公开(公告)号：US20120156585A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13373484

申请日：2011-11-14

申请人： Faris Modawar ,  Jeff Miller ,  Mike Jura ,  Brian Murphy ,  Marcie Black ,  Brent A. Buchine

发明人： Faris Modawar ,  Jeff Miller ,  Mike Jura ,  Brian Murphy ,  Marcie Black ,  Brent A. Buchine

IPC分类号： H01M4/92 ,  H01M4/86 ,  H01M4/38 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18 ,  C03C25/68 ,  H01M8/10 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L21/3086 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/30604

摘要： A process is provided for etching a silicon-containing substrate. In the process, the surface of the substrate is cleaned. A film of alumina is deposited on the cleaned substrate surface. A silver film is deposited above the film of alumina. An etchant comprising HF is contacted with the silver film.

摘要翻译： 提供了用于蚀刻含硅衬底的工艺。 在该过程中，清洁基板的表面。 氧化铝膜沉积在清洁的基底表面上。 银膜沉积在氧化铝膜的上方。 包含HF的蚀刻剂与银膜接触。

公开(公告)号：US08945794B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US13373484

申请日：2011-11-14

申请人： Faris Modawar ,  Jeff Miller ,  Mike Jura ,  Brian Murphy ,  Marcie Black ,  Brent A. Buchine

发明人： Faris Modawar ,  Jeff Miller ,  Mike Jura ,  Brian Murphy ,  Marcie Black ,  Brent A. Buchine

IPC分类号： H01M4/36 ,  H01B13/00 ,  H01L31/00 ,  H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L21/3086 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/30604

摘要： A process is provided for etching a silicon-containing substrate. In the process, the surface of the substrate is cleaned. A film of alumina is deposited on the cleaned substrate surface. A silver film is deposited above the film of alumina. An etchant comprising HF is contacted with the silver film.

摘要翻译： 提供了用于蚀刻含硅衬底的工艺。 在该过程中，清洁基板的表面。 氧化铝膜沉积在清洁的基底表面上。 银膜沉积在氧化铝膜的上方。 包含HF的蚀刻剂与银膜接触。

公开(公告)号：US08829485B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13353091

申请日：2012-01-18

申请人： Faris Modawar ,  Marcie R. Black ,  Brian Murphy ,  Jeff Miller ,  Mike Jura

发明人： Faris Modawar ,  Marcie R. Black ,  Brian Murphy ,  Jeff Miller ,  Mike Jura

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/035227 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y10S977/762

摘要： Another aspect of the present disclosure relates to a device including a substrate, having a top surface and a bottom surface; an array of nanowires having a base and a top surface, the base contacting the top surface of the substrate; a contacting structure including the same material as the substrate having a non-nanostructured surface of a dimension suitable for forming an electrical contact, located on the same side of the substrate as the array of silicon nanowires; wherein the contacting structure is doped with a greater impurity concentration than the nanowire array, thereby forming a selective emitter.

摘要翻译： 本公开的另一方面涉及包括具有顶表面和底表面的基底的装置; 具有基底和顶表面的纳米线阵列，所述基底接触所述基底的顶表面; 接触结构包括与衬底相同的材料，其具有适于形成电接触的尺寸的非纳米结构化表面，位于与硅纳米线阵列相同的衬底侧; 其中所述接触结构被掺杂有比所述纳米线阵列更大的杂质浓度，由此形成选择性发射极。

公开(公告)号：US09099583B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13353087

申请日：2012-01-18

申请人： Faris Modawar ,  Marcie R. Black ,  Brian Murphy ,  Jeff Miller ,  Mike Jura

发明人： Faris Modawar ,  Marcie R. Black ,  Brian Murphy ,  Jeff Miller ,  Mike Jura

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035227 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y10S977/762

摘要： In one aspect, the present disclosure relates to a device including a silicon substrate, wherein at least a portion of the substrate surface can be a silicon nanowire array; and a layer of alumina covering the silicon nanowire array. In some embodiments, the device can be a solar cell. In some embodiments, the device can be a p-n junction. In some embodiments, the p-n junction can be located below the bottom surface the nanowire array.

