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    PRECURSOR COMPOSITIONS FOR ALD/CVD OF GROUP II RUTHENATE THIN FILMS
    4.
    发明申请
    PRECURSOR COMPOSITIONS FOR ALD/CVD OF GROUP II RUTHENATE THIN FILMS 有权
    用于II组RUTHENATE薄膜的ALD / CVD的前体组合物

    公开(公告)号：US20100095865A1

    公开(公告)日：2010-04-22

    申请号：US12523704

    申请日：2007-03-12

    申请人： Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender ,  Tianniu Chen

    发明人： Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender ,  Tianniu Chen

    IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/30

    CPC分类号： C07F17/02

    摘要： Precursor compositions useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of strontium ruthenium oxide (SrRuO3) thin films, e.g., in the manufacture of microelectronic devices, as well as processes of making and using such precursors, and precursor supply systems containing such precursor compositions in packaged form. Cyclopentadienyl compounds of varied type are described, including cyclopentadienyl as well as non cyclopentadienyl ligands coordinated to ruthenium, strontium or barium central atoms. The precursors of the invention are useful for forming contacts for microelectronic memory device structures, and in a specific aspect for selectively coating copper metallization without deposition on associated dielectric, under deposition conditions in a forming gas ambient.

    摘要翻译： 用于原子层沉积（ALD）和氧化钌氧化物（SrRuO 3）薄膜的化学气相沉积（CVD）的前体组合物，例如在微电子器件的制造中，以及制备和使用这些前体的方法以及前体供应 含有包装形式的前体组合物的体系。 描述了不同类型的环戊二烯基化合物，包括环戊二烯基以及与钌，锶或钡中心原子配位的非环戊二烯基配位体。 本发明的前体可用于形成微电子存储器件结构的接触，并且在特定方面，用于在形成气体环境中的沉积条件下，在相关联的电介质上不沉积而选择性地涂覆铜金属化。

    Precursor compositions for ALD/CVD of group II ruthenate thin films
    8.
    发明授权
    Precursor compositions for ALD/CVD of group II ruthenate thin films 有权
    用于II组钌酸盐薄膜的ALD / CVD的前体组合物

    公开(公告)号：US08524931B2

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US12523704

    申请日：2007-03-12

    申请人： Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender ,  Tianniu Chen

    发明人： Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender ,  Tianniu Chen

    IPC分类号： C07F15/00 ,  C03C17/10

    CPC分类号： C07F17/02

    摘要： Precursor compositions useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of strontium ruthenium oxide (SrRuO3) thin films, e.g., in the manufacture of microelectronic devices, as well as processes of making and using such precursors, and precursor supply systems containing such precursor compositions in packaged form. Cyclopentadienyl compounds of varied type are described, including cyclopentadienyl as well as non cyclopentadienyl ligands coordinated to ruthenium, strontium or barium central atoms. The precursors of the invention are useful for forming contacts for microelectronic memory device structures, and in a specific aspect for selectively coating copper metallization without deposition on associated dielectric, under deposition conditions in a forming gas ambient.

    摘要翻译： 用于原子层沉积（ALD）和氧化钌氧化物（SrRuO 3）薄膜的化学气相沉积（CVD）的前体组合物，例如在微电子器件的制造中，以及制备和使用这些前体的方法以及前体供应 含有包装形式的前体组合物的体系。 描述了不同类型的环戊二烯基化合物，包括环戊二烯基以及与钌，锶或钡中心原子配位的非环戊二烯基配位体。 本发明的前体可用于形成微电子存储器件结构的接触，并且在特定方面，用于在形成气体环境中的沉积条件下，在相关联的电介质上不沉积而选择性地涂覆铜金属化。

    Precursors for silicon dioxide gap fill
    10.
    发明授权
    Precursors for silicon dioxide gap fill 有权
    二氧化硅填充前体

    公开(公告)号：US09337054B2

    公开(公告)日：2016-05-10

    申请号：US12665929

    申请日：2008-06-27

    申请人： William Hunks ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Weimin Li

    发明人： William Hunks ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Weimin Li

    IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/02211 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/0649

    摘要： A full fill trench structure is described, including a microelectronic device substrate having a high aspect ratio trench therein and filled with silicon dioxide of a substantially void-free character and substantially uniform density throughout its bulk mass. A method of manufacturing a semiconductor product also is described, involving use of specific silicon precursor compositions for forming substantially void-free and substantially uniform density silicon dioxide material in the trench. The precursor fill composition may include silicon and germanium, to produce a microelectronic device structure including a GeO2/SiO2 trench fill material. A suppressor component may be employed in the precursor fill composition, to eliminate or minimize seam formation in the cured trench fill material.

    摘要翻译： 描述了一种全填充沟槽结构，其包括其中具有高纵横比沟槽的微电子器件衬底，并填充了其整个整体质量基本上无空隙特征和基本均匀密度的二氧化硅。 还描述了制造半导体产品的方法，其涉及使用特定的硅前体组合物，用于在沟槽中形成基本上无空隙且基本均匀的密度二氧化硅材料。 前体填充组合物可以包括硅和锗，以产生包括GeO 2 / SiO 2沟槽填充材料的微电子器件结构。 可以在前体填充组合物中使用抑制剂组分，以消除或最小化固化沟槽填充材料中的接缝形成。