公开(公告)号：US20130122707A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13656589

申请日：2012-10-19

申请人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

发明人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02118 ,  B05D1/62 ,  B05D5/00 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337

摘要： Methods of polymer deposition for forming reduced critical dimensions are described. In one embodiment, a substrate is provided into a chamber, the substrate having a patterned layer disposed on an underlying layer formed thereon. The patterned layer includes a plurality of openings, each opening having a sidewall, a bottom, and a critical dimension. A gas mixture is provided into the chamber, the gas mixture having an etching gas and a polymer control gas. The polymer control gas includes a polymerizing fluorocarbon CxFy gas and a C—H bond containing gas. A plasma is formed with the gas mixture and a conformal polymer layer is deposited in the presence of the plasma on the patterned layer to form a reduced critical dimension in each opening. The reduced critical dimension is smaller than the corresponding critical dimension of the opening.

摘要翻译： 描述了用于形成降低的临界尺寸的聚合物沉积的方法。 在一个实施例中，将衬底提供到腔室中，衬底具有设置在其上形成的下层上的图案层。 图案化层包括多个开口，每个开口具有侧壁，底部和临界尺寸。 气体混合物被提供到室中，气体混合物具有蚀刻气体和聚合物控制气体。 聚合物控制气体包括聚合碳氟化合物CxFy气体和含C-H键的气体。 用气体混合物形成等离子体，并且在等离子体存在下在图案化层上沉积保形聚合物层，以在每个开口中形成减小的临界尺寸。 减小的临界尺寸小于开口的相应临界尺寸。

公开(公告)号：US20140065824A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US14071591

申请日：2013-11-04

申请人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

发明人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76805 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898

摘要： One or more openings in an organic mask layer deposited on a first insulating layer over a substrate are formed. One or more openings in the first insulating layer are formed through the openings in the organic mask using a first iodine containing gas. An antireflective layer can be deposited on the organic mask layer. One or more openings in the antireflective layer are formed down to the organic mask layer using a second iodine containing gas. The first insulating layer can be deposited on a second insulating layer over the substrate. One or more openings in the second insulating layer can be formed using a third iodine containing gas.

摘要翻译： 形成在衬底上沉积在第一绝缘层上的有机掩模层中的一个或多个开口。 使用第一含碘气体，通过有机掩模中的开口形成第一绝缘层中的一个或多个开口。 可以在有机掩模层上沉积抗反射层。 使用第二含碘气体，将抗反射层中的一个或多个开口形成为有机掩模层。 第一绝缘层可沉积在衬底上的第二绝缘层上。 可以使用第三含碘气体来形成第二绝缘层中的一个或多个开口。

公开(公告)号：US20160086771A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：US14960196

申请日：2015-12-04

申请人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

发明人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81C1/00531 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

摘要： Multilayered stacks having layers of silicon interleaved with layers of a dielectric, such as silicon dioxide, are plasma etched with non-corrosive process gas chemistries. Etching plasmas of fluorine source gases, such as SF6 and/or NF3 typically only suitable for dielectric layers, are energized by pulsed RF to achieve high aspect ratio etching of silicon/silicon dioxide bi-layers stacks without the addition of corrosive gases, such as HBr or Cl2. In embodiments, a mask open etch and the multi-layered stack etch are performed in a same plasma processing chamber enabling a single chamber, single recipe solution for patterning such multi-layered stacks. In embodiments, 3D NAND memory cells are fabricated with memory plug and/or word line separation etches employing a fluorine-based, pulsed-RF plasma etch.

摘要翻译： 具有与电介质层（诸如二氧化硅）交错的硅层的多层叠层用非腐蚀性工艺气体化学等离子体蚀刻。 氟源气体的蚀刻等离子体，例如通常仅适用于介电层的SF6和/或NF3，通过脉冲RF激励，以实现硅/二氧化硅双层堆叠的高纵横比蚀刻，而不加入腐蚀性气体，例如 HBr或Cl2。 在实施例中，掩模开口蚀刻和多层叠层蚀刻在相同的等离子体处理室中进行，从而能够实现用于图案化这种多层叠层的单室单配方解决方案。 在实施例中，使用采用氟基脉冲RF等离子体蚀刻的存储器插头和/或字线分离蚀刻来制造3D NAND存储器单元。

