公开(公告)号：US07629252B2

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US11318137

申请日：2005-12-23

申请人： Kevin P. O'Brien ,  Chin-Chang Cheng ,  Ramanan V. Chebiam ,  Valery M. Dubin ,  Sridhar Balakrishnan

发明人： Kevin P. O'Brien ,  Chin-Chang Cheng ,  Ramanan V. Chebiam ,  Valery M. Dubin ,  Sridhar Balakrishnan

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76843 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76874

摘要： Methods of fabricating interconnect structures utilizing barrier material layers formed with an electroless deposition technique utilizing a coupling agent complexed with a catalytic metal and structures formed thereby. The fabrication fundamentally comprises providing a dielectric material layer having an opening extending into the dielectric material from a first surface thereof, bonding the coupling agent to the dielectric material within the opening, and electrolessly depositing the barrier material layer, wherein the electrolessly deposited barrier material layer material adheres to the catalytic metal of the coupling agent.

摘要翻译： 使用利用与催化金属复合的偶联剂和由此形成的结构的化学沉积技术形成的阻挡材料层来制造互连结构的方法。 该制造基本上包括提供介电材料层，其具有从其第一表面延伸到电介质材料中的开口，将该耦合剂粘合到该开口内的电介质材料，以及无电沉积阻挡材料层，其中该无电沉积阻挡材料层 材料粘附到偶联剂的催化金属上。

公开(公告)号：US07550385B2

公开(公告)日：2009-06-23

申请号：US11240005

申请日：2005-09-30

申请人： Adrien R. Lavoie ,  Valery M. Dubin ,  Juan E. Dominguez ,  Kevin P. O'Brien ,  Steven W. Johnston ,  John D. Peck ,  David M. Thompson ,  David W. Peters

发明人： Adrien R. Lavoie ,  Valery M. Dubin ,  Juan E. Dominguez ,  Kevin P. O'Brien ,  Steven W. Johnston ,  John D. Peck ,  David M. Thompson ,  David W. Peters

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a metal carbide layer begins with providing a substrate, an organometallic precursor material, at least one doping agent such as nitrogen, and a plasma such as a hydrogen plasma. The substrate is placed within a reaction chamber; and heated. A process cycle is then performed, where the process cycle includes pulsing the organometallic precursor material into the reaction chamber, pulsing the doping agent into the reaction chamber, and pulsing the plasma into the reaction chamber, such that the organometallic precursor material, the doping agent, and the plasma react at the surface of the substrate to form a metal carbide layer. The process cycles can be repeated and varied to form a graded metal carbide layer.

摘要翻译： 形成金属碳化物层的方法开始于提供衬底，有机金属前体材料，至少一种掺杂剂如氮气，以及诸如氢等离子体的等离子体。 将基板放置在反应室内; 并加热。 然后进行处理循环，其中工艺循环包括将有机金属前体材料脉冲到反应室中，将掺杂剂脉冲到反应室中，并将等离子体脉冲到反应室中，使得有机金属前体材料，掺杂剂 并且等离子体在基板表面反应形成金属碳化物层。 可以重复和改变工艺循环以形成渐变的金属碳化物层。

公开(公告)号：US07335587B2

公开(公告)日：2008-02-26

申请号：US11173858

申请日：2005-06-30

申请人： Steven W. Johnston ,  Kevin P. O'Brien ,  Sridhar Balakrishnan

发明人： Steven W. Johnston ,  Kevin P. O'Brien ,  Sridhar Balakrishnan

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/76807

摘要： A method for forming a semiconductor device is disclosed wherein atomic layer deposition (ALD) precursor species and/or by-product absorbed by an ILD are outgassed and/or neutralized prior to subsequently patterning the semiconductor device, thereby improving the ability to accurately define subsequently formed interconnect structures in the ILD.

摘要翻译： 公开了一种用于形成半导体器件的方法，其中在随后对半导体器件进行图案化之前，由ILD吸收的原子层沉积（ALD）前体物质和/或副产物被除气和/或中和，从而提高随后对 在ILD中形成互连结构。

公开(公告)号：US20170053977A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：US15342872

申请日：2016-11-03

申请人： Christopher J. Jezewski ,  Kevin P. O'Brien

发明人： Christopher J. Jezewski ,  Kevin P. O'Brien

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Vertical meander inductors for small core voltage regulators and approaches to fabricating vertical meander inductors for small core voltage regulators are described. For example, a semiconductor die includes a substrate. An integrated circuit is disposed on an active surface of the substrate. An inductor is coupled to the integrated circuit. The inductor is disposed conformal with an insulating layer disposed on an essentially planar surface of the substrate. The insulating layer has an undulating topography.

摘要翻译： 描述了用于小型电压调节器的垂直偏转电感器和用于制造小型电压调节器的垂直偏转电感器的方法。 例如，半导体管芯包括衬底。 集成电路设置在基板的有源表面上。 电感器耦合到集成电路。 电感器设置成与设置在基板的基本上平坦的表面上的绝缘层共形。 绝缘层具有起伏的形貌。

公开(公告)号：US20140084414A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：US13629168

申请日：2012-09-27

申请人： Christopher J. Jezewski ,  Kevin P. O'Brien

发明人： Christopher J. Jezewski ,  Kevin P. O'Brien

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Vertical meander inductors for small core voltage regulators and approaches to fabricating vertical meander inductors for small core voltage regulators are described. For example, a semiconductor die includes a substrate. An integrated circuit is disposed on an active surface of the substrate. An inductor is coupled to the integrated circuit. The inductor is disposed conformal with an insulating layer disposed on an essentially planar surface of the substrate. The insulating layer has an undulating topography.

