公开(公告)号：US08946025B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US12931516

申请日：2011-02-03

申请人： Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jae-Hyoung Youn ,  Jean-Ho Song ,  Jong-In Kim

发明人： Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jae-Hyoung Youn ,  Jean-Ho Song ,  Jong-In Kim

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L27/14 ,  H01L31/036 ,  H01L23/48 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/124 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a thin film according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming the thin film at a power density in the range of approximately 1.5 to approximately 3 W/cm2 and at a pressure of an inert gas that is in the range of approximately 0.2 to approximately 0.3 Pa. This process results in an amorphous metal thin film barrier layer that prevents undesired diffusion from adjacent layers, even when this barrier layer is thinner than many conventional barrier layers.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施方案的薄膜的形成方法包括以大约1.5至大约3W / cm 2的功率密度和处于该范围内的惰性气体的压力形成薄膜 大约0.2至大约0.3Pa。这个过程产生一个非晶金属薄膜阻挡层，防止相邻层的不期望的扩散，即使该阻挡层比许多传统的阻挡层薄。

公开(公告)号：US08557621B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13157806

申请日：2011-06-10

申请人： Jong-Hyun Choung ,  Yang Ho Bae ,  Jean Ho Song ,  O Sung Seo ,  Sun-Young Hong ,  Hwa Yeul Oh ,  Bong-Kyun Kim ,  Nam Seok Suh ,  Dong-Ju Yang ,  Wang Woo Lee

发明人： Jong-Hyun Choung ,  Yang Ho Bae ,  Jean Ho Song ,  O Sung Seo ,  Sun-Young Hong ,  Hwa Yeul Oh ,  Bong-Kyun Kim ,  Nam Seok Suh ,  Dong-Ju Yang ,  Wang Woo Lee

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/32134 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor array panel, including: sequentially forming a first silicon layer, a second silicon layer, a lower metal layer, and an upper metal layer on a gate insulating layer and a gate line; forming a first film pattern on the upper metal layer; forming a first lower metal pattern and a first upper metal pattern that includes a protrusion, by etching the upper metal layer and the lower metal layer; forming first and second silicon patterns by etching the first and second silicon layers; forming a second film pattern by ashing the first film pattern; forming a second upper metal pattern by etching the first upper metal pattern; forming a data line and a thin film transistor by etching the first lower metal pattern and the first and second silicon patterns; and forming a passivation layer and a pixel electrode on the resultant.

摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：在栅绝缘层和栅极线上依次形成第一硅层，第二硅层，下金属层和上金属层; 在上金属层上形成第一膜图案; 通过蚀刻上金属层和下金属层，形成第一下金属图案和包括突起的第一上金属图案; 通过蚀刻第一和第二硅层形成第一和第二硅图案; 通过灰化第一膜图案形成第二膜图案; 通过蚀刻第一上金属图案形成第二上金属图案; 通过蚀刻第一下金属图案和第一和第二硅图案来形成数据线和薄膜晶体管; 并在所得物上形成钝化层和像素电极。

公开(公告)号：US20120064678A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13069070

申请日：2011-03-22

申请人： Byeong-Jin LEE ,  Yu-Gwang Jeong ,  Dong-Ju Yang ,  Bong-Kyun Kim ,  Hong-Sick Park ,  Byeong-Beom Kim ,  Sang-Gab Kim ,  Ji-Young Park ,  Jean-Ho Song ,  Ki-Yeup Lee ,  Shin-Il Choi

发明人： Byeong-Jin LEE ,  Yu-Gwang Jeong ,  Dong-Ju Yang ,  Bong-Kyun Kim ,  Hong-Sick Park ,  Byeong-Beom Kim ,  Sang-Gab Kim ,  Ji-Young Park ,  Jean-Ho Song ,  Ki-Yeup Lee ,  Shin-Il Choi

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

摘要： A method for manufacturing a TFT array panel includes forming a photosensitive film pattern with first and second parts in first and second sections on a metal layer, etching the metal layer of a third section using the film pattern as a mask to form first and second metal patterns, etching the film pattern to remove the first part, etching first and second amorphous silicon layers of the third section using the second part as a mask to form an amorphous silicon pattern and a semiconductor, etching the first and second metal patterns of the first section using the second part as a mask to form a source electrode and a drain electrode including an upper layer and a lower layer, and etching the amorphous silicon pattern of the region corresponding to the first section by using the second part as a mask to form an ohmic contact.