摘要翻译： 一方面，本发明涉及包括硅衬底的器件，其中衬底表面的至少一部分可以是硅纳米线阵列; 以及覆盖硅纳米线阵列的氧化铝层。 在一些实施例中，该装置可以是太阳能电池。 在一些实施例中，该装置可以是p-n结。 在一些实施例中，p-n结可以位于纳米线阵列的底表面下方。

公开(公告)号：US20120181502A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13353080

申请日：2012-01-18

申请人： Faris Modawar ,  Marcie R. Black ,  Brian Murphy ,  Jeff Miller ,  Mike Jura

发明人： Faris Modawar ,  Marcie R. Black ,  Brian Murphy ,  Jeff Miller ,  Mike Jura

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L31/035227 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y10S977/762

摘要： In one aspect, the present disclosure relates to a device including a substrate, having a top surface and a bottom surface; an array of nanowires having a base and a top surface, the base contacting the top surface of the substrate; a contacting structure having a non-nanostructured surface, having a top surface and a bottom surface, located on the same side of the substrate as the array of silicon nanowires; and an electrical contact in contact with the top surface of the contacting structure. In some embodiments, the device includes an aluminum oxide passivation layer over the array of nanowires. In some embodiments, the layer of aluminum oxide is deposited via atomic layer deposition.

摘要翻译： 一方面，本发明涉及包括具有顶表面和底表面的基底的装置; 具有基底和顶表面的纳米线阵列，所述基底接触所述基底的顶表面; 具有非纳米结构表面的接触结构，具有顶表面和底表面，位于与硅纳米线阵列相同的衬底侧; 以及与接触结构的顶表面接触的电接触。 在一些实施例中，该器件在纳米线阵列上包括氧化铝钝化层。 在一些实施例中，通过原子层沉积沉积氧化铝层。

公开(公告)号：US20120153251A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13353091

申请日：2012-01-18

申请人： Faris Modawar ,  Marcie R. Black ,  Brian Murphy ,  Jeff Miller ,  Mike Jura

发明人： Faris Modawar ,  Marcie R. Black ,  Brian Murphy ,  Jeff Miller ,  Mike Jura

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20 ,  B82Y99/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L31/035227 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y10S977/762

摘要： Another aspect of the present disclosure relates to a device including a substrate, having a top surface and a bottom surface; an array of nanowires having a base and a top surface, the base contacting the top surface of the substrate; a contacting structure including the same material as the substrate having a non-nanostructured surface of a dimension suitable for forming an electrical contact, located on the same side of the substrate as the array of silicon nanowires; wherein the contacting structure is doped with a greater impurity concentration than the nanowire array, thereby forming a selective emitter.

摘要翻译： 本公开的另一方面涉及包括具有顶表面和底表面的基底的装置; 具有基底和顶表面的纳米线阵列，所述基底接触所述基底的顶表面; 接触结构包括与衬底相同的材料，其具有适于形成电接触的尺寸的非纳米结构化表面，位于与硅纳米线阵列相同的衬底侧; 其中所述接触结构被掺杂有比所述纳米线阵列更大的杂质浓度，由此形成选择性发射极。

公开(公告)号：US20120153250A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13353087

申请日：2012-01-18

申请人： Faris Modawar ,  Marcie R. Black ,  Brian Murphy ,  Jeff Miller ,  Mike Jura

发明人： Faris Modawar ,  Marcie R. Black ,  Brian Murphy ,  Jeff Miller ,  Mike Jura

IPC分类号： H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/035227 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y10S977/762

摘要： In one aspect, the present disclosure relates to a device including a silicon substrate, wherein at least a portion of the substrate surface can be a silicon nanowire array; and a layer of alumina covering the silicon nanowire array. In some embodiments, the device can be a solar cell. In some embodiments, the device can be a p-n junction. In some embodiments, the p-n junction can be located below the bottom surface the nanowire array.

