公开(公告)号：US20140065824A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US14071591

申请日：2013-11-04

申请人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

发明人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76805 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898

摘要： One or more openings in an organic mask layer deposited on a first insulating layer over a substrate are formed. One or more openings in the first insulating layer are formed through the openings in the organic mask using a first iodine containing gas. An antireflective layer can be deposited on the organic mask layer. One or more openings in the antireflective layer are formed down to the organic mask layer using a second iodine containing gas. The first insulating layer can be deposited on a second insulating layer over the substrate. One or more openings in the second insulating layer can be formed using a third iodine containing gas.

摘要翻译： 形成在衬底上沉积在第一绝缘层上的有机掩模层中的一个或多个开口。 使用第一含碘气体，通过有机掩模中的开口形成第一绝缘层中的一个或多个开口。 可以在有机掩模层上沉积抗反射层。 使用第二含碘气体，将抗反射层中的一个或多个开口形成为有机掩模层。 第一绝缘层可沉积在衬底上的第二绝缘层上。 可以使用第三含碘气体来形成第二绝缘层中的一个或多个开口。

公开(公告)号：US20160086771A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：US14960196

申请日：2015-12-04

申请人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

发明人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81C1/00531 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

摘要： Multilayered stacks having layers of silicon interleaved with layers of a dielectric, such as silicon dioxide, are plasma etched with non-corrosive process gas chemistries. Etching plasmas of fluorine source gases, such as SF6 and/or NF3 typically only suitable for dielectric layers, are energized by pulsed RF to achieve high aspect ratio etching of silicon/silicon dioxide bi-layers stacks without the addition of corrosive gases, such as HBr or Cl2. In embodiments, a mask open etch and the multi-layered stack etch are performed in a same plasma processing chamber enabling a single chamber, single recipe solution for patterning such multi-layered stacks. In embodiments, 3D NAND memory cells are fabricated with memory plug and/or word line separation etches employing a fluorine-based, pulsed-RF plasma etch.

摘要翻译： 具有与电介质层（诸如二氧化硅）交错的硅层的多层叠层用非腐蚀性工艺气体化学等离子体蚀刻。 氟源气体的蚀刻等离子体，例如通常仅适用于介电层的SF6和/或NF3，通过脉冲RF激励，以实现硅/二氧化硅双层堆叠的高纵横比蚀刻，而不加入腐蚀性气体，例如 HBr或Cl2。 在实施例中，掩模开口蚀刻和多层叠层蚀刻在相同的等离子体处理室中进行，从而能够实现用于图案化这种多层叠层的单室单配方解决方案。 在实施例中，使用采用氟基脉冲RF等离子体蚀刻的存储器插头和/或字线分离蚀刻来制造3D NAND存储器单元。

公开(公告)号：US08603921B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US13190392

申请日：2011-07-25

申请人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

发明人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/76805 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898

摘要： One or more openings in an organic mask layer deposited on a first insulating layer over a substrate are formed. One or more openings in the first insulating layer are formed through the openings in the organic mask using a first iodine containing gas. An antireflective layer can be deposited on the organic mask layer. One or more openings in the antireflective layer are formed down to the organic mask layer using a second iodine containing gas. The first insulating layer can be deposited on a second insulating layer over the substrate. One or more openings in the second insulating layer can be formed using a third iodine containing gas.

摘要翻译： 形成在衬底上沉积在第一绝缘层上的有机掩模层中的一个或多个开口。 使用第一含碘气体，通过有机掩模中的开口形成第一绝缘层中的一个或多个开口。 可以在有机掩模层上沉积抗反射层。 使用第二含碘气体，将抗反射层中的一个或多个开口形成为有机掩模层。 第一绝缘层可沉积在衬底上的第二绝缘层上。 可以使用第三含碘气体来形成第二绝缘层中的一个或多个开口。

公开(公告)号：US20130122707A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13656589

申请日：2012-10-19

申请人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

发明人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02118 ,  B05D1/62 ,  B05D5/00 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337

摘要： Methods of polymer deposition for forming reduced critical dimensions are described. In one embodiment, a substrate is provided into a chamber, the substrate having a patterned layer disposed on an underlying layer formed thereon. The patterned layer includes a plurality of openings, each opening having a sidewall, a bottom, and a critical dimension. A gas mixture is provided into the chamber, the gas mixture having an etching gas and a polymer control gas. The polymer control gas includes a polymerizing fluorocarbon CxFy gas and a C—H bond containing gas. A plasma is formed with the gas mixture and a conformal polymer layer is deposited in the presence of the plasma on the patterned layer to form a reduced critical dimension in each opening. The reduced critical dimension is smaller than the corresponding critical dimension of the opening.

