公开(公告)号：US5453153A

公开(公告)日：1995-09-26

申请号：US849632

申请日：1992-03-05

申请人： John C. C. Fan ,  Paul M. Zavracky ,  Jagdish Narayan ,  Lisa P. Allen ,  Duy-Phach Vu ,  Ngwe K. Cheong

发明人： John C. C. Fan ,  Paul M. Zavracky ,  Jagdish Narayan ,  Lisa P. Allen ,  Duy-Phach Vu ,  Ngwe K. Cheong

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B13/00

CPC分类号： H01L21/2022

摘要： An improved method of zone-melting recrystallizing of a silicon film on an insulator in which the film is implanted and annealed to achieve a reduction of the density of defects within the film.

摘要翻译： 在绝缘体上进行区域熔融重结晶的改进方法，其中膜被注入和退火以实现薄膜内的缺陷密度的降低。

公开(公告)号：US4885052A

公开(公告)日：1989-12-05

申请号：US120016

申请日：1987-11-13

申请人： John C. C. Fan ,  Paul M. Zavracky ,  Jagdish Narayan ,  Lisa P. Allen ,  Duy-Phach Vu

发明人： John C. C. Fan ,  Paul M. Zavracky ,  Jagdish Narayan ,  Lisa P. Allen ,  Duy-Phach Vu

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/2022

摘要： An improved method of zone-melting and recrystallizing of polysilicon film on an insulator over silicon is described.

摘要翻译： 描述了一种在硅上绝缘体上多层膜分层熔融和重结晶的改进方法。

公开(公告)号：US5021119A

公开(公告)日：1991-06-04

申请号：US600246

申请日：1990-10-18

申请人： John C.C. Fan ,  Paul M. Zavracky ,  Jagdish Narayan ,  Lisa P. Allen ,  Duy-Phach Vu

发明人： John C.C. Fan ,  Paul M. Zavracky ,  Jagdish Narayan ,  Lisa P. Allen ,  Duy-Phach Vu

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/2022

摘要： A method for reducing defects after zone melting and recrystallization of semiconductor films formed on an insulator over a semiconductor substrate by selectively removing portion of a first layer over the semiconductor film, amorphizing the exposed film portion and laterally regrowing the amorphized region.

摘要翻译： 通过选择性地去除半导体膜上的第一层的部分，使暴露的膜部分非晶化并横向再生无定形区域来减少在半导体衬底上的绝缘体上形成的半导体膜的区域熔融和再结晶之后的缺陷的方法。

公开(公告)号：US4944835A

公开(公告)日：1990-07-31

申请号：US330458

申请日：1989-03-30

申请人： Lisa P. Allen ,  Duy-Phach Vu ,  Michael W. Batty ,  Richard H. Morrision, Jr. ,  Paul M. Zavracky

发明人： Lisa P. Allen ,  Duy-Phach Vu ,  Michael W. Batty ,  Richard H. Morrision, Jr. ,  Paul M. Zavracky

IPC分类号： C30B13/00 ,  C30B13/16

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B13/16 ,  Y10S117/902 ,  Y10S117/913

摘要： An improved method of forming seed openings for zone-melting and recrystallization of polysilicon film on an insulator over silicon (SOI) is described. This method comprises forming a narrow discontinuous pattern of seed openings formed by an overlapping sub-pattern of discontinuous shaped openings. Alternatively, in an edge bead seed embodiment, a resist is removed from an SOI precursor structure, comprising an insulator on an Si wafer, thus exposing the peripheral edge of the insulator. The exposed insulator is then also removed to provide a peripheral edge seed opening to the underlying Si wafer.

