公开(公告)号：US08759959B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13029736

申请日：2011-02-17

申请人： Choong-Bin Yim ,  Seung-Kon Mok ,  Jin-Woo Park ,  Dae-Young Choi ,  Mi-Yeon Kim

发明人： Choong-Bin Yim ,  Seung-Kon Mok ,  Jin-Woo Park ,  Dae-Young Choi ,  Mi-Yeon Kim

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： Semiconductor package includes a first semiconductor package including a first printed circuit board, and a first semiconductor device mounted on the first printed circuit board, and a second semiconductor package stacked on the first semiconductor package, and including a second printed circuit board and a second semiconductor device mounted on the second printed circuit board. The semiconductor package includes at least one first through electrode electrically connecting the second semiconductor package to the first printed circuit board through the first semiconductor device.

摘要翻译： 半导体封装包括第一半导体封装，包括第一印刷电路板和安装在第一印刷电路板上的第一半导体器件，以及堆叠在第一半导体封装上的第二半导体封装，并且包括第二印刷电路板和第二半导体 装置安装在第二印刷电路板上。 半导体封装包括至少一个第一通孔，其通过第一半导体器件将第二半导体封装电连接到第一印刷电路板。

公开(公告)号：US20110215451A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13029736

申请日：2011-02-17

申请人： Choong-Bin Yim ,  Seung-Kon Mok ,  Jin-Woo Park ,  Dae-Young Choi ,  Mi-Yeon Kim

发明人： Choong-Bin Yim ,  Seung-Kon Mok ,  Jin-Woo Park ,  Dae-Young Choi ,  Mi-Yeon Kim

IPC分类号： H01L25/11

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： Semiconductor package includes a first semiconductor package including a first printed circuit board, and a first semiconductor device mounted on the first printed circuit board, and a second semiconductor package stacked on the first semiconductor package, and including a second printed circuit board and a second semiconductor device mounted on the second printed circuit board. The semiconductor package includes at least one first through electrode electrically connecting the second semiconductor package to the first printed circuit board through the first semiconductor device.

摘要翻译： 半导体封装包括第一半导体封装，包括第一印刷电路板和安装在第一印刷电路板上的第一半导体器件，以及堆叠在第一半导体封装上的第二半导体封装，并且包括第二印刷电路板和第二半导体 装置安装在第二印刷电路板上。 半导体封装包括至少一个第一通孔，其通过第一半导体器件将第二半导体封装电连接到第一印刷电路板。

公开(公告)号：US20110237027A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13027511

申请日：2011-02-15

申请人： Tae-Hun Kim ,  Jin-Woo Park ,  Dae-Young Choi ,  Mi-Yeon Kim ,  Sun-Hye Lee

发明人： Tae-Hun Kim ,  Jin-Woo Park ,  Dae-Young Choi ,  Mi-Yeon Kim ,  Sun-Hye Lee

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

摘要： Provided is a method of forming a package-on-package. An encapsulation is formed to cover a wafer using a wafer level molding process. The wafer includes a plurality of semiconductor chips and a plurality of through silicon vias (TSVs) passing through the semiconductor chips. The encapsulant may have openings aligned with the TSVs. The encapsulant and the semiconductor chips are divided to form a plurality of semiconductor packages. Another semiconductor package is stacked on one selected from the semiconductor packages. The other semiconductor package is electrically connected to the TSVs.

摘要翻译： 提供了一种形成封装封装的方法。 使用晶片级成型工艺形成覆盖晶片的封装。 晶片包括多个半导体芯片和穿过半导体芯片的多个通孔硅通孔（TSV）。 密封剂可以具有与TSV对齐的开口。 密封剂和半导体芯片被分割以形成多个半导体封装。 另一个半导体封装堆叠在从半导体封装中选择的一个上。 另一个半导体封装电连接到TSV。

公开(公告)号：US20110109000A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12899859

申请日：2010-10-07

申请人： Sang-Uk Kim ,  Hyo-Chang Ryu ,  Jin-Woo Park ,  Dae-young Choi ,  Mi-yeon Kim

发明人： Sang-Uk Kim ,  Hyo-Chang Ryu ,  Jin-Woo Park ,  Dae-young Choi ,  Mi-yeon Kim

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L23/16 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Provided are a semiconductor package and a method of forming the same. The semiconductor package includes a stress reliever disposed on a part (more specifically, a weak part) of a semiconductor chip. The stress reliever relieves thermal and/or physical stresses caused by a molding layer. As a result, the semiconductor chip does not suffer from the thermal and/or physical stresses.