摘要翻译： 描述了用于形成降低的临界尺寸的聚合物沉积的方法。 在一个实施例中，将衬底提供到腔室中，衬底具有设置在其上形成的下层上的图案层。 图案化层包括多个开口，每个开口具有侧壁，底部和临界尺寸。 气体混合物被提供到室中，气体混合物具有蚀刻气体和聚合物控制气体。 聚合物控制气体包括聚合碳氟化合物CxFy气体和含C-H键的气体。 用气体混合物形成等离子体，并且在等离子体存在下在图案化层上沉积保形聚合物层，以在每个开口中形成减小的临界尺寸。 减小的临界尺寸小于开口的相应临界尺寸。

公开(公告)号：US09129911B2

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US14168350

申请日：2014-01-30

申请人： Kenny Linh Doan ,  Jong Mun Kim ,  Daisuke Shimizu

发明人： Kenny Linh Doan ,  Jong Mun Kim ,  Daisuke Shimizu

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/314 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/31122 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

摘要： Boron-doped carbon-based hardmask etch processing is described. In an example, a method of patterning a film includes etching a boron-doped amorphous carbon layer with a plasma based on a combination of CH4/N2/O2 and a flourine-rich source such as, but not limited to, CF4, SF6 or C2F6.

摘要翻译： 描述了硼掺杂的碳基硬掩模蚀刻处理。 在一个示例中，图案化膜的方法包括基于CH 4 / N 2 / O 2和富含富含氟化物源（例如但不限于CF 4，SF 6或SF 4）的组合，用等离子体蚀刻硼掺杂的无定形碳层 C2F6。

公开(公告)号：US20140213059A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：US14168350

申请日：2014-01-30

申请人： Kenny Linh Doan ,  Jong Mun Kim ,  Daisuke Shimizu

发明人： Kenny Linh Doan ,  Jong Mun Kim ,  Daisuke Shimizu

IPC分类号： H01L21/033

CPC分类号： H01L21/31122 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

摘要： Boron-doped carbon-based hardmask etch processing is described. In an example, a method of patterning a film includes etching a boron-doped amorphous carbon layer with a plasma based on a combination of CH4/N2/O2 and a flourine-rich source such as, but not limited to, CF4, SF6 or C2F6.

摘要翻译： 描述了硼掺杂的碳基硬掩模蚀刻处理。 在一个示例中，图案化膜的方法包括基于CH 4 / N 2 / O 2和富含富含氟化物源（例如但不限于CF 4，SF 6或SF 4）的组合，用等离子体蚀刻硼掺杂的无定形碳层 C2F6。

公开(公告)号：US20130029484A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13190392

申请日：2011-07-25

申请人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

发明人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

IPC分类号： H01L21/768 ,  C23F1/08 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/76805 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898

摘要： One or more openings in an organic mask layer deposited on a first insulating layer over a substrate are formed. One or more openings in the first insulating layer are formed through the openings in the organic mask using a first iodine containing gas. An antireflective layer can be deposited on the organic mask layer. One or more openings in the antireflective layer are formed down to the organic mask layer using a second iodine containing gas. The first insulating layer can be deposited on a second insulating layer over the substrate. One or more openings in the second insulating layer can be formed using a third iodine containing gas.