摘要翻译： 描述了用于小型电压调节器的垂直偏转电感器和用于制造小型电压调节器的垂直偏转电感器的方法。 例如，半导体管芯包括衬底。 集成电路设置在基板的有源表面上。 电感器耦合到集成电路。 电感器设置成与设置在基板的基本上平坦的表面上的绝缘层共形。 绝缘层具有起伏的形貌。

公开(公告)号：US20110260319A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13103267

申请日：2011-05-09

申请人： Shriram Ramanathan ,  Patrick Morrow ,  Scott List ,  Michael Y. Chan ,  Mauro J. Kobrinsky ,  Sarah E. Kim ,  Kevin P. O'Brien ,  Michael C. Harmes ,  Thomas Marieb

发明人： Shriram Ramanathan ,  Patrick Morrow ,  Scott List ,  Michael Y. Chan ,  Mauro J. Kobrinsky ,  Sarah E. Kim ,  Kevin P. O'Brien ,  Michael C. Harmes ,  Thomas Marieb

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041

摘要： Three-dimensional stacked substrate arrangements with reliable bonding and inter-substrate protection.

摘要翻译： 具有可靠接合和衬底保护的三维堆叠衬底布置。

公开(公告)号：US07238604B2

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：US10422432

申请日：2003-04-24

申请人： Grant M. Kloster ,  Kevin P. O'Brien ,  David H. Gracias ,  Hyun-Mog Park ,  Vijayakumar S. Ramachandrarao

发明人： Grant M. Kloster ,  Kevin P. O'Brien ,  David H. Gracias ,  Hyun-Mog Park ,  Vijayakumar S. Ramachandrarao

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76885

摘要： A thin hard mask is formed over a semiconductor substrate. The thin hard mask allows diffusion of a sacrificial material or pore-forming agent therethrough to form an underlying air gap or porous dielectric region. The thin hard mask may be a polymer or an initially porous material that may be later densified. The thin hard mask may be used to prevent etch steps used in forming an unlanded via from reaching layers below the hard mask.

摘要翻译： 在半导体衬底上形成薄的硬掩模。 薄的硬掩模允许牺牲材料或成孔剂通过其扩散以形成下面的气隙或多孔介电区域。 薄的硬掩模可以是聚合物或可以稍后致密化的最初多孔材料。 可以使用薄的硬掩模来防止用于形成未上空通孔的蚀刻步骤到达硬掩模下方的层。

公开(公告)号：US07119019B2

公开(公告)日：2006-10-10

申请号：US10814592

申请日：2004-03-31

申请人： Kevin P. O'Brien ,  Justin K. Brask

发明人： Kevin P. O'Brien ,  Justin K. Brask

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76849 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1666 ,  C23C18/31 ,  H01L21/288

摘要： Capping of copper structures in hydrophobic interlayer dielectric layer, using aqueous electro-less bath is described herein.

摘要翻译： 本文描述了使用水性无电极浴来疏水层间介电层中铜结构的封盖。

公开(公告)号：US07109557B2

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：US10963839

申请日：2004-10-12

申请人： Chris E. Barns ,  Kevin P. O'Brien ,  Anne E. Miller

发明人： Chris E. Barns ,  Kevin P. O'Brien ,  Anne E. Miller

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212

摘要： A method of forming a microelectronic structure and its associated structures is described. In one embodiment, a substrate is provided with a sacrificial layer disposed on a hard mask layer, and a metal layer disposed in a trench of the substrate and on the sacrificial layer. The metal layer is then removed at a first removal rate wherein a dishing is induced on a top surface of the metal layer until the sacrificial layer is exposed, and simultaneously removing the metal layer and the sacrificial layer at a second removal rate without substantially removing the hard mask.

摘要翻译： 描述了形成微电子结构及其相关结构的方法。 在一个实施例中，衬底设置有设置在硬掩模层上的牺牲层，以及设置在衬底的沟槽中和牺牲层上的金属层。 然后以第一去除速率去除金属层，其中在金属层的顶表面上诱导凹陷，直到牺牲层被暴露，同时以第二移除速率去除金属层和牺牲层，而基本上不去除 硬面膜

公开(公告)号：US07029723B2

公开(公告)日：2006-04-18

申请号：US10337524

申请日：2003-01-07

申请人： Tian-An Chen ,  Robert Meagley ,  Kevin P. O'Brien ,  Michael D. Goodner ,  James Powers

发明人： Tian-An Chen ,  Robert Meagley ,  Kevin P. O'Brien ,  Michael D. Goodner ,  James Powers

IPC分类号： C23C16/38 ,  C23C16/28

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

摘要： Carborane may be used as a precursor to form low dielectric constant dielectrics. The carborane material may be modified to enable it to be deposited by chemical vapor deposition.

摘要翻译： 碳硼烷可用作前体以形成低介电常数电介质。 可以修饰碳硼烷材料以使其能够通过化学气相沉积沉积。