摘要翻译： 提供半导体封装及其形成方法。 半导体封装包括设置在半导体芯片的一部分（更具体地，弱部分）上的应力消除器。 应力释放器减轻了由模制层引起的热和/或物理应力。 结果，半导体芯片不会受到热和/或物理应力的影响。

公开(公告)号：US08754515B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US13614931

申请日：2012-09-13

申请人： Tae-Hun Kim ,  Jin-Woo Park ,  Dae-Young Choi ,  Mi-Yeon Kim ,  Sun-Hye Lee

发明人： Tae-Hun Kim ,  Jin-Woo Park ,  Dae-Young Choi ,  Mi-Yeon Kim ,  Sun-Hye Lee

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L21/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L25/00 ,  H01L21/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

摘要： Provided is a method of forming a package-on-package. An encapsulation is formed to cover a wafer using a wafer level molding process. The wafer includes a plurality of semiconductor chips and a plurality of through silicon vias (TSVs) passing through the semiconductor chips. The encapsulant may have openings aligned with the TSVs. The encapsulant and the semiconductor chips are divided to form a plurality of semiconductor packages. Another semiconductor package is stacked on one selected from the semiconductor packages. The other semiconductor package is electrically connected to the TSVs.

摘要翻译： 提供了一种形成封装封装的方法。 使用晶片级成型工艺形成覆盖晶片的封装。 晶片包括多个半导体芯片和穿过半导体芯片的多个通孔硅通孔（TSV）。 密封剂可以具有与TSV对齐的开口。 密封剂和半导体芯片被分割以形成多个半导体封装。 另一个半导体封装堆叠在从半导体封装中选择的一个上。 另一个半导体封装电连接到TSV。

公开(公告)号：US20130001800A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13614931

申请日：2012-09-13

申请人： Tae-Hun KIM ,  Jin-Woo Park ,  Dae-Young Choi ,  Mi-Yeon Kim ,  Sun-Hye Lee

发明人： Tae-Hun KIM ,  Jin-Woo Park ,  Dae-Young Choi ,  Mi-Yeon Kim ,  Sun-Hye Lee

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

摘要： Provided is a method of forming a package-on-package. An encapsulation is formed to cover a wafer using a wafer level molding process. The wafer includes a plurality of semiconductor chips and a plurality of through silicon vias (TSVs) passing through the semiconductor chips. The encapsulant may have openings aligned with the TSVs. The encapsulant and the semiconductor chips are divided to form a plurality of semiconductor packages. Another semiconductor package is stacked on one selected from the semiconductor packages. The other semiconductor package is electrically connected to the TSVs.

摘要翻译： 提供了一种形成封装封装的方法。 使用晶片级成型工艺形成覆盖晶片的封装。 晶片包括多个半导体芯片和穿过半导体芯片的多个通孔硅通孔（TSV）。 密封剂可以具有与TSV对齐的开口。 密封剂和半导体芯片被分割以形成多个半导体封装。 另一个半导体封装堆叠在从半导体封装中选择的一个上。 另一个半导体封装电连接到TSV。

公开(公告)号：US08293580B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US13027511

申请日：2011-02-15

申请人： Tae-Hun Kim ,  Jin-Woo Park ,  Dae-Young Choi ,  Mi-Yeon Kim ,  Sun-Hye Lee

发明人： Tae-Hun Kim ,  Jin-Woo Park ,  Dae-Young Choi ,  Mi-Yeon Kim ,  Sun-Hye Lee

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/02

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

摘要： Provided is a method of forming a package-on-package. An encapsulation is formed to cover a wafer using a wafer level molding process. The wafer includes a plurality of semiconductor chips and a plurality of through silicon vias (TSVs) passing through the semiconductor chips. The encapsulant may have openings aligned with the TSVs. The encapsulant and the semiconductor chips are divided to form a plurality of semiconductor packages. Another semiconductor package is stacked on one selected from the semiconductor packages. The other semiconductor package is electrically connected to the TSVs.

摘要翻译： 提供了一种形成封装封装的方法。 使用晶片级成型工艺形成覆盖晶片的封装。 晶片包括多个半导体芯片和穿过半导体芯片的多个通孔硅通孔（TSV）。 密封剂可以具有与TSV对齐的开口。 密封剂和半导体芯片被分割以形成多个半导体封装。 另一个半导体封装堆叠在从半导体封装中选择的一个上。 另一个半导体封装电连接到TSV。

公开(公告)号：US20100304530A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12788956

申请日：2010-05-27

申请人： Choongbin Yim ,  Seungkon Mok ,  Donghan Kim ,  Jin-Woo Park ,  PaLan Lee ,  Mi-yeon Kim

发明人： Choongbin Yim ,  Seungkon Mok ,  Donghan Kim ,  Jin-Woo Park ,  PaLan Lee ,  Mi-yeon Kim

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L23/04 ,  H01L23/3128 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/0401

摘要： Provided is a method of forming a semiconductor package. In the method, a first package including a first chip on a first substrate is formed, a second package including a second chip on a second substrate is formed, a moulding cap provided with a via hole and a recess structure configured to receive the first chip is formed, and the second package is provided on the first package with the moulding cap being therebetween such that the recess receives the first chip. The via hole and the recess structure are simultaneously foamed.