公开(公告)号：US08603921B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US13190392

申请日：2011-07-25

申请人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

发明人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/76805 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898

摘要： One or more openings in an organic mask layer deposited on a first insulating layer over a substrate are formed. One or more openings in the first insulating layer are formed through the openings in the organic mask using a first iodine containing gas. An antireflective layer can be deposited on the organic mask layer. One or more openings in the antireflective layer are formed down to the organic mask layer using a second iodine containing gas. The first insulating layer can be deposited on a second insulating layer over the substrate. One or more openings in the second insulating layer can be formed using a third iodine containing gas.

摘要翻译： 形成在衬底上沉积在第一绝缘层上的有机掩模层中的一个或多个开口。 使用第一含碘气体，通过有机掩模中的开口形成第一绝缘层中的一个或多个开口。 可以在有机掩模层上沉积抗反射层。 使用第二含碘气体，将抗反射层中的一个或多个开口形成为有机掩模层。 第一绝缘层可沉积在衬底上的第二绝缘层上。 可以使用第三含碘气体来形成第二绝缘层中的一个或多个开口。

公开(公告)号：US09129911B2

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US14168350

申请日：2014-01-30

申请人： Kenny Linh Doan ,  Jong Mun Kim ,  Daisuke Shimizu

发明人： Kenny Linh Doan ,  Jong Mun Kim ,  Daisuke Shimizu

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/314 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/31122 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

摘要： Boron-doped carbon-based hardmask etch processing is described. In an example, a method of patterning a film includes etching a boron-doped amorphous carbon layer with a plasma based on a combination of CH4/N2/O2 and a flourine-rich source such as, but not limited to, CF4, SF6 or C2F6.

摘要翻译： 描述了硼掺杂的碳基硬掩模蚀刻处理。 在一个示例中，图案化膜的方法包括基于CH 4 / N 2 / O 2和富含富含氟化物源（例如但不限于CF 4，SF 6或SF 4）的组合，用等离子体蚀刻硼掺杂的无定形碳层 C2F6。

公开(公告)号：US20140213059A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：US14168350

申请日：2014-01-30

申请人： Kenny Linh Doan ,  Jong Mun Kim ,  Daisuke Shimizu

发明人： Kenny Linh Doan ,  Jong Mun Kim ,  Daisuke Shimizu

IPC分类号： H01L21/033

CPC分类号： H01L21/31122 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

摘要： Boron-doped carbon-based hardmask etch processing is described. In an example, a method of patterning a film includes etching a boron-doped amorphous carbon layer with a plasma based on a combination of CH4/N2/O2 and a flourine-rich source such as, but not limited to, CF4, SF6 or C2F6.

摘要翻译： 描述了硼掺杂的碳基硬掩模蚀刻处理。 在一个示例中，图案化膜的方法包括基于CH 4 / N 2 / O 2和富含富含氟化物源（例如但不限于CF 4，SF 6或SF 4）的组合，用等离子体蚀刻硼掺杂的无定形碳层 C2F6。

公开(公告)号：US20130029484A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13190392

申请日：2011-07-25

申请人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

发明人： Daisuke Shimizu ,  Jong Mun Kim

IPC分类号： H01L21/768 ,  C23F1/08 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/76805 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898

摘要： One or more openings in an organic mask layer deposited on a first insulating layer over a substrate are formed. One or more openings in the first insulating layer are formed through the openings in the organic mask using a first iodine containing gas. An antireflective layer can be deposited on the organic mask layer. One or more openings in the antireflective layer are formed down to the organic mask layer using a second iodine containing gas. The first insulating layer can be deposited on a second insulating layer over the substrate. One or more openings in the second insulating layer can be formed using a third iodine containing gas.

