公开(公告)号：US20100155721A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12645433

申请日：2009-12-22

申请人： Je-Hun LEE ,  Tae-Hyung IHN ,  Dong-Hoon LEE ,  Do-Hyun KIM

发明人： Je-Hun LEE ,  Tae-Hyung IHN ,  Dong-Hoon LEE ,  Do-Hyun KIM

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225

摘要： A thin film transistor (TFT) array substrate is provided. The thin film transistor (TFT) array substrate includes an insulating substrate, an oxide semiconductor layer formed on the insulating substrate and including an additive element, a gate electrode overlapping the oxide semiconductor layer, and a gate insulating layer interposed between the oxide semiconductor layer and the gate electrode, wherein the oxygen bond energy of the additive element is greater than that of a base element of the oxide semiconductor layer.

摘要翻译： 提供薄膜晶体管（TFT）阵列基板。 薄膜晶体管（TFT）阵列基板包括绝缘基板，形成在绝缘基板上并包括添加元件的氧化物半导体层，与氧化物半导体层重叠的栅极电极以及介于氧化物半导体层和 所述栅电极，其中所述添加元素的氧键能量大于所述氧化物半导体层的基体元素的氧键能。

公开(公告)号：US20100149476A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12534300

申请日：2009-08-03

申请人： Do-Hyun KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Young-Joo CHOI ,  Hong-Sick PARK ,  Tae-Hyung IHN ,  Dong-Hoon LEE ,  Pil-Sang YUN ,  Je-Hyeong PARK ,  Chang-Oh JEONG ,  Je-Hun LEE ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH

发明人： Do-Hyun KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Young-Joo CHOI ,  Hong-Sick PARK ,  Tae-Hyung IHN ,  Dong-Hoon LEE ,  Pil-Sang YUN ,  Je-Hyeong PARK ,  Chang-Oh JEONG ,  Je-Hun LEE ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH

IPC分类号： G02F1/1333 ,  B05D5/12 ,  B44C1/22

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

摘要： A display substrate includes; a base substrate, a deformation preventing layer disposed on a lower surface of the base substrate, wherein the deformation preventing layer applies a force to the base substrate to prevent the base substrate from bending, a gate line disposed on an upper surface of the base substrate, a data line disposed on the base substrate, and a pixel electrode disposed on the base substrate.

摘要翻译： 显示基板包括： 基底基板，设置在基底基板的下表面的变形防止层，其中变形防止层向基底基板施加力以防止基底基板弯曲，设置在基底基板的上表面上的栅极线 设置在基底基板上的数据线，以及配置在基底基板上的像素电极。

公开(公告)号：US20130005082A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13608981

申请日：2012-09-10

申请人： Do-Hyun KIM ,  Je-Hun LEE ,  Pil-Sang YUN ,  Dong-Hoon LEE ,  Bong-Kyun KIM

发明人： Do-Hyun KIM ,  Je-Hun LEE ,  Pil-Sang YUN ,  Dong-Hoon LEE ,  Bong-Kyun KIM

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor array substrate having a high charge mobility and that can raise a threshold voltage, and a method of fabricating the thin film transistor array substrate are provided. The thin film transistor array substrate includes: an insulating substrate; a gate electrode formed on the insulating substrate; an oxide semiconductor layer comprising a lower oxide layer formed on the gate electrode and an upper oxide layer formed on the lower oxide layer, such that the oxygen concentration of the upper oxide layer is higher than the oxygen concentration of the lower oxide layer; and a source electrode and a drain electrode formed on the oxide semiconductor layer and separated from each other.

摘要翻译： 提供具有高电荷迁移率并且可以提高阈值电压的薄膜晶体管阵列基板，以及制造薄膜晶体管阵列基板的方法。 薄膜晶体管阵列基板包括：绝缘基板; 形成在所述绝缘基板上的栅电极; 氧化物半导体层，其包括形成在所述栅电极上的低氧化物层和形成在所述低氧化物层上的上氧化物层，使得所述上氧化物层的氧浓度高于所述低氧化物层的氧浓度; 以及形成在氧化物半导体层上并且彼此分离的源电极和漏电极。

公开(公告)号：US20130032793A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：US13367061

申请日：2012-02-06

申请人： Do-Hyun KIM ,  Yoon Ho KHANG ,  Dong-Hoon LEE ,  Sang Ho PARK ,  Se Hwan YU ,  Cheol Kyu KIM ,  Yong-Su LEE ,  Sung-Haeng CHO ,  Chong Sup CHANG ,  Dong Jo KIM ,  Jung Kyu LEE

发明人： Do-Hyun KIM ,  Yoon Ho KHANG ,  Dong-Hoon LEE ,  Sang Ho PARK ,  Se Hwan YU ,  Cheol Kyu KIM ,  Yong-Su LEE ,  Sung-Haeng CHO ,  Chong Sup CHANG ,  Dong Jo KIM ,  Jung Kyu LEE

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

摘要： Provided is a thin film transistor array panel. The thin film transistor array panel according to exemplary embodiments of the present invention includes: a gate wiring layer disposed on a substrate; an oxide semiconductor layer disposed on the gate wiring layer; and a data wiring layer disposed on the oxide semiconductor layer, in which the data wiring layer includes a main wiring layer including copper and a capping layer disposed on the main wiring layer and including a copper alloy.

