公开(公告)号：US08323754B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US10851514

申请日：2004-05-21

申请人： Christopher Olsen ,  Pravin K. Narwankar ,  Shreyas S. Kher ,  Randhir Thakur ,  Shankar Muthukrishnan ,  Philip A. Kraus

发明人： Christopher Olsen ,  Pravin K. Narwankar ,  Shreyas S. Kher ,  Randhir Thakur ,  Shankar Muthukrishnan ,  Philip A. Kraus

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： H01L21/3141 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

摘要： In one embodiment, a method for forming a dielectric stack on a substrate is provided which includes depositing a first layer of a dielectric material on a substrate surface, exposing the first layer to a nitridation process, depositing a second layer of the dielectric material on the first layer, exposing the second layer to the nitridation process, and exposing the substrate to an anneal process. In another embodiment, a method for forming a dielectric material on a substrate is provided which includes depositing a metal oxide layer substantially free of silicon on a substrate surface, exposing the metal oxide layer to a nitridation process, and exposing the substrate to an anneal process.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种在衬底上形成电介质堆叠的方法，其包括在衬底表面上沉积介电材料的第一层，将第一层暴露于氮化工艺，将第二层介电材料沉积在 第一层，将第二层暴露于氮化工艺，并将衬底暴露于退火工艺。 在另一个实施例中，提供了一种用于在衬底上形成介电材料的方法，其包括在衬底表面上沉积基本上不含硅的金属氧化物层，将金属氧化物层暴露于氮化工艺，以及将衬底暴露于退火工艺 。

公开(公告)号：US07775508B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11554954

申请日：2006-10-31

申请人： Kenric T. Choi ,  Pravin K. Narwankar ,  Shreyas S. Kher ,  Son T. Nguyen ,  Paul Deaton ,  Khai Ngo ,  Paul Chhabra ,  Alan H. Ouye ,  Dien-Yeh (Daniel) Wu

发明人： Kenric T. Choi ,  Pravin K. Narwankar ,  Shreyas S. Kher ,  Son T. Nguyen ,  Paul Deaton ,  Khai Ngo ,  Paul Chhabra ,  Alan H. Ouye ,  Dien-Yeh (Daniel) Wu

IPC分类号： B01F3/04

CPC分类号： C23C16/4481

摘要： A method and apparatus for providing a precursor to a process chamber is described. The apparatus comprises an ampoule capable of receiving either a liquid precursor source material or a solid precursor source material. The ampoule is capable of delivering either a liquid precursor material to a vaporizer coupled to the process chamber, or a vaporized or gaseous precursor material to the process chamber. The ampoule also includes a continuous level sensor to accurately monitor the level of precursor source material within the ampoule.

摘要翻译： 描述了一种用于向处理室提供前体的方法和装置。 该装置包括能够接收液体前体源材料或固体前体源材料的安瓿。 安瓿能够将液体前体材料输送到耦合到处理室的蒸发器，或将蒸发的或气态的前体材料输送到处理室。 安瓿还包括连续液位传感器，以准确地监测安瓿内的前体源材料的含量。

公开(公告)号：US20080099933A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11554954

申请日：2006-10-31

申请人： Kenric T. Choi ,  Pravin K. Narwankar ,  Shreyas S. Kher ,  Son T. Nguyen ,  Paul Deaton ,  Khai Ngo ,  Paul Chhabra ,  Alan H. Ouye ,  Dien-Yeh (Daniel) Wu

发明人： Kenric T. Choi ,  Pravin K. Narwankar ,  Shreyas S. Kher ,  Son T. Nguyen ,  Paul Deaton ,  Khai Ngo ,  Paul Chhabra ,  Alan H. Ouye ,  Dien-Yeh (Daniel) Wu

IPC分类号： F16K13/00 ,  B01F3/04

CPC分类号： C23C16/4481

摘要： A method and apparatus for providing a precursor to a process chamber is described. The apparatus comprises an ampoule capable of receiving either a liquid precursor source material or a solid precursor source material. The ampoule is capable of delivering either a liquid precursor material to a vaporizer coupled to the process chamber, or a vaporized or gaseous precursor material to the process chamber. The ampoule also includes a continuous level sensor to accurately monitor the level of precursor source material within the ampoule.

摘要翻译： 描述了一种用于向处理室提供前体的方法和装置。 该装置包括能够接收液体前体源材料或固体前体源材料的安瓿。 安瓿能够将液体前体材料输送到耦合到处理室的蒸发器，或将蒸发的或气态的前体材料输送到处理室。 安瓿还包括连续液位传感器，以准确地监测安瓿内的前体源材料的含量。

公开(公告)号：US07871942B2

公开(公告)日：2011-01-18

申请号：US12057113

申请日：2008-03-27

申请人： Shreyas S. Kher ,  Pravin K. Narwankar ,  Khaled Z. Ahmed ,  Yi Ma

发明人： Shreyas S. Kher ,  Pravin K. Narwankar ,  Khaled Z. Ahmed ,  Yi Ma

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/31645 ,  C23C14/083 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3141

摘要： Processes for making a high K (dielectric constant) film using an ultra-high purity hafnium containing organometallic compound are disclosed. Also described are devices incorporating high K films made with high purity hafnium containing organometallic compounds.