摘要翻译： 形成在衬底上沉积在第一绝缘层上的有机掩模层中的一个或多个开口。 使用第一含碘气体，通过有机掩模中的开口形成第一绝缘层中的一个或多个开口。 可以在有机掩模层上沉积抗反射层。 使用第二含碘气体，将抗反射层中的一个或多个开口形成为有机掩模层。 第一绝缘层可沉积在衬底上的第二绝缘层上。 可以使用第三含碘气体来形成第二绝缘层中的一个或多个开口。

公开(公告)号：US20070247075A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11490936

申请日：2006-07-21

申请人： Jong Mun Kim ,  Jingbao Liu ,  Bryan Y. Pu

发明人： Jong Mun Kim ,  Jingbao Liu ,  Bryan Y. Pu

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： H01J37/321 ,  H01J37/3244

摘要： A plasma etch reactor for plasma enhanced etching of a workpiece such as a semiconductor wafer includes a housing defining a process chamber, a workpiece support configured to support a workpiece within the chamber during processing and comprising a plasma bias power electrode. The reactor further includes a first process gas inlet coupled to receive predominantly or pure oxygen gas and a second process gas inlet coupled to receive a polymerizing etch process gas. The reactor has a ceiling plasma source power electrode including a center circular gas disperser configured to receive a process gas from the first process gas inlet and to distribute the process gas into the chamber over the workpiece, and an inner annular gas disperser centered around the center gas disperser configured to receive the process gas from the second process gas inlet and to distribute the process gas into the chamber over the workpiece through an inner plurality of injection ports.

摘要翻译： 用于等离子体等离子体蚀刻反应器对诸如半导体晶片的工件进行增强蚀刻，包括限定处理室的壳体，被配置为在处理期间支撑室内的工件并包括等离子体偏置功率电极的工件支撑件。 反应器还包括耦合以接收主要或纯氧气的第一工艺气体入口和耦合以接收聚合蚀刻工艺气体的第二工艺气体入口。 反应器具有天花板等离子体源功率电极，其包括中心圆形气体分散器，该中心圆形气体分散器构造成从第一工艺气体入口接收工艺气体并将工艺气体分配到工件上方的室中，并且以中心为中心的内部环形气体分散器 气体分散器被配置为从第二处理气体入口接收处理气体，并且通过内部多个注入口将工艺气体分配到工件上方的腔室中。

公开(公告)号：US08668837B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US13455354

申请日：2012-04-25

申请人： Kenny Linh Doan ,  Jong Mun Kim

发明人： Kenny Linh Doan ,  Jong Mun Kim

IPC分类号： C03C15/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/6831 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109

摘要： A method for etching a substrate includes etching at least one first layer of the substrate with a non-uniform substrate temperature and etching at least one second layer of the substrate with uniform substrate temperatures.

摘要翻译： 蚀刻衬底的方法包括以不均匀的衬底温度蚀刻衬底的至少一个第一层并且蚀刻具有均匀衬底温度的衬底的至少一个第二层。

公开(公告)号：US20130224960A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13882272

申请日：2011-10-27

申请人： Jairaj Payyapilly ,  Jong Mun Kim ,  Kenny Doan ,  Li Ling

发明人： Jairaj Payyapilly ,  Jong Mun Kim ,  Kenny Doan ,  Li Ling

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/31116

摘要： Methods for etching an oxide layer disposed on a substrate through a patterned layer defining one or more features to be etched into the oxide layer are provided herein. In some embodiments, a method for etching an oxide layer disposed on a substrate through a patterned layer defining one or more features to be etched into the oxide layer may include: etching the oxide layer through the patterned layer using a process gas comprising a polymer forming gas and an oxygen containing gas to form the one or more features in the oxide layer; and pulsing at least one of the polymer forming gas or the oxygen containing gas for at least a portion of etching the oxide layer to control a dimension of the one or more features.

摘要翻译： 本文提供了通过限定一个或多个要蚀刻到氧化物层中的特征的图案化层来蚀刻设置在衬底上的氧化物层的方法。 在一些实施例中，通过限定要蚀刻到氧化物层中的一个或多个特征的图案化层蚀刻设置在衬底上的氧化物层的方法可以包括：使用包含形成聚合物的聚合物的工艺气体蚀刻氧化物层通过图案化层 气体和含氧气体以形成氧化物层中的一个或多个特征; 并且脉冲至少一种聚合物形成气体或含氧气体用于蚀刻氧化物层的至少一部分以控制一个或多个特征的尺寸。