摘要翻译： 一种TFT阵列板的制造方法，其特征在于，在金属层的第一和第二部分中形成具有第一和第二部分的感光膜图案，使用所述膜图案作为掩模蚀刻第三部分的金属层，以形成第一和第二金属 蚀刻薄膜图案以去除第一部分，使用第二部分作为掩模蚀刻第三部分的第一和第二非晶硅层以形成非晶硅图案和半导体，蚀刻第一部分的第一和第二金属图案 使用第二部分作为掩模形成源电极和包括上层和下层的漏极，并且通过使用第二部分作为掩模来蚀刻与第一部分相对应的区域的非晶硅图案以形成 欧姆接触。

公开(公告)号：US20120028421A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13109686

申请日：2011-05-17

申请人： Dong-Ju YANG ,  Yu-Gwang JEONG ,  Jean-Ho SONG ,  Ki-Yeup LEE ,  Shin-Il CHOI ,  Tae-Woo KIM

发明人： Dong-Ju YANG ,  Yu-Gwang JEONG ,  Jean-Ho SONG ,  Ki-Yeup LEE ,  Shin-Il CHOI ,  Tae-Woo KIM

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L21/32138 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/458

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor array panel includes forming a gate line; forming an insulating layer on the gate line; forming first and second silicon layers first and second metal layers; forming a photoresist pattern having first and second portions; forming first and second metal patterns by etching the first and second metal layers; processing the first metal pattern with SF6 or SF6/He; forming silicon and semiconductor patterns by etching the second and first silicon layers; removing the first portion of the photoresist pattern; forming an upper layer of a data wire by wet etching the second metal pattern; forming a lower layer of the data wire and an ohmic contact by etching the first metal and amorphous silicon patterns; forming a passivation layer including a contact hole on the upper layer; and forming a pixel electrode on the passivation layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管阵列板的制造方法包括：形成栅极线; 在栅极线上形成绝缘层; 第一和第二硅层第一和第二金属层; 形成具有第一和第二部分的光致抗蚀剂图案; 通过蚀刻第一和第二金属层形成第一和第二金属图案; 用SF6或SF6 / He处理第一金属图案; 通过蚀刻第二和第一硅层形成硅和半导体图案; 去除光致抗蚀剂图案的第一部分; 通过湿法蚀刻第二金属图案形成数据线的上层; 通过蚀刻第一金属和非晶硅图案形成数据线的下层和欧姆接触; 在上层形成包括接触孔的钝化层; 以及在所述钝化层上形成像素电极。

公开(公告)号：US08097881B2

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：US12502653

申请日：2009-07-14

申请人： Young-Wook Lee ,  Hong-Suk Yoo ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Youn ,  Jong-In Kim

发明人： Young-Wook Lee ,  Hong-Suk Yoo ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Youn ,  Jong-In Kim

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L27/01 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225

摘要： An oxide semiconductor thin film transistor substrate includes a gate line and a gate electrode disposed on an insulating substrate, an oxide semiconductor pattern disposed adjacent to the gate electrode, a data line electrically insulated from the gate line, the data line and the gate line defining a display region, a first opening exposing a surface of the data line, a second opening exposing a surface of the oxide semiconductor pattern, and a drain electrode disposed on the first opening and a drain electrode pad, the drain electrode extending from the first opening to the second opening and electrically connecting the drain electrode pad and the oxide semiconductor pattern.

摘要翻译： 氧化物半导体薄膜晶体管基板包括栅极线和设置在绝缘基板上的栅电极，邻近栅电极设置的氧化物半导体图案，与栅极线电绝缘的数据线，数据线和限定线 显示区域，暴露数据线的表面的第一开口，暴露氧化物半导体图案的表面的第二开口和设置在第一开口上的漏电极和漏电极焊盘，漏电极从第一开口延伸 到第二开口并电连接漏电极焊盘和氧化物半导体图案。

公开(公告)号：US20110269309A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US12981304

申请日：2010-12-29

申请人： Pil-Soon HONG ,  Gwui-Hyun PARK ,  Jin-Ho JU ,  Jean-Ho SONG ,  Sang-Tae KIM ,  Seong-Hyeon KIM ,  Won-Young CHANG ,  Jong-Heum YOON ,  Eun-Sang LEE ,  Min-Ju IM

发明人： Pil-Soon HONG ,  Gwui-Hyun PARK ,  Jin-Ho JU ,  Jean-Ho SONG ,  Sang-Tae KIM ,  Seong-Hyeon KIM ,  Won-Young CHANG ,  Jong-Heum YOON ,  Eun-Sang LEE ,  Min-Ju IM

IPC分类号： H01L21/3213 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0236 ,  G03F7/085 ,  G03F7/40 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214

摘要： Provided are a photoresist composition having superior adhesion to an etch target film, a method of forming a pattern by using the photoresist composition, and a method of manufacturing a thin-film transistor (TFT) substrate. The photoresist composition includes an alkali-soluble resin; a photosensitive compound; a solvent; and 0.01 to 0.1 parts by weight of a compound represented by Formula 1: wherein R is one of hydrogen, an alkyl having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl having 4 to 8 carbon atoms, and a phenyl group.

