公开(公告)号：US08377798B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12943281

申请日：2010-11-10

申请人： Jung-Huei Peng ,  Hsin-Ting Huang ,  Yao-Te Huang ,  Shang-Ying Tsai ,  Ping-Yin Liu

发明人： Jung-Huei Peng ,  Hsin-Ting Huang ,  Yao-Te Huang ,  Shang-Ying Tsai ,  Ping-Yin Liu

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L25/0657 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/2782 ,  H01L2224/2783 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/29617 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/29647 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83014 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2224/83

摘要： A method for wafer to wafer bonding in semiconductor packaging provides for roughening the bonding surfaces in one embodiment. Also provided is a method for passivating the bonding surfaces with a lower melting point material that becomes forced away from the bonding interface during bonding. Also provided is a method for forming an eutectic at the bonding interface to reduce the impact of any native oxide formation at the bonding interface.

摘要翻译： 在一个实施例中，用于半导体封装中的晶片到晶片结合的方法提供了使结合表面粗糙化的方法。 还提供了一种用于在接合期间被迫离开接合界面的较低熔点材料钝化接合表面的方法。 还提供了在键合界面处形成共晶的方法，以减少接合界面处的任何自然氧化物形成的影响。

公开(公告)号：US08735260B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US12966756

申请日：2010-12-13

申请人： Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Hsin-Ting Huang ,  Hung-Hua Lin ,  Ming-Tung Wu ,  Ping-Yin Liu ,  Yao-Te Huang ,  Yuan-Chih Hsieh

发明人： Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Hsin-Ting Huang ,  Hung-Hua Lin ,  Ming-Tung Wu ,  Ping-Yin Liu ,  Yao-Te Huang ,  Yuan-Chih Hsieh

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： B81C1/00333 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00825 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0109 ,  H01L2924/16235

摘要： The present disclosure provide a method of manufacturing a microelectronic device. The method includes forming a bonding pad on a first substrate; forming wiring pads on the first substrate; forming a protection material layer on the first substrate, on sidewalls and top surfaces of the wiring pads, and on sidewalls of the bonding pad, such that a top surface of the bonding pad is at least partially exposed; bonding the first substrate to a second substrate through the bonding pad; opening the second substrate to expose the wiring pads; and removing the protection material layer.

摘要翻译： 本公开提供了一种制造微电子器件的方法。 该方法包括在第一基板上形成接合焊盘; 在所述第一基板上形成布线焊盘; 在所述第一基板上，在所述布线焊盘的侧壁和顶表面上以及所述焊盘的侧壁上形成保护材料层，使得所述焊盘的顶表面至少部分地露出; 通过接合焊盘将第一衬底接合到第二衬底; 打开第二基板以露出布线垫; 并去除保护材料层。

公开(公告)号：US20130037891A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13206014

申请日：2011-08-09

申请人： Hsin-Ting Huang ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Yao-Te Huang ,  Ming-Tung Wu ,  Ping-Yin Liu ,  Xin-Hua Huang ,  Yuan-Chih Hsieh

发明人： Hsin-Ting Huang ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Yao-Te Huang ,  Ming-Tung Wu ,  Ping-Yin Liu ,  Xin-Hua Huang ,  Yuan-Chih Hsieh

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/02

CPC分类号： B81C1/00777 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00896 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05552

摘要： The present disclosure provides a method including providing a first substrate; and forming a microelectromechanical system (MEMS) device on a first surface of the first substrate. A bond pad is formed on at least one bonding site on the first surface of the first substrate. The bonding site is recessed from the first surface. Thus, a top surface of the bond pad may lie below the plane of the top surface of the substrate. A device with recessed connective element(s) (e.g., bond pad) is also described. In further embodiments, a protective layer is formed on the recessed connective element during dicing of a substrate.

摘要翻译： 本公开提供了一种方法，包括提供第一基板; 以及在所述第一基板的第一表面上形成微机电系统（MEMS）装置。 在第一基板的第一表面上的至少一个结合部位上形成接合焊盘。 接合部位从第一表面凹陷。 因此，接合焊盘的顶表面可以位于衬底的顶表面的平面之下。 还描述了具有凹入的连接元件（例如，接合焊盘）的器件。 在另外的实施例中，在衬底切割期间，在凹入的连接元件上形成保护层。

公开(公告)号：US08580594B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13206014

申请日：2011-08-09

申请人： Hsin-Ting Huang ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Yao-Te Huang ,  Ming-Tung Wu ,  Ping-Yin Liu ,  Xin-Hua Huang ,  Yuan-Chih Hsieh

发明人： Hsin-Ting Huang ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Yao-Te Huang ,  Ming-Tung Wu ,  Ping-Yin Liu ,  Xin-Hua Huang ,  Yuan-Chih Hsieh

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： B81C1/00777 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00896 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05552

摘要： The present disclosure provides a method including providing a first substrate; and forming a microelectromechanical system (MEMS) device on a first surface of the first substrate. A bond pad is formed on at least one bonding site on the first surface of the first substrate. The bonding site is recessed from the first surface. Thus, a top surface of the bond pad may lie below the plane of the top surface of the substrate. A device with recessed connective element(s) (e.g., bond pad) is also described. In further embodiments, a protective layer is formed on the recessed connective element during dicing of a substrate.