摘要翻译： 一方面，本发明涉及包括硅衬底的器件，其中衬底表面的至少一部分可以是硅纳米线阵列; 以及覆盖硅纳米线阵列的氧化铝层。 在一些实施例中，该装置可以是太阳能电池。 在一些实施例中，该装置可以是p-n结。 在一些实施例中，p-n结可以位于纳米线阵列的底表面下方。

公开(公告)号：US20110024169A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12845557

申请日：2010-07-28

申请人： Brent A. Buchine ,  Jeff Miller ,  Marcie R. Black ,  Faris Modawar

发明人： Brent A. Buchine ,  Jeff Miller ,  Marcie R. Black ,  Faris Modawar

IPC分类号： H05K1/00 ,  C23F1/24 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L31/0352 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/605 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01M4/0492 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/66 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/022

摘要： In an aspect of the invention, a process to make a nanowire array is provided. In the process, silicon is deposited onto a conductive substrate comprising an organic material and optionally a conductive layer, thus forming a silicon-containing layer. Nanoparticles are deposited on top of the silicon-containing layer. Metal is deposited on top of the nanoparticles and silicon in such a way that the metal is present and touches silicon where etching is desired and is blocked from touching silicon or not present elsewhere. The metallized substrate is contacted with an etchant aqueous solution comprising about 2 to about 49 weight percent HF and an oxidizing agent.

摘要翻译： 在本发明的一个方面，提供了制备纳米线阵列的方法。 在该过程中，将硅沉积到包含有机材料和任选的导电层的导电基底上，从而形成含硅层。 纳米颗粒沉积在含硅层的顶部。 金属以这样的方式沉积在纳米颗粒和硅的顶部上，使得金属存在并且接触需要蚀刻的硅并且阻止其接触硅或不存在于其中的硅。 金属化衬底与包含约2至约49重量％的HF和氧化剂的蚀刻剂水溶液接触。

公开(公告)号：US20120301785A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13305649

申请日：2011-11-28

申请人： Brent A. Buchine ,  Faris Modawar ,  Marcie R. Black

发明人： Brent A. Buchine ,  Faris Modawar ,  Marcie R. Black

IPC分类号： H01M4/134 ,  H01M4/04 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/0669 ,  B01J20/10 ,  B01J20/28007 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01M4/0492 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027 ,  Y02E10/50 ,  Y10S977/762

摘要： A process is provided for etching a silicon-containing substrate to form nanowire arrays. In this process, one deposits nanoparticles and a metal film onto the substrate in such a way that the metal is present and touches silicon where etching is desired and is blocked from touching silicon or not present elsewhere. One submerges the metallized substrate into an etchant aqueous solution comprising HF and an oxidizing agent. In this way arrays of nanowires with controlled diameter and length are produced.

摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻含硅衬底以形成纳米线阵列的工艺。 在这个过程中，将纳米颗粒和金属膜以这样的方式将金属纳米沉积到金属膜上，使得存在金属并且接触需要蚀刻的硅并且阻止其接触硅或不存在于其中的硅。 一个将金属化衬底浸入包含HF和氧化剂的蚀刻剂水溶液中。 以这种方式产生具有受控直径和长度的纳米线阵列。

公开(公告)号：US08791449B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US13305649

申请日：2011-11-28

申请人： Brent A. Buchine ,  Faris Modawar ,  Marcie R. Black

发明人： Brent A. Buchine ,  Faris Modawar ,  Marcie R. Black

IPC分类号： H01L29/06 ,  C23C16/24

CPC分类号： H01L29/0669 ,  B01J20/10 ,  B01J20/28007 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01M4/0492 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027 ,  Y02E10/50 ,  Y10S977/762

摘要： A process is provided for etching a silicon-containing substrate to form nanowire arrays. In this process, one deposits nanoparticles and a metal film onto the substrate in such a way that the metal is present and touches silicon where etching is desired and is blocked from touching silicon or not present elsewhere. One submerges the metallized substrate into an etchant aqueous solution comprising HF and an oxidizing agent. In this way arrays of nanowires with controlled diameter and length are produced.

摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻含硅衬底以形成纳米线阵列的工艺。 在这个过程中，将纳米颗粒和金属膜以这样的方式将金属纳米沉积到金属膜上，使得存在金属并且接触需要蚀刻的硅并且阻止其接触硅或不存在于其中的硅。 一个将金属化衬底浸入包含HF和氧化剂的蚀刻剂水溶液中。 以这种方式产生具有受控直径和长度的纳米线阵列。