公开(公告)号：US20130026619A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13192302

申请日：2011-07-27

申请人： Chih-Horng CHANG ,  Tin-Hao KUO ,  Chen-Shien CHEN ,  Yen-Liang LIN

发明人： Chih-Horng CHANG ,  Tin-Hao KUO ,  Chen-Shien CHEN ,  Yen-Liang LIN

IPC分类号： H01L23/498 ,  B32B15/00 ,  B32B3/00

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/24479 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： The embodiments of bump and bump-on-trace (BOT) structures provide bumps with recess regions for reflowed solder to fill. The recess regions are placed in areas of the bumps where reflow solder is most likely to protrude. The recess regions reduce the risk of bump to trace shorting. As a result, yield can be improved.

摘要翻译： 凸块和凸块（BOT）结构的实施例提供具有用于回填焊料填充的凹陷区域的凸块。 凹陷区域放置在凸起焊接区域最可能突出的区域。 凹陷区域减少了跟踪短路的风险。 结果，可以提高收率。

公开(公告)号：US20120091576A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13009377

申请日：2011-01-19

申请人： Tsung-Fu TSAI ,  Yian-Liang KUO ,  Chih-Horng CHANG

发明人： Tsung-Fu TSAI ,  Yian-Liang KUO ,  Chih-Horng CHANG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/535 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/03903 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： An under-bump metallization (UBM) structure in a semiconductor device includes a copper layer, a nickel layer, and a Cu—Ni—Sn intermetallic compound (IMC) layer between the copper layer and the nickel layer.

摘要翻译： 半导体器件中的凸起下金属化（UBM）结构包括在铜层和镍层之间的铜层，镍层和Cu-Ni-Sn金属间化合物（IMC）层。