摘要翻译： 描述了一种用于在硅上的绝缘体上形成用于多晶硅膜的区域熔融和重结晶的种子开口的改进方法（SOI）。 该方法包括形成由不连续形状的开口的重叠子图形形成的种子开口的窄不连续图案。 或者，在边缘珠种子实施例中，从SOI前体结构去除抗蚀剂，其包括在Si晶片上的绝缘体，从而暴露绝缘体的周边边缘。 然后也去除暴露的绝缘体，以向下面的Si晶片提供外围边缘种子开口。

公开(公告)号：US5705424A

公开(公告)日：1998-01-06

申请号：US215555

申请日：1994-03-21

申请人： Paul M. Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Matthew Zavracky ,  Mark B. Spitzer

发明人： Paul M. Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Matthew Zavracky ,  Mark B. Spitzer

IPC分类号： G02F1/136 ,  G02B27/00 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1347 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H04N5/74 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC分类号： A61B3/113 ,  G02B27/0093 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78648 ,  H04N5/7441 ,  H04N9/3105 ,  H04N9/312 ,  H04N9/3141 ,  H04N9/3144 ,  H05B33/12 ,  G02B2027/0198 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/13473 ,  G02F1/136209 ,  G02F2001/13613 ,  G02F2202/105 ,  G02F2203/01 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0259 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/04 ,  G09G2370/042 ,  G09G3/2014 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78618 ,  H04N5/70 ,  H04N5/74 ,  H04N5/7491 ,  Y10S438/977

摘要： The present invention relates to methods of fabricating pixel electrodes for active matrix displays including the formation of arrays of transistor circuits in thin film silicon on an insulating substrate and transfer of this active matrix circuit onto an optically transmissive substrate. An array of color filter elements can be formed prior to transfer of the active matrix circuit that are aligned between a light source for the display and the array of pixel electrodes to provide a color display.

摘要翻译： 本发明涉及制造用于有源矩阵显示器的像素电极的方法，包括在绝缘衬底上形成薄膜硅中晶体管电路的阵列并将该有源矩阵电路传送到光学透射衬底上。 可以在转移有源矩阵电路之前形成彩色滤光片元件阵列，该有源矩阵电路在用于显示器的光源和像素电极阵列之间对齐以提供彩色显示。

公开(公告)号：US5976953A

公开(公告)日：1999-11-02

申请号：US986998

申请日：1997-12-08

申请人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

发明人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/98 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S148/164

摘要： A multi-layered structure is fabricated in which a microprocessor is configured in different layers and interconnected vertically through insulating layers which separate each circuit layer of the structure. Each circuit layer can be fabricated in a separate wafer or thin film material and then transferred onto the layered structure and interconnected.

公开(公告)号：US5793115A

公开(公告)日：1998-08-11

申请号：US315027

申请日：1994-09-29

申请人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

发明人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/98 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L23/48 ,  H01L21/18 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S148/164

摘要： A multi-layered structure is fabricated in which a microprocessor is configured in different layers and interconnected vertically through insulating layers which separate each circuit layer of the structure. Each circuit layer can be fabricated in a separate wafer or thin film material and then transferred onto the layered structure and interconnected.

公开(公告)号：US5258325A

公开(公告)日：1993-11-02

申请号：US834849

申请日：1992-02-13

申请人： Mark B. Spitzer ,  Jack P. Salerno ,  Jeffrey Jacobsen ,  Brenda Dingle ,  Duy-Phach Vu ,  Paul M. Zavracky

发明人： Mark B. Spitzer ,  Jack P. Salerno ,  Jeffrey Jacobsen ,  Brenda Dingle ,  Duy-Phach Vu ,  Paul M. Zavracky

IPC分类号： A61B3/113 ,  G02B5/30 ,  G02B27/00 ,  G02B27/01 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1347 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/36 ,  H01L21/77 ,  H01L21/822 ,  H01L21/84 ,  H01L21/98 ,  H01L25/075 ,  H01L25/10 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/42 ,  H04N5/70 ,  H04N5/74 ,  H05B33/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC分类号： A61B3/113 ,  G02B27/0093 ,  G02B27/0172 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136209 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L21/8221 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/10 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H04N5/7441 ,  H04N9/3141 ,  H05B33/12 ,  G02B2027/0132 ,  G02B2027/0138 ,  G02B2027/0187 ,  G02B2027/0198 ,  G02B5/30 ,  G02F1/13336 ,  G02F2001/13613 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/042 ,  G09G3/32 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/423 ,  H04N5/70 ,  H04N5/7491 ,  Y10T29/41