摘要翻译： 公开了使用含有超高纯度铪的有机金属化合物制造高K（介电常数）膜的方法。 还描述了包含用高纯度铪含有有机金属化合物制成的高K膜的装置。

公开(公告)号：US08071167B2

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US12794047

申请日：2010-06-04

申请人： Shreyas S. Kher ,  Shixue Han ,  Craig R. Metzner

发明人： Shreyas S. Kher ,  Shixue Han ,  Craig R. Metzner

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： H01L21/02312 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/405 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31683

摘要： Embodiments of the present invention relate to a surface preparation treatment for the formation of thin films of high k dielectric materials over substrates. One embodiment of a method of forming a high k dielectric layer over a substrate includes pre-cleaning a surface of a substrate to remove native oxides, pre-treating the surface of the substrate with a hydroxylating agent, and forming a high k dielectric layer over the surface of the substrate. One embodiment of a method of forming a hafnium containing layer over a substrate includes introducing an acid solution to a surface of a substrate, introducing a hydrogen containing gas and an oxygen containing gas to the surface of the substrate, and forming a hafnium containing layer over the substrate.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及用于在基板上形成高k电介质材料的薄膜的表面处理。 在衬底上形成高k电介质层的方法的一个实施例包括预清洁衬底的表面以去除天然氧化物，用羟基化剂预处理衬底的表面，以及形成高k电介质层 衬底的表面。 在衬底上形成含铪层的方法的一个实施方案包括将酸溶液引入衬底的表面，将含氢气体和含氧气体引入衬底的表面，并且形成含铪层 底物。

公开(公告)号：US08043907B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12687732

申请日：2010-01-14

申请人： Yi Ma ,  Shreyas S. Kher ,  Khaled Ahmed ,  Tejal Goyani ,  Maitreyee Mahajani ,  Jallepally Ravi ,  Yi-Chiau Huang

发明人： Yi Ma ,  Shreyas S. Kher ,  Khaled Ahmed ,  Tejal Goyani ,  Maitreyee Mahajani ,  Jallepally Ravi ,  Yi-Chiau Huang

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7881

摘要： Embodiments of the invention provide memory devices and methods for forming such memory devices. In one embodiment, a method for fabricating a non-volatile memory device on a substrate is provided which includes depositing a first polysilicon layer on a substrate surface, depositing a silicon oxide layer on the first polysilicon layer, depositing a first silicon oxynitride layer on the silicon oxide layer, depositing a silicon nitride layer on the first silicon oxynitride layer, depositing a second silicon oxynitride layer on the silicon nitride layer, and depositing a second polysilicon layer on the second silicon oxynitride layer. In some examples, the first polysilicon layer is a floating gate and the second polysilicon layer is a control gate.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于形成这种存储器件的存储器件和方法。 在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上制造非易失性存储器件的方法，其包括在衬底表面上沉积第一多晶硅层，在第一多晶硅层上沉积氧化硅层，在第一多晶硅层上沉积第一氧氮化硅层 氧化硅层，在第一氧氮化硅层上沉积氮化硅层，在氮化硅层上沉积第二氮氧化硅层，以及在第二氮氧化硅层上沉积第二多晶硅层。 在一些示例中，第一多晶硅层是浮置栅极，第二多晶硅层是控制栅极。

公开(公告)号：US20100102376A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12687732

申请日：2010-01-14

申请人： Yi Ma ,  Shreyas S. Kher ,  Khaled Ahmed ,  Tejal Goyani ,  Maitreyee Mahajani ,  Jallepally Ravi ,  Yi-Chiau Huang

发明人： Yi Ma ,  Shreyas S. Kher ,  Khaled Ahmed ,  Tejal Goyani ,  Maitreyee Mahajani ,  Jallepally Ravi ,  Yi-Chiau Huang

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7881

摘要： Embodiments of the invention provide memory devices and methods for forming such memory devices. In one embodiment, a method for fabricating a non-volatile memory device on a substrate is provided which includes depositing a first polysilicon layer on a substrate surface, depositing a silicon oxide layer on the first polysilicon layer, depositing a first silicon oxynitride layer on the silicon oxide layer, depositing a silicon nitride layer on the first silicon oxynitride layer, depositing a second silicon oxynitride layer on the silicon nitride layer, and depositing a second polysilicon layer on the second silicon oxynitride layer. In some examples, the first polysilicon layer is a floating gate and the second polysilicon layer is a control gate.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于形成这种存储器件的存储器件和方法。 在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上制造非易失性存储器件的方法，其包括在衬底表面上沉积第一多晶硅层，在第一多晶硅层上沉积氧化硅层，在第一多晶硅层上沉积第一氧氮化硅层 氧化硅层，在第一氧氮化硅层上沉积氮化硅层，在氮化硅层上沉积第二氮氧化硅层，以及在第二氮氧化硅层上沉积第二多晶硅层。 在一些示例中，第一多晶硅层是浮置栅极，第二多晶硅层是控制栅极。