摘要翻译： 提供了一种薄膜晶体管阵列面板。 根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括：设置在基板上的栅极布线层; 设置在所述栅极布线层上的氧化物半导体层; 以及数据布线层，其设置在所述氧化物半导体层上，所述数据布线层包括包含铜的主布线层和设置在所述主布线层上并包括铜合金的覆盖层。

公开(公告)号：US20110147740A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12977853

申请日：2010-12-23

申请人： Ki-Hun JEONG ,  Do-Hyun KIM ,  Dong-Hoon LEE ,  Kap-Soo YOON ,  Jae-Ho CHOI ,  Sung-Hoon YANG ,  Pil-Sang YUN ,  Seung-Mi SEO

发明人： Ki-Hun JEONG ,  Do-Hyun KIM ,  Dong-Hoon LEE ,  Kap-Soo YOON ,  Jae-Ho CHOI ,  Sung-Hoon YANG ,  Pil-Sang YUN ,  Seung-Mi SEO

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633

摘要： The present invention discloses a thin film transistor (TFT), a method for manufacturing the TFT, and a display substrate using the TFT that may prevent degradation of the characteristics of an oxide semiconductor contained in the TFT by blocking external light from entering a channel region of the oxide semiconductor. The TFT comprises an oxide semiconductor layer; a protective layer disposed on the oxide semiconductor layer and overlapping a channel region of the oxide semiconductor layer; an opaque layer disposed between the oxide semiconductor layer and the protective layer; a source electrode contacting a first side of the oxide semiconductor layer; a drain electrode contacting a second side of the oxide semiconductor layer and facing the source electrode with the channel region disposed between the drain electrode and the source electrode; a gate electrode to apply an electric field to the oxide semiconductor layer; and a gate insulating layer disposed between the gate electrode and the oxide semiconductor layer.

摘要翻译： 本发明公开了一种薄膜晶体管（TFT），TFT的制造方法以及使用该TFT的显示基板，其可以防止外部光阻挡进入沟道区域而使TFT中包含的氧化物半导体的特性劣化 的氧化物半导体。 TFT包括氧化物半导体层; 保护层，设置在所述氧化物半导体层上并与所述氧化物半导体层的沟道区域重叠; 设置在所述氧化物半导体层和所述保护层之间的不透明层; 与氧化物半导体层的第一面接触的源电极; 与所述氧化物半导体层的第二面接触且与所述源电极相对的漏电极，所述沟道区域设置在所述漏电极和所述源电极之间; 用于向氧化物半导体层施加电场的栅电极; 以及设置在栅电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层。

公开(公告)号：US20100148169A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12498816

申请日：2009-07-07

申请人： Do-Hyun KIM ,  Pil-Sang YUN ,  Ki-Won KIM ,  Dong-Hoon LEE ,  Chang-Oh JEONG

发明人： Do-Hyun KIM ,  Pil-Sang YUN ,  Ki-Won KIM ,  Dong-Hoon LEE ,  Chang-Oh JEONG

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

摘要： A thin-film transistor (TFT) substrate has improved electrical properties and reduced appearance defects and a method of fabricating the TFT substrate, are provided. The TFT substrate includes: gate wiring which is formed on a surface of an insulating substrate; oxide active layer patterns which are formed on the gate wiring and include an oxide of a first material; buffer layer patterns which are disposed on the oxide active layer patterns to directly contact the oxide active layer patterns and include a second material; and data wiring which is formed on the buffer layer patterns to insulatedly cross the gate wiring, wherein a Gibbs free energy of the oxide of the first material is lower than a Gibbs free energy of an oxide of the second material.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）基板具有改善的电性能和减少的外观缺陷以及制造TFT基板的方法。 TFT基板包括：形成在绝缘基板的表面上的栅极布线; 氧化物活性层图案，其形成在栅极布线上并且包括第一材料的氧化物; 缓冲层图案，其设置在所述氧化物活性层图案上以直接接触所述氧化物活性层图案并且包括第二材料; 以及形成在所述缓冲层图案上以绝缘地穿过所述栅极布线的数据布线，其中所述第一材料的氧化物的吉布斯自由能低于所述第二材料的氧化物的吉布斯自由能。

公开(公告)号：US20100122543A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12620721

申请日：2009-11-18

申请人： Dong-Hoon LEE ,  Dong-Hoon Lee ,  Tae-Hee LEE

发明人： Dong-Hoon LEE ,  Dong-Hoon Lee ,  Tae-Hee LEE

IPC分类号： F25C1/22 ,  F25C5/02

CPC分类号： F25C5/08 ,  F25C2305/022 ,  F25C2400/10 ,  F25C2500/06 ,  F25C2700/12 ,  F25C2700/14 ,  F25D2317/061

摘要： A refrigerator includes an ice maker positioned in the refrigerator and configured to make ice. The refrigerator also includes a plate positioned at an open side of the ice making tray and configured to reduce water overflow. The refrigerator further includes a cool air inlet passage configured to allow cool air to be introduced to an area inside of the plate. In addition, the refrigerator includes a cool air outlet passage that is separate from the cool air inlet passage, and configured to allow release of cool air from the area inside of the plate to an exterior of the plate.

