公开(公告)号：US20060175201A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11052443

申请日：2005-02-07

申请人： Hooman Hafezi ,  Joseph Behnke ,  Aron Rosenfeld ,  Timothy Webb ,  Joseph Yahalom ,  Christopher McGuirk

发明人： Hooman Hafezi ,  Joseph Behnke ,  Aron Rosenfeld ,  Timothy Webb ,  Joseph Yahalom ,  Christopher McGuirk

IPC分类号： C25D5/18

CPC分类号： C25D5/18 ,  C25D5/34 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

摘要： A method for immersing a substrate into a plating solution. In one embodiment, the method includes applying a first waveform to the substrate as the substrate is being immersed into the plating solution, stopping the application of the first waveform to the substrate as soon as the substrate is fully immersed inside the plating solution, and applying a second waveform to the substrate prior to the substrate being situated into a plating position.

摘要翻译： 将基板浸入电镀液中的方法。 在一个实施例中，该方法包括当衬底浸入电镀溶液中时将第一波形施加到衬底，一旦衬底完全浸入电镀溶液中，就停止向衬底施加第一波形，并施加 在衬底位于电镀位置之前的到衬底的第二波形。

公开(公告)号：US20050218000A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US11100344

申请日：2005-04-06

申请人： Hooman Hafezi ,  Joseph Yahalom ,  Roman Mostovoy ,  Bo Zheng ,  Aron Rosenfeld ,  You Wang ,  Nicolay Kovarsky

发明人： Hooman Hafezi ,  Joseph Yahalom ,  Roman Mostovoy ,  Bo Zheng ,  Aron Rosenfeld ,  You Wang ,  Nicolay Kovarsky

IPC分类号： C25D5/54 ,  C25D21/12

CPC分类号： C25D21/12 ,  C25D5/54

摘要： Embodiments of the invention provide a method for conditioning contacts of an electrochemical metal plating system. The method includes deplating the contacts by supplying a reversed biased energy and monitoring electrical measurements of the plating system in real-time such that the endpoint of a deplating process can be determined. In different embodiments, the method includes the use of a constant current or voltage, variable current or voltage, or combinations thereof for conditioning the contacts.

摘要翻译： 本发明的实施例提供一种用于调节电化学金属电镀系统的触点的方法。 该方法包括通过提供反向偏置的能量并实时监测电镀系统的电测量来使触点脱锌，从而可以确定脱镀工艺的端点。 在不同的实施例中，该方法包括使用恒定电流或电压，可变电流或电压或其组合来调节触点。

公开(公告)号：US20060243598A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US11362432

申请日：2006-02-24

申请人： Saravjeet Singh ,  Hooman Hafezi ,  Manoocher Birang ,  Aron Rosenfeld ,  Joseph Behnke

发明人： Saravjeet Singh ,  Hooman Hafezi ,  Manoocher Birang ,  Aron Rosenfeld ,  Joseph Behnke

IPC分类号： C25D3/56

CPC分类号： C25D17/10 ,  C25D5/04 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/002 ,  C25D17/007 ,  C25D17/02 ,  H01L21/2885

摘要： A method and apparatus for plating a metal onto a substrate. One embodiment of the invention provides an apparatus for electrochemically plating a substrate. The apparatus comprises a fluid basin configured to retain a plating solution therein, an anode assembly disposed in the fluid basin, a substrate support member configured to support the substrate and contact the substrate electrically, and an encased auxiliary electrode assembly disposed in the fluid basin. The encased auxiliary electrode assembly generally comprises an auxiliary electrode disposed in a protective tube.

摘要翻译： 一种用于将金属电镀到基底上的方法和装置。 本发明的一个实施例提供了一种用于对基底进行电化学电镀的装置。 该装置包括被配置为在其中保持电镀溶液的流体池，设置在流体池中的阳极组件，被配置为支撑基板并电连接基板的基板支撑构件以及设置在流体池中的封装辅助电极组件。 包封的辅助电极组件通常包括设置在保护管中的辅助电极。

公开(公告)号：US07727364B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11362432

申请日：2006-02-24

申请人： Saravjeet Singh ,  Hooman Hafezi ,  Manoocher Birang ,  Aron Rosenfeld ,  Joseph Behnke

发明人： Saravjeet Singh ,  Hooman Hafezi ,  Manoocher Birang ,  Aron Rosenfeld ,  Joseph Behnke

IPC分类号： C25D17/12 ,  C25D7/12

CPC分类号： C25D17/10 ,  C25D5/04 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/002 ,  C25D17/007 ,  C25D17/02 ,  H01L21/2885

摘要： A method and apparatus for plating a metal onto a substrate. One embodiment of the invention provides an apparatus for electrochemically plating a substrate. The apparatus comprises a fluid basin configured to retain a plating solution therein, an anode assembly disposed in the fluid basin, a substrate support member configured to support the substrate and contact the substrate electrically, and an encased auxiliary electrode assembly disposed in the fluid basin. The encased auxiliary electrode assembly generally comprises an auxiliary electrode disposed in a protective tube.