摘要翻译： 提供一种形成半导体封装的方法。 在该方法中，形成包括在第一基板上的第一芯片的第一封装，在第二基板上形成包括第二芯片的第二封装，设置有通孔和凹陷结构的成型盖， 并且所述第二包装设置在所述第一包装上，所述模制帽在其间，使得所述凹部接收所述第一芯片。 通孔和凹槽结构同时发泡。

公开(公告)号：US08569114B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US12788956

申请日：2010-05-27

申请人： Choongbin Yim ,  Seungkon Mok ,  Donghan Kim ,  Jin-Woo Park ,  PaLan Lee ,  Mi-yeon Kim

发明人： Choongbin Yim ,  Seungkon Mok ,  Donghan Kim ,  Jin-Woo Park ,  PaLan Lee ,  Mi-yeon Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/04 ,  H01L23/3128 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/0401

摘要： Provided is a method of forming a semiconductor package. In the method, a first package including a first chip on a first substrate is formed, a second package including a second chip on a second substrate is formed, a molding cap provided with a via hole and a recess structure configured to receive the first chip is formed, and the second package is provided on the first package with the molding cap being therebetween such that the recess receives the first chip. The via hole and the recess structure are simultaneously formed.

摘要翻译： 提供一种形成半导体封装的方法。 在该方法中，形成包括在第一基板上的第一芯片的第一封装，在第二基板上形成包括第二芯片的第二封装，设置有通孔和凹陷结构的成型盖， 并且所述第二包装设置在所述第一包装上，所述模制帽在其间，使得所述凹部接收所述第一芯片。 通孔和凹槽结构同时形成。

公开(公告)号：US09452932B2

公开(公告)日：2016-09-27

申请号：US14354854

申请日：2012-08-08

申请人： Jong-Soo Park ,  Kyung-Ran Hwang ,  Shin-Kun Ryi ,  Chun-Boo Lee ,  Sung-Wook Lee ,  Jin-Woo Park

发明人： Jong-Soo Park ,  Kyung-Ran Hwang ,  Shin-Kun Ryi ,  Chun-Boo Lee ,  Sung-Wook Lee ,  Jin-Woo Park

IPC分类号： B01J7/00 ,  C01B3/38 ,  B01J19/00 ,  B01J19/24

CPC分类号： C01B3/38 ,  B01J19/0093 ,  B01J19/249 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00835 ,  B01J2219/00844 ,  B01J2219/00873 ,  B01J2219/00907 ,  B01J2219/2453 ,  B01J2219/2458 ,  B01J2219/2461 ,  B01J2219/2475 ,  B01J2219/2479 ,  C01B2203/0283 ,  C01B2203/041 ,  C01B2203/1058 ,  C01B2203/1241 ,  C01B2203/142

摘要： The present invention relates to a hydrogen production module by an integrated reaction/separation process, and a hydrogen production reactor using the same, and more specifically, provides a hydrogen production apparatus which laminates a plurality of layered unit cells, is mounted in a pressure-resistant chamber, and can be operated at a high pressure, wherein the unit cell comprises a first modified catalyst, and a second modified catalyst opposite to a hydrogen separator. The hydrogen production module can produce hydrogen using a hydrocarbon, carbon monoxide and an alcohol as sources. Particularly, all the modified catalysts are formed into a porous metal plate form, thereby maximizing the heat transfer effect necessary for reaction. While a reaction and separation of hydrogen simultaneously occur, separated reactants permeate the first modified catalyst so as to come in contact with the same, and then pass through the gap between the hydrogen separator and the second modified catalyst opposite to each other. Therefore, it is possible to obtain a high efficiency over the equilibrium conversion rate of reaction temperature, and high purity hydrogen can be obtained.

摘要翻译： 本发明涉及通过一体化反应/分离方法的氢气生产模块和使用该制氢反应器的氢气生产反应器，更具体地说，提供一种将多个分层单元电池层叠的氢制造装置， 并且可以在高压下操作，其中单元电池包括第一改性催化剂和与氢分离器相对的第二改性催化剂。 氢气生产模块可以使用烃，一氧化碳和酒精作为源产生氢。 特别地，所有的改性催化剂形成多孔金属板形式，从而最大化反应所需的传热效果。 同时发生氢的反应和分离，分离的反应物渗入第一改性催化剂以与其接触，然后通过氢分离器和第二改性催化剂彼此相对的间隙。 因此，可以获得比反应温度的平衡转化率高的效率，并且可以获得高纯度的氢。