摘要： The invention relates to device processing, packaging and interconnects that will yield integrated electronic circuitry of high density and complexity. Processes include the formation of complex multi-function circuitry on common module substrates using circuit tiles of silicon thin-films which are transferred, interconnected and packaged. Circuit modules using integrated transfer/interconnect processes compatible with extremely high density and complexity provide large-area active-matrix displays with on-board drivers and logic in modules.

摘要翻译： 本发明涉及将产生高密度和复杂性的集成电子电路的设备处理，封装和互连。 过程包括使用传输，互连和封装的硅薄膜的电路板在共同的模块衬底上形成复杂的多功能电路。 使用与极高密度和复杂性相兼容的集成传输/互连处理的电路模块提供具有板载驱动器和模块逻辑的大面积有源矩阵显示器。

公开(公告)号：US5656548A

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：US531177

申请日：1995-09-19

申请人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

发明人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/98 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S148/164

摘要： A multi-layered structure is fabricated in which a microprocessor is configured in different layers and interconnected vertically through insulating layers which separate each circuit layer of the structure. Each circuit layer can be fabricated in a separate wafer or thin film material and then transferred onto the layered structure and interconnected.

摘要翻译： 制造多层结构，其中微处理器被配置在不同的层中，并且通过隔离结构的每个电路层的绝缘层垂直互连。 每个电路层可以制造在单独的晶片或薄膜材料中，然后转移到分层结构上并互连。

公开(公告)号：US5539550A

公开(公告)日：1996-07-23

申请号：US119292

申请日：1993-09-09

申请人： Mark B. Spitzer ,  Jack P. Salerno ,  Jeffrey Jacobsen ,  Brenda Dingle ,  Duy-Phach Vu ,  Paul M. Zavracky

发明人： Mark B. Spitzer ,  Jack P. Salerno ,  Jeffrey Jacobsen ,  Brenda Dingle ,  Duy-Phach Vu ,  Paul M. Zavracky

IPC分类号： A61B3/113 ,  G02B5/30 ,  G02B27/00 ,  G02B27/01 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1347 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/36 ,  H01L21/77 ,  H01L21/822 ,  H01L21/84 ,  H01L21/98 ,  H01L25/075 ,  H01L25/10 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/42 ,  H04N5/70 ,  H04N5/74 ,  H05B33/12

CPC分类号： A61B3/113 ,  G02B27/0093 ,  G02B27/0172 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136209 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L21/8221 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/10 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H04N5/7441 ,  H04N9/3141 ,  H05B33/12 ,  G02B2027/0132 ,  G02B2027/0138 ,  G02B2027/0187 ,  G02B2027/0198 ,  G02B5/30 ,  G02F1/13336 ,  G02F2001/13613 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/042 ,  G09G3/32 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/423 ,  H04N5/70 ,  H04N5/7491 ,  Y10T29/41

摘要： Circuit modules including complex multi-function circuitry on common module substrates using circuit tiles of silicon thin-films which are transferred, interconnected and packaged. The modules include integrated transfer/interconnects with extremely high density and complexity with large-area active-matrix liquid crystal displays and on-board drivers and logic in glass-based modules.

摘要翻译： 电路模块包括使用传输，互连和封装的硅薄膜电路板的公共模块基板上的复杂多功能电路。 这些模块包括具有极高密度和复杂性的集成传输/互连，大面积有源矩阵液晶显示器和板载驱动器以及基于玻璃的模块中的逻辑。