摘要翻译： 形成在衬底上沉积在第一绝缘层上的有机掩模层中的一个或多个开口。 使用第一含碘气体，通过有机掩模中的开口形成第一绝缘层中的一个或多个开口。 可以在有机掩模层上沉积抗反射层。 使用第二含碘气体，将抗反射层中的一个或多个开口形成为有机掩模层。 第一绝缘层可沉积在衬底上的第二绝缘层上。 可以使用第三含碘气体来形成第二绝缘层中的一个或多个开口。

公开(公告)号：US08205849B2

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US12396742

申请日：2009-03-03

申请人： Daisuke Shimizu

发明人： Daisuke Shimizu

IPC分类号： A47G29/00

CPC分类号： F16M11/10 ,  F16M11/18 ,  F16M11/2014 ,  F16M2200/08 ,  Y10S248/917 ,  Y10S248/919 ,  Y10S248/923

摘要： This display screen turning apparatus includes a first support member of metal supporting a display screen portion and a second support member of metal supporting the first support member to be anteroposteriorly rotatable by a prescribed angle with respect to a vertical plane, and either the first support member or the second support member has a receiving hole, while either the second support member or the first support member integrally has a platelike support shaft of metal inserted into the receiving hole.

摘要翻译： 该显示屏幕转动装置包括支撑显示屏部分的金属的第一支撑构件和支撑第一支撑构件的金属的第二支撑构件，以相对于垂直平面前后旋转预定角度，以及第一支撑构件 或第二支撑构件具有接收孔，而第二支撑构件或第一支撑构件整体地具有插入到容纳孔中的金属板状支撑轴。

公开(公告)号：US07940428B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US11652038

申请日：2007-01-11

申请人： Daisuke Shimizu

发明人： Daisuke Shimizu

IPC分类号： B41C1/02 ,  G06K15/22 ,  B65H7/02 ,  B65H1/08

CPC分类号： B65H1/14 ,  B65H2402/31 ,  B65H2403/40 ,  B65H2403/51 ,  B65H2405/11162

摘要： A push-up member of this image generating apparatus includes a first push-up member integrally having a first assembly engaging portion provided between a first spring clip portion and a first engaging portion and a second push-up member integrally having a second assembly engaging portion rotatably engaging with the first assembly engaging portion, and the first engaging portion and the second engaging portion are engaged with each other in assembling by engaging the first assembly engaging portion and the second assembly engaging portion with each other while mounting first and second ends of a spring member on the first push-up member and the second push-up member respectively and rotating the second push-up member about the engaging position between the first assembly engaging portion and the second assembly engaging portion against urging force of the spring member.

摘要翻译： 该图像产生装置的上推构件包括第一上推构件，该第一上推构件整体地具有设置在第一弹簧夹部分和第一接合部分之间的第一组合接合部分和一体地具有第二组合接合部分的第二上推构件 可旋转地与第一组合件接合部分接合，并且第一接合部分和第二接合部分通过将第一组件接合部分和第二组件接合部分彼此接合而相互接合，同时安装第一和第二接合部分的第一和第二端部 分别在第一上推构件和第二上推构件上弹性构件，并且克服弹簧构件的推压力使第二上推构件围绕第一组合件接合部分和第二组合件接合部分之间的接合位置旋转。

公开(公告)号：US07644920B2

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11217314

申请日：2005-09-02

申请人： Daisuke Takasaka ,  Koichi Chikumoto ,  Daisuke Shimizu

发明人： Daisuke Takasaka ,  Koichi Chikumoto ,  Daisuke Shimizu

IPC分类号： B65H9/16

CPC分类号： B65H3/5215 ,  B65H3/06 ,  B65H2511/22

摘要： The image forming apparatus includes a chassis, a paper guide, a paper feed roller, and a paper supply portion from which the paper feed roller is configured to supply paper. The paper guide is supported within the chassis and has a base portion and a first separation portion that projects from the base portion. The paper feed roller is rotatably supported by the chassis. The paper supply portion has a guide projection on its first lateral side portion. The widthwise center of the paper feed roller is offset toward the first lateral side relative to the widthwise center of the first separation portion.

摘要翻译： 图像形成装置包括底盘，纸张引导件，进纸辊和供纸部，供纸辊从该供纸部构成供纸。 纸引导件支撑在底盘内，并且具有从基部突出的基部和第一分离部。 供纸辊由底盘可旋转地支撑。 供纸部在其第一侧面侧具有引导突起。 供纸辊的宽度方向中心相对于第一分离部分的宽度方向中心偏向第一侧面。