摘要翻译： 本公开提供了一种方法，包括提供第一基板; 以及在所述第一基板的第一表面上形成微机电系统（MEMS）装置。 在第一基板的第一表面上的至少一个结合部位上形成接合焊盘。 接合部位从第一表面凹陷。 因此，接合焊盘的顶表面可以位于衬底的顶表面的平面之下。 还描述了具有凹入的连接元件（例如，接合焊盘）的器件。 在另外的实施例中，在衬底切割期间，在凹入的连接元件上形成保护层。

公开(公告)号：US20120149152A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US12966756

申请日：2010-12-13

申请人： Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Hsin-Ting Huang ,  Hung-Hua Lin ,  Ming-Tung Wu ,  Ping-Yin Liu ,  Yao-Te Huang ,  Yuan-Chih Hsieh

发明人： Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Hsin-Ting Huang ,  Hung-Hua Lin ,  Ming-Tung Wu ,  Ping-Yin Liu ,  Yao-Te Huang ,  Yuan-Chih Hsieh

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： B81C1/00333 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00825 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0109 ,  H01L2924/16235

摘要： The present disclosure provide a method of manufacturing a microelectronic device. The method includes forming a bonding pad on a first substrate; forming wiring pads on the first substrate; forming a protection material layer on the first substrate, on sidewalls and top surfaces of the wiring pads, and on sidewalls of the bonding pad, such that a top surface of the bonding pad is at least partially exposed; bonding the first substrate to a second substrate through the bonding pad; opening the second substrate to expose the wiring pads; and removing the protection material layer.

摘要翻译： 本公开提供了一种制造微电子器件的方法。 该方法包括在第一基板上形成接合焊盘; 在所述第一基板上形成布线焊盘; 在所述第一基板上，在所述布线焊盘的侧壁和顶表面上以及所述焊盘的侧壁上形成保护材料层，使得所述焊盘的顶表面至少部分地露出; 通过接合焊盘将第一衬底接合到第二衬底; 打开第二基板以露出布线垫; 并去除保护材料层。

公开(公告)号：US08905293B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US12964347

申请日：2010-12-09

申请人： Ping-Yin Liu ,  Li-Cheng Chu ,  Hung-Hua Lin ,  Shang-Ying Tsai ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Jung-Huei Peng ,  Lan-Lin Chao ,  Chia-Shiung Tsai ,  Chun-Wen Cheng

发明人： Ping-Yin Liu ,  Li-Cheng Chu ,  Hung-Hua Lin ,  Shang-Ying Tsai ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Jung-Huei Peng ,  Lan-Lin Chao ,  Chia-Shiung Tsai ,  Chun-Wen Cheng

IPC分类号： B23K1/20 ,  B32B15/04 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B32B7/12 ,  B32B15/043 ,  B32B15/20 ,  B32B2255/24 ,  B32B2307/746 ,  B32B2457/00 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/112 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12986

摘要： A bond free of an anti-stiction layer and bonding method is disclosed. An exemplary method includes forming a first bonding layer; forming an interlayer over the first bonding layer; forming an anti-stiction layer over the interlayer; and forming a liquid from the first bonding layer and interlayer, such that the anti-stiction layer floats over the first bonding layer. A second bonding layer can be bonded to the first bonding layer while the anti-stiction layer floats over the first bonding layer, such that a bond between the first and second bonding layers is free of the anti-stiction layer.

摘要翻译： 公开了没有抗静电层和粘合方法的键。 一种示例性方法包括形成第一粘合层; 在所述第一接合层上形成中间层; 在中间层上形成抗静电层; 以及从所述第一接合层和中间层形成液体，使得所述抗静电层浮在所述第一接合层上。 第二接合层可以结合到第一接合层，同时抗静电层漂浮在第一接合层上，使得第一和第二接合层之间的接合没有抗静电层。

公开(公告)号：US20120148870A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US12964347

申请日：2010-12-09

申请人： Ping-Yin Liu ,  Li-Cheng Chu ,  Hung-Hua Lin ,  Shang-Ying Tsai ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Jung-Huei Peng ,  Lan-Lin Chao ,  Chia-Shiung Tsai ,  Chun-Wen Cheng