摘要翻译： 一种用于将金属电镀到基底上的方法和装置。 本发明的一个实施例提供了一种用于对基底进行电化学电镀的装置。 该装置包括被配置为在其中保持电镀溶液的流体池，设置在流体池中的阳极组件，被配置为支撑基板并电连接基板的基板支撑构件以及设置在流体池中的封装辅助电极组件。 包封的辅助电极组件通常包括设置在保护管中的辅助电极。

公开(公告)号：US07981259B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US11452839

申请日：2006-06-14

申请人： Hooman Hafezi ,  Aron Rosenfeld

发明人： Hooman Hafezi ,  Aron Rosenfeld

IPC分类号： C25D5/00 ,  C25D17/00 ,  C25D21/12 ,  B23H7/14 ,  C25B9/00 ,  C25B9/04 ,  C25B15/00 ,  C25C3/16 ,  C25C3/20 ,  C25F7/00

CPC分类号： C25D5/18 ,  C25D17/002 ,  C25D17/007 ,  C25D21/12

摘要： A method and apparatus for adjusting an electric field of an electrochemical processing cell are provided. In one embodiment, a capacitive element is disposed in the processing solution. The strength, shape, or direction of the electric field in the processing solution may be modulated by charging and discharging the capacitive element in a controlled manner. Because the electric field is modulated with out passing a current from the capacitive element to the processing solution, electrochemical reactions do not occur on the interface of the capacitive element and the processing solution, thus, reduces complications caused by unwanted electrochemical reactions.

摘要翻译： 提供了一种用于调整电化学处理单元的电场的方法和装置。 在一个实施例中，电容元件设置在处理溶液中。 可以通过以受控的方式对电容元件充电和放电来调制处理溶液中的电场的强度，形状或方向。 由于电场通过电流从电容元件传递到处理溶液而被调制，所以在电容元件和处理溶液的界面上不会发生电化学反应，从而减少由不需要的电化学反应引起的并发症。

公开(公告)号：US20070052104A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：US11404058

申请日：2006-04-13

申请人： Michael Yang ,  Aron Rosenfeld ,  Hooman Hafezi ,  Zhi-Wen Sun ,  John Dukovic

发明人： Michael Yang ,  Aron Rosenfeld ,  Hooman Hafezi ,  Zhi-Wen Sun ,  John Dukovic

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Generally, the process includes depositing a barrier layer and seed layer on a feature formed in a dielectric layer, performing a grafting process, initiating a copper layer and then filing the feature by use of a bulk copper fill process. Copper features formed according to aspects described herein have desirable adhesion properties to a barrier and seed layers formed on a semiconductor substrate and demonstrate enhanced electromigration and stress migration results in the fabricated devices formed on the substrate.

摘要翻译： 通常，该方法包括在形成在电介质层中的特征上沉积阻挡层和种子层，执行接枝过程，引发铜层，然后通过使用大量铜填充工艺来填充该特征。 根据本文描述的方面形成的铜特征对于形成在半导体衬底上的阻挡层和种子层具有期望的粘合性能，并且证明增强的电迁移和应力迁移导致形成在衬底上的制造器件。

公开(公告)号：US20050109627A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10962236

申请日：2004-10-08

申请人： Zhi-Wen Sun ,  Hooman Hafezi ,  Chunman Yu ,  Aron Rosenfeld ,  Michael Yang

发明人： Zhi-Wen Sun ,  Hooman Hafezi ,  Chunman Yu ,  Aron Rosenfeld ,  Michael Yang

IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C25D3/38 ,  C25D5/10 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

摘要： A method for electrolytically repairing a copper seed layer. The method includes positioning the seed layer in fluid communication with a low conductivity seed layer repair solution, wherein the low conductivity seed layer repair solution includes a copper concentration of less than about 20 g/l, a pH of less than about 4, a chlorine ion concentration of between about 20 ppm and about 100 ppm, and an additive organic surfactant configured to suppress a copper deposition rate in the concentration range of 200 ppm to 2000 ppm. The method further includes applying a seed layer repair bias configured to generate a current density of less than about 5 mA/cm2 across the seed layer and cleaning the repaired seed layer in pure water containing less than 1 ppm chloride ions.