摘要翻译： 冰箱包括位于冰箱中的制冰机，其构造成制冰。 冰箱还包括位于制冰盘的开口侧的板，并且被配置为减少水溢出。 冰箱还包括冷空气入口通道，其构造成允许冷空气被引入到板内部的区域。 此外，冰箱包括与冷空气入口通道分离的冷空气出口通道，并且构造成允许冷空气从板内部的区域释放到板的外部。

公开(公告)号：US20090293509A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12470615

申请日：2009-05-22

申请人： Yong-Su KIM ,  Dong-Hoon LEE ,  Kyung-Han JEONG ,  Kwang-Ha SUH

发明人： Yong-Su KIM ,  Dong-Hoon LEE ,  Kyung-Han JEONG ,  Kwang-Ha SUH

IPC分类号： F25C5/08

CPC分类号： F25C5/187 ,  F25D21/04 ,  F25D29/005 ,  F25D2400/02

摘要： A method of detecting an amount of ice stored in a storage bin made by an ice maker of a refrigerator, the method comprises applying heat to the ice detecting sensor of the ice maker, detecting an amount stored in the storage bin, and controlling heat application according to the detected amount. The ice maker has an ice detecting sensor attached thereto. A sensor heater provides the heat.

摘要翻译： 一种检测由冰箱的制冰机制成的存储箱中存储的冰量的方法，所述方法包括向制冰机的冰检测传感器施加热量，检测存储在存储箱中的量并控制热应用 根据检测到的量。 制冰机附有冰检测传感器。 传感器加热器提供热量。

公开(公告)号：US20120286259A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13431448

申请日：2012-03-27

申请人： Jae-Woo PARK ,  Dong-Hoon LEE ,  Sung-Haeng CHO ,  Woo-Geun LEE ,  Kap-Soo YOON

发明人： Jae-Woo PARK ,  Dong-Hoon LEE ,  Sung-Haeng CHO ,  Woo-Geun LEE ,  Kap-Soo YOON

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969

摘要： Exemplary embodiments of the present invention provide a display substrate including a gate electrode, an oxide semiconductor pattern, a source electrode, a drain electrode, and an etch stop pattern. The gate electrode may be disposed on a base substrate. The oxide semiconductor pattern may be disposed over the gate electrode. The source electrode may be disposed on the oxide semiconductor pattern. The drain electrode may be disposed on the oxide semiconductor pattern and spaced apart from the source electrode. The etch stop pattern may be disposed over the gate electrode, the etch stop pattern may be overlapping a space between the source electrode and the drain electrode and may include a metal oxide. The reliability of the display substrate may, therefore, be improved.

摘要翻译： 本发明的示例性实施例提供了包括栅电极，氧化物半导体图案，源电极，漏电极和蚀刻停止图案的显示基板。 栅电极可以设置在基底基板上。 氧化物半导体图案可以设置在栅极上。 源极可以设置在氧化物半导体图案上。 漏极可以设置在氧化物半导体图案上并与源电极间隔开。 蚀刻停止图案可以设置在栅电极之上，蚀刻停止图案可以与源电极和漏电极之间的空间重叠，并且可以包括金属氧化物。 因此，可以提高显示基板的可靠性。

公开(公告)号：US20110228207A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13069277

申请日：2011-03-22

申请人： Seung-Kyu LEE ,  Dong-Wook KIM ,  Chul-Ho KIM ,  Dong-Hoon LEE

发明人： Seung-Kyu LEE ,  Dong-Wook KIM ,  Chul-Ho KIM ,  Dong-Hoon LEE

IPC分类号： G02F1/1339 ,  B05D5/12 ,  B05D5/06 ,  B05D3/06 ,  B05D3/02

CPC分类号： G02F1/133351 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/133788 ,  G02F1/13394 ,  G02F2001/133742

摘要： A liquid crystal display (LCD) device and a method of manufacturing the same are disclosed. The liquid crystal display device includes: a plurality of cell regions including a first substrate upon which a pixel electrode is formed, a second substrate upon which a common electrode is formed, and a liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate, and a cutting region formed between the plurality of cell regions, and including the first substrate and the second substrate extended from the plurality of cell regions, and at least one peripheral spacer interposed between the first substrate and the second substrate, where the peripheral spacer contacts at least one of the first and second substrates.

摘要翻译： 公开了一种液晶显示器（LCD）装置及其制造方法。 液晶显示装置包括：多个单元区域，包括形成有像素电极的第一基板，形成有公共电极的第二基板和插入在第一基板和第二基板之间的液晶层， 以及形成在所述多个单元区域之间并且包括从所述多个单元区域延伸的所述第一基板和所述第二基板的切割区域以及插入在所述第一基板和所述第二基板之间的至少一个外围间隔件，其中所述外围间隔件接触 所述第一和第二基板中的至少一个。