发明人： Ping-Yin Liu ,  Li-Cheng Chu ,  Hung-Hua Lin ,  Shang-Ying Tsai ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Jung-Huei Peng ,  Lan-Lin Chao ,  Chia-Shiung Tsai ,  Chun-Wen Cheng

IPC分类号： B32B15/01 ,  B23K1/20 ,  B32B15/04

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B32B7/12 ,  B32B15/043 ,  B32B15/20 ,  B32B2255/24 ,  B32B2307/746 ,  B32B2457/00 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/112 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12986

摘要： A bond free of an anti-stiction layer and bonding method is disclosed. An exemplary method includes forming a first bonding layer; forming an interlayer over the first bonding layer; forming an anti-stiction layer over the interlayer; and forming a liquid from the first bonding layer and interlayer, such that the anti-stiction layer floats over the first bonding layer. A second bonding layer can be bonded to the first bonding layer while the anti-stiction layer floats over the first bonding layer, such that a bond between the first and second bonding layers is free of the anti-stiction layer.

摘要翻译： 公开了没有抗静电层和粘合方法的键。 一种示例性方法包括形成第一粘合层; 在所述第一接合层上形成中间层; 在中间层上形成抗静电层; 以及从所述第一接合层和中间层形成液体，使得所述抗静电层浮在所述第一接合层上。 第二接合层可以结合到第一接合层，同时抗静电层漂浮在第一接合层上，使得第一和第二接合层之间的接合没有抗静电层。

公开(公告)号：US20130099355A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13280075

申请日：2011-10-24

申请人： Ping-Yin Liu ,  Xin-Hua Huang ,  Hsin-Ting Huang ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Jung-Huei Peng ,  Lan-Lin Chao ,  Chia-Shiung Tsai ,  Chun-Wen Cheng

发明人： Ping-Yin Liu ,  Xin-Hua Huang ,  Hsin-Ting Huang ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Jung-Huei Peng ,  Lan-Lin Chao ,  Chia-Shiung Tsai ,  Chun-Wen Cheng

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： B81B7/0058 ,  B81B3/0005 ,  B81B3/0021 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00793 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0109 ,  H01G5/16 ,  H01L28/60

摘要： A method includes forming a MEMS device, forming a bond layer adjacent the MEMS device, and forming a protection layer over the bond layer. The steps of forming the bond layer and the protection layer include in-situ deposition of the bond layer and the protection layer

公开(公告)号：US09054121B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US13280075

申请日：2011-10-24

申请人： Ping-Yin Liu ,  Xin-Hua Huang ,  Hsin-Ting Huang ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Jung-Huei Peng ,  Lan-Lin Chao ,  Chia-Shiung Tsai ,  Chun-Wen Cheng

发明人： Ping-Yin Liu ,  Xin-Hua Huang ,  Hsin-Ting Huang ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Jung-Huei Peng ,  Lan-Lin Chao ,  Chia-Shiung Tsai ,  Chun-Wen Cheng

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L49/02 ,  B81C1/00 ,  H01G5/16

CPC分类号： B81B7/0058 ,  B81B3/0005 ,  B81B3/0021 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00793 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0109 ,  H01G5/16 ,  H01L28/60

摘要： A method includes forming a MEMS device, forming a bond layer adjacent the MEMS device, and forming a protection layer over the bond layer. The steps of forming the bond layer and the protection layer include in-situ deposition of the bond layer and the protection layer.

摘要翻译： 一种方法包括形成MEMS器件，形成与MEMS器件相邻的接合层，并在接合层上形成保护层。 形成接合层和保护层的步骤包括接合层和保护层的原位沉积。

公开(公告)号：US08728845B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13071334

申请日：2011-03-24

申请人： Shih-Wei Lin ,  Ping-Yin Liu ,  Lan-Lin Chao ,  Jung-Huei Peng ,  Chia-Shiung Tsai

发明人： Shih-Wei Lin ,  Ping-Yin Liu ,  Lan-Lin Chao ,  Jung-Huei Peng ,  Chia-Shiung Tsai

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： B81B3/0005 ,  B81C1/00269

摘要： The present disclosure provides various methods for removing an anti-stiction layer. An exemplary method includes forming an anti-stiction layer over a substrate, including over a first substrate region of a first material and a second substrate region of a second material, wherein the second material is different than the first material; and selectively removing the anti-stiction layer from the second substrate region of the second material without using a mask.

摘要翻译： 本公开提供了用于去除抗静电层的各种方法。 一种示例性方法包括在衬底上形成抗静电层，包括在第一材料的第一衬底区域和第二材料的第二衬底区域上，其中第二材料不同于第一材料; 并且不使用掩模，从第二材料的第二基板区域选择性地去除抗静电层。