew Graham ,  Maik Liebau

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  Y10S438/903 ,  Y10S977/891

摘要： A process for producing a nanoelement arrangement and to a nanoelement arrangement. A first nanoelement is at least partially covered with catalyst material for catalyzing the growth of nanoelements. Furthermore, at least one second nanoelement is grown on the catalyst material.Also, a nanoelement arrangement having a first nanoelement on which at least one predetermined region is covered with catalyst material for catalyzing the growth of nanoelements, and at least one second nanoelement grown on the catalyst material.

摘要翻译： 用于制备纳米元件排列和纳米元件排列的方法。 至少部分地用催化剂材料覆盖第一纳米元素以催化纳米元素的生长。 此外，在催化剂材料上生长至少一个第二纳米元素。 而且，具有第一纳米元素的纳米元件排列，其上至少一个预定区域被催化剂材料覆盖以催化纳米元素的生长，以及在催化剂材料上生长的至少一个第二纳米元素。

公开(公告)号：US20070005483A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11262604

申请日：2005-10-31

申请人： Andrew Graham

发明人： Andrew Graham

IPC分类号： G06Q40/00

CPC分类号： G06Q30/08 ,  G06Q40/04

摘要： To provide a personalized auction service, data pertaining to one or more of a user's accounts with different online auction service providers (OASPs), such as URLs of the OASPs and account access data, is maintained in a folder by an information assistance service, which is unaffiliated with the OASPs. When the user calls the information assistance service, the user's folder is retrieved. The user's OASP accounts may be accessed on behalf of the user based on the URLs of the OASPs and account access data in the user's folder. An information assistance provider including, for example, an operator and/or a voice server, may perform on behalf of the user one or more operations with respect to one or more of the user's OASP accounts, including initiating an auction, for example.

摘要翻译： 为了提供个性化拍卖服务，通过信息协助服务在文件夹中保存与不同在线拍卖服务提供商（OASP）的一个或多个用户账户有关的数据，例如OASP的URL和帐户访问数据， 与OASP无关。 当用户呼叫信息协助服务时，检索用户的文件夹。 可以基于用户文件夹中的OASP和帐户访问数据的URL代表用户访问用户的OASP帐户。 包括例如运营商和/或语音服务器的信息协助提供商可以代表用户执行关于一个或多个用户的OASP账户的一个或多个操作，例如启动拍卖。

公开(公告)号：US20060186451A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11363991

申请日：2006-02-28

申请人： Georg Dusberg ,  Andrew Graham ,  Franz Kreupl

发明人： Georg Dusberg ,  Andrew Graham ,  Franz Kreupl

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/8242

CPC分类号： G11C13/0033 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/16 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052

摘要： The present device relates to memory devices for storing electric charge having memory cells and transistors arranged spatially next to them, and relates in particular to memory devices having memory cells with a high capacitance. In the memory cells which form a memory device to which the invention relates, there is a substrate and at least one memory cell which is arranged on the substrate and includes a first electrode element, which is electrically connected to the substrate, an insulation layer, which has been applied to the first electrode element, and a second electrode element, which has been applied to the insulation layer and is electrically insulated from the first electrode element.

摘要翻译： 本装置涉及用于存储电荷的存储装置，该电荷具有存储单元和在空间上排列的晶体管，特别涉及具有高电容的存储单元的存储器件。 在形成本发明所涉及的存储器件的存储器单元中，存在一个衬底和至少一个存储单元，其被布置在衬底上，并且包括与衬底电连接的第一电极元件，绝缘层， 已经施加到第一电极元件的第二电极元件和已经施加到绝缘层并且与第一电极元件电绝缘的第二电极元件。

公开(公告)号：US20060011972A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US10533215

申请日：2003-10-29

申请人： Andrew Graham ,  Franz Hofmann ,  Wolfgang Honlein ,  Johannes Kretz ,  Franz Kreupl ,  Erhard Landoraf ,  Richard Luyken ,  Wolfgang Rosner ,  Thomas Schultz ,  Michael Specht

发明人： Andrew Graham ,  Franz Hofmann ,  Wolfgang Honlein ,  Johannes Kretz ,  Franz Kreupl ,  Erhard Landoraf ,  Richard Luyken ,  Wolfgang Rosner ,  Thomas Schultz ,  Michael Specht

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/7888 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/17 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/28 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/057

摘要： A nonvolatile memory cell, memory cell arrangement, and method for production of a nonvolatile memory cell is disclosed. The nonvolatile memory cell includes a vertical field-effect transistor (FET). The FET contains a nanoelement arranged as a channel region and an electrically insulating layer. The electrically insulating layer at least partially surrounds the nanoelement and acts as a charge storage layer and as a gate-insulating layer. The electrically insulating layer is arranged such that electrical charge carriers may be selectively introduced into or removed from the electrically insulating layer and the electrical conductivity characteristics of the nanoelement may be influenced by the electrical charge carriers introduced into the electrically insulating layer.