摘要翻译： 提供了具有优异的与蚀刻目标膜的粘附性的光致抗蚀剂组合物，通过使用光致抗蚀剂组合物形成图案的方法，以及制造薄膜晶体管（TFT）基板的方法。 光致抗蚀剂组合物包括碱溶性树脂; 光敏化合物; 溶剂; 和0.01〜0.1重量份的由式1表示的化合物：其中R是氢，具有1至10个碳原子的烷基，具有4至8个碳原子的环烷基和苯基之一。

公开(公告)号：US20110226727A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13032563

申请日：2011-02-22

申请人： Nam-Seok SUH ,  Sun-Young HONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Jean-Ho SONG ,  Wang-Woo LEE ,  Do-Won KIM ,  Sang-Woo KIM ,  Won-Guk SEO ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO

发明人： Nam-Seok SUH ,  Sun-Young HONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Jean-Ho SONG ,  Wang-Woo LEE ,  Do-Won KIM ,  Sang-Woo KIM ,  Won-Guk SEO ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO

IPC分类号： C23F1/18 ,  H05K3/06 ,  C23F1/30 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

摘要： Exemplary embodiments of the present invention provide a metal wiring etchant. A metal wiring etchant according to an exemplary embodiment of the present invention includes ammonium persulfate, an organic acid, an ammonium salt, a fluorine-containing compound, a glycol-based compound, and an azole-based compound.

摘要翻译： 本发明的示例性实施方案提供金属线路蚀刻剂。 根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包括过硫酸铵，有机酸，铵盐，含氟化合物，二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：US20110186843A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US12931516

申请日：2011-02-03

申请人： Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jae-Hyoung Youn ,  Jean-Ho Song ,  Jong-In Kim

发明人： Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jae-Hyoung Youn ,  Jean-Ho Song ,  Jong-In Kim

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC分类号： H01L27/124 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a thin film according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming the thin film at a power density in the range of approximately 1.5 to approximately 3 W/cm2 and at a pressure of an inert gas that is in the range of approximately 0.2 to approximately 0.3 Pa. This process results in an amorphous metal thin film barrier layer that prevents undesired diffusion from adjacent layers, even when this barrier layer is thinner than many conventional barrier layers.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施方式的薄膜形成方法包括以大约1.5至大约3W / cm 2的功率密度形成薄膜，并且在惰性气体的压力范围内 大约0.2至大约0.3Pa。这个过程产生一个非晶金属薄膜阻挡层，防止相邻层的不期望的扩散，即使该阻挡层比许多传统的阻挡层更薄。

公开(公告)号：US20060017862A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：US10531829

申请日：2003-08-30

申请人： Jean-Ho Song ,  Joon-Hoo Choi ,  Sung-Hoon Yang ,  Chong-Chul Chai

发明人： Jean-Ho Song ,  Joon-Hoo Choi ,  Sung-Hoon Yang ,  Chong-Chul Chai

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： G06K9/0004 ,  G02F1/13338 ,  G02F2001/13312

摘要： A liquid crystal display device having fingerprint identification device for enhancing aperture ratio and transmissivity of a TFT-LCD panel is disclosed. A fingerprint identification substrate (400) is attached to a TFT substrate (300). The TFI substrate has color-filter-on-array structure in which the color filters (336) and the thin film transistors can be eliminated, the aperture ratio is increased, and the quality of image display is enhanced. In addition, the transmissivity is increased according to the decrease of the number of glass substrate used in the liquid crystal display device, so that the sensitivity of fingerprint identification is enhanced.

摘要翻译： 公开了一种具有用于提高TFT-LCD面板的开口率和透射率的指纹识别装置的液晶显示装置。 指纹识别基板（400）附接到TFT基板（300）。 TFI基板具有彩色滤光器阵列结构，其中可以消除滤色器（336）和薄膜晶体管，孔径比增加，并且图像显示的质量得到提高。 此外，根据液晶显示装置中使用的玻璃基板的数量的减少，透射率增加，从而提高了指纹识别的灵敏度。

公开(公告)号：US08450737B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US12784376

申请日：2010-05-20

申请人： Shin-Il Choi ,  Yu-Gwang Jeong ,  Ki-Yeup Lee ,  Dong-Ju Yang ,  Jean-Ho Song

发明人： Shin-Il Choi ,  Yu-Gwang Jeong ,  Ki-Yeup Lee ,  Dong-Ju Yang ,  Jean-Ho Song

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

摘要： A thin film transistor array panel includes: a substrate; a signal line disposed on the substrate and including copper (Cu); a passivation layer disposed on the signal line and having a contact hole exposing a portion of the signal line; and a conductive layer disposed on the passivation layer and connected to the portion of the signal line through the contact hole, wherein the passivation layer includes an organic passivation layer including an organic insulator that does not include sulfur, and a method of manufacturing the thin film transistor prevents formation of foreign particles on the signal line.

摘要翻译： 薄膜晶体管阵列面板包括：基板; 设置在基板上并包括铜（Cu）的信号线; 钝化层，设置在所述信号线上并具有暴露所述信号线的一部分的接触孔; 以及设置在所述钝化层上并通过所述接触孔连接到所述信号线的所述部分的导电层，其中所述钝化层包括包含不包含硫的有机绝缘体的有机钝化层，以及制造所述薄膜的方法 晶体管防止在信号线上形成异物。