摘要翻译： 一种用于电解修复铜籽晶层的方法。 该方法包括将种子层定位成与低电导种子层修复溶液流体连通，其中低电导种子层修复溶液包括小于约20g / l的铜浓度，小于约4的pH，氯 约20ppm至约100ppm的离子浓度，以及配置为在200ppm至2000ppm的浓度范围内抑制铜沉积速率的添加剂有机表面活性剂。 该方法还包括施加晶种层修复偏压，其被配置成跨越种子层产生小于约5mA / cm 2的电流密度，并且在含有小于1ppm的纯水中清洁修复的种子层 氯离子。

公开(公告)号：US20110259750A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13150850

申请日：2011-06-01

申请人： Hooman Hafezi ,  Aron Rosenfeld ,  Zhi-Wen Sun ,  Hua Chung ,  Lei Zhu

发明人： Hooman Hafezi ,  Aron Rosenfeld ,  Zhi-Wen Sun ,  Hua Chung ,  Lei Zhu

IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D5/02 ,  C25D5/34

CPC分类号： C25D5/34 ,  C25D3/38 ,  C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C25D5/54 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method is disclosed for depositing a copper seed layer onto a substrate surface. In one embodiment, the method includes providing a substrate having a barrier layer disposed on a substrate surface, wherein the barrier layer has a barrier surface comprising a material selected from the group consisting of cobalt, ruthenium, tungsten, titanium, and a compound of two or more thereof, and exposing the substrate to a non-complexed, acid electrochemical plating solution with a plating bias applied across the substrate surface to deposit a copper-containing seed layer directly on the barrier surface without intervening layer disposed therebetween.

摘要翻译： 公开了一种将铜籽晶层沉积在基底表面上的方法。 在一个实施例中，该方法包括提供具有设置在衬底表面上的阻挡层的衬底，其中阻挡层具有包含选自钴，钌，钨，钛和两种化合物的材料的阻挡表面 或更多，并且将衬底暴露于非复合的酸性电化学电镀溶液，其中跨越衬底表面施加电镀偏压，以将含铜种子层直接沉积在阻挡表面上，而不设置介于其间的中间层。

公开(公告)号：US20070289871A1

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：US11452839

申请日：2006-06-14

申请人： Hooman Hafezi ,  Aron Rosenfeld

发明人： Hooman Hafezi ,  Aron Rosenfeld

IPC分类号： C25B9/00 ,  C25D5/00

CPC分类号： C25D5/18 ,  C25D17/002 ,  C25D17/007 ,  C25D21/12

摘要： A method and apparatus for adjusting an electric field of an electrochemical processing cell are provided. In one embodiment, a capacitive element is disposed in the processing solution. The strength, shape, or direction of the electric field in the processing solution may be modulated by charging and discharging the capacitive element in a controlled manner. Because the electric field is modulated with out passing a current from the capacitive element to the processing solution, electrochemical reactions do not occur on the interface of the capacitive element and the processing solution, thus, reduces complications caused by unwanted electrochemical reactions.

摘要翻译： 提供了一种用于调整电化学处理单元的电场的方法和装置。 在一个实施例中，电容元件设置在处理溶液中。 可以通过以受控的方式对电容元件充电和放电来调制处理溶液中的电场的强度，形状或方向。 由于电场通过电流从电容元件传递到处理溶液而被调制，所以在电容元件和处理溶液的界面上不会发生电化学反应，从而减少由不需要的电化学反应引起的并发症。

公开(公告)号：US20060269658A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11403566

申请日：2006-04-13

申请人： Hooman Hafezi ,  Aron Rosenfeld ,  Michael Yang

发明人： Hooman Hafezi ,  Aron Rosenfeld ,  Michael Yang

IPC分类号： H05K3/00

CPC分类号： H01L21/76868 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

摘要： Generally, the process includes depositing a barrier layer on a feature formed in a dielectric layer, decorating the barrier layer with a metal, performing a grafting process, initiating a copper layer and then filing the feature by use of a bulk copper fill process. Copper features formed according to aspects described herein have desirable adhesion properties to a barrier layer formed on a semiconductor substrate and demonstrate enhanced electromigration and stress migration results in the fabricated devices formed on the substrate.

摘要翻译： 通常，该方法包括在形成在电介质层中的特征上沉积阻挡层，用金属装饰阻挡层，进行接枝过程，引发铜层，然后通过使用大块铜填充工艺来填充该特征。 根据本文描述的方面形成的铜特征对于形成在半导体衬底上的阻挡层具有期望的粘合性能，并且证明在形成在衬底上的制造器件中增强的电迁移和应力迁移。