公开(公告)号：US20090242957A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12059782

申请日：2008-03-31

申请人： Yi Ma ,  Shreyas S. Kher ,  Khaled Ahmed ,  Tejal Goyani ,  Maitreyee Mahajani ,  Jallepally Ravi ,  Yi-Chiau Huang

发明人： Yi Ma ,  Shreyas S. Kher ,  Khaled Ahmed ,  Tejal Goyani ,  Maitreyee Mahajani ,  Jallepally Ravi ,  Yi-Chiau Huang

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7881

摘要： Embodiments of the invention provide memory devices and methods for forming memory devices. In one embodiment, a memory device is provided which includes a floating gate polysilicon layer disposed over source/drain regions of a substrate, a silicon oxynitride layer disposed over the floating gate polysilicon layer, a first aluminum oxide layer disposed over the silicon oxynitride layer, a hafnium silicon oxynitride layer disposed over the first aluminum oxide layer, a second aluminum oxide layer disposed over the hafnium silicon oxynitride layer, and a control gate polysilicon layer disposed over the second aluminum oxide layer. In another embodiment, a memory device is provided which includes a control gate polysilicon layer disposed over an inter-poly dielectric stack disposed over a silicon oxide layer disposed over the floating gate polysilicon layer. The inter-poly dielectric stack contains two silicon oxynitride layers separated by a silicon nitride layer.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于形成存储器件的存储器件和方法。 在一个实施例中，提供了一种存储器件，其包括设置在衬底的源极/漏极区域上的浮置栅极多晶硅层，设置在浮置栅极多晶硅层上的氧氮化硅层，设置在氧氮化硅层上的第一氧化铝层， 设置在所述第一氧化铝层上的铪硅氮化物层，设置在所述铪硅氮氧化物层上的第二氧化铝层，以及设置在所述第二氧化铝层上的控制栅极多晶硅层。 在另一个实施例中，提供了一种存储器件，其包括设置在布置在浮置多晶硅层上方的氧化硅层上的多晶硅介质叠层之间的控制栅极多晶硅层。 多晶硅间介质堆叠包含由氮化硅层分隔的两个氮氧化硅层。

公开(公告)号：US07569500B2

公开(公告)日：2009-08-04

申请号：US11421283

申请日：2006-05-31

申请人： Craig R. Metzner ,  Shreyas S. Kher ,  Vidyut Gopal ,  Shixue Han ,  Shankarram A. Athreya

发明人： Craig R. Metzner ,  Shreyas S. Kher ,  Vidyut Gopal ,  Shixue Han ,  Shankarram A. Athreya

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02181 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/318

摘要： Methods of forming metal compounds such as metal oxides or metal nitrides by sequentially introducing and then reacting metal organic compounds with ozone one or with oxygen radicals or nitrogen radicals formed in a remote plasma chamber. The metal compounds have surprisingly and significantly improved uniformity when deposited by atomic layer deposition with cycle times of at least 10 seconds. The metal compounds also do not contain detectable carbon when the metal organic compound is vaporized at process conditions in the absence of solvents or excess ligands.

摘要翻译： 通过依次将金属有机化合物与臭氧一起或在远离等离子体室中形成的氧自由基或氮自由基反应而形成金属化合物如金属氧化物或金属氮化物的方法。 当通过原子层沉积沉积至少10秒的循环时间时，金属化合物具有惊人的和显着改善的均匀性。 当金属有机化合物在不存在溶剂或过量配体的过程条件下蒸发时，金属化合物也不含可检测的碳。

公开(公告)号：US5474591A

公开(公告)日：1995-12-12

申请号：US189232

申请日：1994-01-31

申请人： Richard L. Wells ,  Shreyas S. Kher

发明人： Richard L. Wells ,  Shreyas S. Kher

IPC分类号： C01G15/00 ,  C01B25/08 ,  C01G28/00 ,  C01G30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B7/02 ,  C30B29/40 ,  C22C12/00 ,  C01B35/04 ,  C22C28/00

CPC分类号： C30B7/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/44 ,  Y10S420/903

摘要： The present invention relates, in general, to a method of synthesizing nanocrystals and, in particular, to a method of synthesizing III-V semiconductor nanocrystals in solution at a low temperature and in a high yield. The method comprises the combination of mixing a Na/K alloy with an excess of Group VA element (E) in an aromatic solvent to form a (Na/K).sub.3 E pnictide, and subsequently mixing the pnictide with a Group IIIA trihalide (MX.sub.3) in a coordinating solution to form a suspension that includes the nanocrystalline semiconductor.

摘要翻译： 本发明一般涉及一种合成纳米晶体的方法，尤其涉及在低温和高收率下在溶液中合成III-V族半导体纳米晶体的方法。 该方法包括将Na / K合金与过量的VA族元素（E）在芳族溶剂中混合以形成（Na / K）3E pnictide，然后将该混合物与IIIA族三卤化物（MX3）混合， 在协调解决方案中形成包括纳米晶体半导体的悬浮液。