摘要翻译： 公开了一种用于制造非易失性存储单元的非易失性存储单元，存储单元布置和方法。 非易失性存储单元包括垂直场效应晶体管（FET）。 FET包含布置为沟道区和电绝缘层的纳米元件。 电绝缘层至少部分地包围纳米元件并充当电荷存储层和作为栅极绝缘层。 电绝缘层被布置成使得电荷载体可以被选择性地引入到电绝缘层中或从电绝缘层移除，并且纳米元件的导电特性可能受到引入到电绝缘层中的电荷载流子的影响。

公开(公告)号：US20050028525A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10912071

申请日：2004-08-06

申请人： Ian Toon ,  Gary Eadon ,  Andrew Graham ,  Allan Salt

发明人： Ian Toon ,  Gary Eadon ,  Andrew Graham ,  Allan Salt

IPC分类号： F23R3/28 ,  F23R3/30 ,  F23R3/36 ,  F02C1/00 ,  F02G3/00

CPC分类号： F23R3/36 ,  F23D2900/11101 ,  F23R3/286 ,  F23R3/30

摘要： In order to allow dual fuel operation, that is to say gas and liquid fuel, a fuel injection arrangement and an assembly are provided in which an injection conduit provides constriction to an airflow towards an outlet. In an assembly a plurality of arrangements including liquid fuel jets are arranged to such that through high angle incidents by the airflow appropriate vaporisation and droplet formation is achieved for a fuel/air mixture combustible in a combustor of a turbine engine. At low liquid fuel flow rates below a pre-determined level the liquid fuel is atomised and entrained by the airflow. At high liquid fuel flow rates the fuel splash impinges upon a wash surface to develop a wash film which is again vaporised and atomised about an edge for a fuel/air mixture capable of combustion.

摘要翻译： 为了允许双重燃料操作，即气体和液体燃料，提供燃料喷射装置和组件，其中注射导管对朝向出口的气流提供收缩。 在组件中，包括液体燃料喷嘴的多个布置被布置成使得通过气流适当的气流的大角度事件被实现，并且对于在涡轮发动机的燃烧器中可燃的燃料/空气混合物实现了液滴形成。 在低液体燃料流量低于预定水平时，液体燃料被气流雾化并夹带。 在高液体燃料流速下，燃料飞溅撞击在洗涤表面上以形成洗涤膜，该洗涤膜再次被蒸发并围绕边缘雾化，用于能够燃烧的燃料/空气混合物。

公开(公告)号：US07892879B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US11628871

申请日：2005-08-01

申请人： Louise Buckle ,  John W Cairns ,  Jean Giess ,  Neil T Gordon ,  Andrew Graham ,  Janet E Hails ,  David J Hall ,  Colin J Hollier ,  Graham J Pryce ,  Andrew J Wright

发明人： Louise Buckle ,  John W Cairns ,  Jean Giess ,  Neil T Gordon ,  Andrew Graham ,  Janet E Hails ,  David J Hall ,  Colin J Hollier ,  Graham J Pryce ,  Andrew J Wright

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B25/183 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/48 ,  H01L27/14696 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/50

摘要： This invention relates to the manufacture of Cadmium Mercury Telluride (CMT) on patterned silicon, especially to growth of CMT on silicon substrates bearing integrated circuitry. The method of the invention involves growing CMT in selected growth windows on the silicon substrate by first growing one or more buffer layers by MBE and then growing the CMT by MOVPE. The growth windows may be defined by masking the area outside of the growth windows. Growth within the growth windows is crystalline whereas any growth outside the growth windows is polycrystalline and can be removed by etching. The invention offers a method of growing CMT structures directly on integrated circuits removing the need for hybridisation.

摘要翻译： 本发明涉及在图案化硅上制造碲化汞碲化镉（CMT），特别涉及带有集成电路的硅衬底上的CMT生长。 本发明的方法包括通过首先通过MBE生长一个或多个缓冲层，然后通过MOVPE生长CMT，在硅衬底上选择的生长窗中生长CMT。 生长窗口可以通过掩蔽生长窗口之外的区域来定义。 生长窗内的生长是结晶的，而在生长窗外部的生长是多晶的并且可以通过蚀刻去除。 本发明提供了一种在集成电路上直接生长CMT结构的方法，从而消除了对杂交的需要。

公开(公告)号：US20080296674A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US11755141

申请日：2007-05-30

申请人： Andrew Graham ,  Jessica Hartwich ,  Arnd Scholz

发明人： Andrew Graham ,  Jessica Hartwich ,  Arnd Scholz

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/49

摘要： A transistor, an integrated circuit and a method of forming an integrated circuit is disclosed. One embodiment includes a gate electrode. The gate electrode is disposed in a gate groove formed in a semiconductor substrate and includes a conductive carbon material.

摘要翻译： 公开了晶体管，集成电路和形成集成电路的方法。 一个实施例包括栅电极。 栅电极设置在形成在半导体衬底中的栅极沟槽中，并且包括导电碳材料。