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    THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
    1.
    发明申请
    THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
    薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

    公开(公告)号：US20130005082A1

    公开(公告)日：2013-01-03

    申请号：US13608981

    申请日：2012-09-10

    申请人： Do-Hyun KIM ,  Je-Hun LEE ,  Pil-Sang YUN ,  Dong-Hoon LEE ,  Bong-Kyun KIM

    发明人： Do-Hyun KIM ,  Je-Hun LEE ,  Pil-Sang YUN ,  Dong-Hoon LEE ,  Bong-Kyun KIM

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L29/7869

    摘要： A thin film transistor array substrate having a high charge mobility and that can raise a threshold voltage, and a method of fabricating the thin film transistor array substrate are provided. The thin film transistor array substrate includes: an insulating substrate; a gate electrode formed on the insulating substrate; an oxide semiconductor layer comprising a lower oxide layer formed on the gate electrode and an upper oxide layer formed on the lower oxide layer, such that the oxygen concentration of the upper oxide layer is higher than the oxygen concentration of the lower oxide layer; and a source electrode and a drain electrode formed on the oxide semiconductor layer and separated from each other.

    摘要翻译： 提供具有高电荷迁移率并且可以提高阈值电压的薄膜晶体管阵列基板，以及制造薄膜晶体管阵列基板的方法。 薄膜晶体管阵列基板包括：绝缘基板; 形成在所述绝缘基板上的栅电极; 氧化物半导体层，其包括形成在所述栅电极上的低氧化物层和形成在所述低氧化物层上的上氧化物层，使得所述上氧化物层的氧浓度高于所述低氧化物层的氧浓度; 以及形成在氧化物半导体层上并且彼此分离的源电极和漏电极。

    DISPLAY SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    3.
    发明申请
    DISPLAY SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
    显示基板及其制造方法

    公开(公告)号：US20100155715A1

    公开(公告)日：2010-06-24

    申请号：US12393521

    申请日：2009-02-26

    申请人： Pil-Sang YUN ,  Do-Hyun KIM ,  Byeong-Beom KIM ,  Bong-Kyun KIM

    发明人： Pil-Sang YUN ,  Do-Hyun KIM ,  Byeong-Beom KIM ,  Bong-Kyun KIM

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78642

    摘要： A display substrate according to the present invention comprises a gate line formed on a substrate. a data line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line respectively and pixel electrode connected to the thin film transistor, wherein a channel of the thin film transistor is formed in a direction perpendicular to the substrate and, a layer where the channel is formed includes an oxide semiconductor pattern. ON current of thin film transistor of the display substrate can be increased without loss of aperture ratio.

    摘要翻译： 根据本发明的显示基板包括形成在基板上的栅极线。 数据线，连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管以及与薄膜晶体管连接的像素电极，其中薄膜晶体管的沟道在垂直于衬底的方向上形成，层 沟道形成包括氧化物半导体图案。 可以在不损失开口率的情况下增加显示基板的薄膜晶体管的导通电流。

    METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL
    5.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL 有权
    制造薄膜晶体管阵列的方法

    公开(公告)号：US20120135555A1

    公开(公告)日：2012-05-31

    申请号：US13157806

    申请日：2011-06-10

    申请人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Yang Ho BAE ,  Jean Ho SONG ,  O. Sung SEO ,  Sun-Young HONG ,  Hwa Yeul OH ,  Bong-Kyun KIM ,  Nam Seok SUH ,  Dong-Ju YANG ,  Wang Woo LEE

    发明人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Yang Ho BAE ,  Jean Ho SONG ,  O. Sung SEO ,  Sun-Young HONG ,  Hwa Yeul OH ,  Bong-Kyun KIM ,  Nam Seok SUH ,  Dong-Ju YANG ,  Wang Woo LEE

    IPC分类号： H01L33/62

    CPC分类号： H01L21/32134 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

    摘要： A method for manufacturing a thin film transistor array panel, including: sequentially forming a first silicon layer, a second silicon layer, a lower metal layer, and an upper metal layer on a gate insulating layer and a gate line; forming a first film pattern on the upper metal layer; forming a first lower metal pattern and a first upper metal pattern that includes a protrusion, by etching the upper metal layer and the lower metal layer; forming first and second silicon patterns by etching the first and second silicon layers; forming a second film pattern by ashing the first film pattern; forming a second upper metal pattern by etching the first upper metal pattern; forming a data line and a thin film transistor by etching the first lower metal pattern and the first and second silicon patterns; and forming a passivation layer and a pixel electrode on the resultant.

    摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：在栅绝缘层和栅极线上依次形成第一硅层，第二硅层，下金属层和上金属层; 在上金属层上形成第一膜图案; 通过蚀刻上金属层和下金属层，形成第一下金属图案和包括突起的第一上金属图案; 通过蚀刻第一和第二硅层形成第一和第二硅图案; 通过灰化第一膜图案形成第二膜图案; 通过蚀刻第一上金属图案形成第二上金属图案; 通过蚀刻第一下金属图案和第一和第二硅图案来形成数据线和薄膜晶体管; 并在所得物上形成钝化层和像素电极。

    DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    9.
    发明申请
    DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 失效
    显示基板，具有该基板的显示装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20080017864A1

    公开(公告)日：2008-01-24

    申请号：US11616542

    申请日：2006-12-27

    申请人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Hong-Sick PARK ,  Joo-Ae YOUN ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Won-Suk SHIN ,  Doo-Hee JUNG ,  Byeong-Jin LEE

    发明人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Hong-Sick PARK ,  Joo-Ae YOUN ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Won-Suk SHIN ,  Doo-Hee JUNG ,  Byeong-Jin LEE

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136231 ,  H01L27/1288

    摘要： A display substrate includes an insulating substrate, a thin film transistor, a contact electrode, and a pixel electrode. The thin film transistor includes a control electrode, a semiconductor pattern, a first electrode, and a second electrode. The control electrode is on the insulating substrate. The semiconductor pattern is on the control electrode. The first electrode is on the semiconductor pattern. The second electrode is spaced apart from the first electrode on the semiconductor pattern. The contact electrode includes a contact portion and an undercut portion. The contact portion is electrically connected to the second electrode to partially expose the semiconductor pattern. The undercut portion is electrically connected to the contact portion to cover the semiconductor pattern. The pixel electrode is electrically connected to the second electrode through the contact portion of the contact electrode.

    摘要翻译： 显示基板包括绝缘基板，薄膜晶体管，接触电极和像素电极。 薄膜晶体管包括控制电极，半导体图案，第一电极和第二电极。 控制电极在绝缘基板上。 半导体图案在控制电极上。 第一电极位于半导体图案上。 第二电极与半导体图案上的第一电极间隔开。 接触电极包括接触部分和底切部分。 接触部分电连接到第二电极以部分地暴露半导体图案。 底切部分电连接到接触部分以覆盖半导体图案。 像素电极通过接触电极的接触部分电连接到第二电极。