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    Silicon recess improvement through improved post implant resist removal and cleans
    1.
    发明授权
    Silicon recess improvement through improved post implant resist removal and cleans 有权
    通过改进的后植入物抗蚀剂去除和清洁来改善硅凹槽

    公开(公告)号：US07371691B2

    公开(公告)日：2008-05-13

    申请号：US10901827

    申请日：2004-07-29

    申请人： Lindsey H. Hall ,  Trace Q. Hurd ,  Deborah J. Riley

    发明人： Lindsey H. Hall ,  Trace Q. Hurd ,  Deborah J. Riley

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/423 ,  G03F7/427 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/6659

    摘要： The present invention provides a process of manufacturing a semiconductor device 200 while reducing silicon loss. In one aspect, the process includes removing a photoresist layer 270 from a semiconductor substrate 235 adjacent a gate 240 and cleaning the semiconductor substrate with a wet clean solution. The removing step includes subjecting the photoresist layer 270 to a plasma ash. The plasma ash removes at least a portion of a crust 275 formed on the photoresist layer 270 but leaves a substantial portion of the photoresist layer 270. The photoresist layer 270 is subjected to a wet etch subsequent to the plasma ash that removes a substantial portion of the photoresist layer 270.

    摘要翻译： 本发明提供一种在减少硅损耗的同时制造半导体器件200的工艺。 在一个方面，该方法包括从邻近门240的半导体衬底235去除光致抗蚀剂层270并用湿清洁溶液清洁半导体衬底。 去除步骤包括使光致抗蚀剂层270经受等离子体灰分。 等离子体灰去除形成在光致抗蚀剂层270上的外壳275的至少一部分，但留下光致抗蚀剂层270的大部分。 光致抗蚀剂层270在等离子体灰之后进行湿法蚀刻，其除去光致抗蚀剂层270的主要部分。

    Recessed drain extensions in transistor device
    4.
    发明授权
    Recessed drain extensions in transistor device 有权
    晶体管器件中的凹槽漏极延伸

    公开(公告)号：US07517779B2

    公开(公告)日：2009-04-14

    申请号：US11772508

    申请日：2007-07-02

    申请人： Lindsey H. Hall

    发明人： Lindsey H. Hall

    IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L29/165 ,  H01L21/823412 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

    摘要： A method of forming an integrated circuit transistor (50). The method provides a first semiconductor region (52) and forms (110) a gate structure (54x) in a fixed position relative to the first semiconductor region. The gate structure has a first sidewall and a second sidewall (59x). The method also forms at least a first layer (58x, 60x) adjacent the first sidewall and the second sidewall. The method also forms (120) at least one recess (62x) in the first semiconductor region and extending laterally outward from the gate structure. Additional steps in the method are first, oxidizing (130) the at least one recess such that an oxidized material is formed therein, second, stripping (140) at least a portion of the oxidized material, and third, forming (160) a second semiconductor region (66x) in the at least one recess.

    摘要翻译： 一种形成集成电路晶体管（50）的方法。 该方法提供第一半导体区域（52）并且形成（110）相对于第一半导体区域处于固定位置的栅极结构（54x）。 栅极结构具有第一侧壁和第二侧壁（59x）。 该方法还形成与第一侧壁和第二侧壁相邻的至少第一层（58x，60x）。 该方法还在第一半导体区域中形成（120）至少一个凹部（62x）并且从栅极结构横向向外延伸。 该方法中的附加步骤首先是氧化（130）所述至少一个凹部，使得在其中形成氧化材料，其次，剥离（140）所述氧化材料的至少一部分，以及第三，形成（160）第二 半导体区域（66x）。

    Method for manufacturing a semiconductor device containing metal silicide regions
    5.
    发明授权
    Method for manufacturing a semiconductor device containing metal silicide regions 有权
    制造含有金属硅化物区域的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07422967B2

    公开(公告)日：2008-09-09

    申请号：US11127669

    申请日：2005-05-12

    申请人： Juanita DeLoach ,  Lindsey H. Hall ,  Lance S. Robertson ,  Jiong-Ping Lu ,  Donald S. Miles

    发明人： Juanita DeLoach ,  Lindsey H. Hall ,  Lance S. Robertson ,  Jiong-Ping Lu ,  Donald S. Miles

    IPC分类号： H01L21/3205

    CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665

    摘要： The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device. In one embodiment of the present invention, without limitation, the method for manufacturing the semiconductor device includes forming a gate structure (120) over a substrate (110) and forming source/drain regions (190) in the substrate (110) proximate the gate structure (120). The method further includes forming fluorine containing regions (220) in the source/drain regions (190) employing a fluorine containing plasma using a power level of less than about 75 Watts, forming a metal layer (310) over the substrate (110) and fluorine containing regions (220), and reacting the metal layer (310) with the fluorine containing regions (220) to form metal silicide regions (410) in the source/drain regions (190).

    摘要翻译： 本发明提供一种制造半导体器件的方法。 在本发明的一个实施例中，但不限于，用于制造半导体器件的方法包括在衬底（110）上形成栅极结构（120）并且在靠近栅极的衬底（110）中形成源/漏区（190） 结构（120）。 该方法还包括在源极/漏极区（190）中使用含氟等离子体，使用小于约75瓦特的功率电平形成含氟区域（220），在基底（110）上形成金属层（310），以及 含氟区域（220），并且使金属层（310）与含氟区域（220）反应以在源极/漏极区域（190）中形成金属硅化物区域（410）。

    Integrated circuit planarization method
    6.
    发明授权
    Integrated circuit planarization method 有权
    集成电路平面化方法

    公开(公告)号：US06372648B1

    公开(公告)日：2002-04-16

    申请号：US09442181

    申请日：1999-11-16

    申请人： Lindsey H. Hall ,  Jennifer A. Sees

    发明人： Lindsey H. Hall ,  Jennifer A. Sees

    IPC分类号： H01L21302

    CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

    摘要： Chemical mechanical polishing slurry with functionalized silica abrasive particles, the functionalization permits high pH slurry without rapid degradation of silica particles and also permits the modification of surface properties of abrasive particles to modify slurry behavior. One example of modified behavior would be to enhance selectivity by controlling particle interaction with different surfaces on the wafer.

    摘要翻译： 具有功能化二氧化硅磨料颗粒的化学机械抛光浆料，功能化允许高pH浆料，而不会快速降解二氧化硅颗粒，并且还允许改变磨料颗粒的表面性质以改变浆料性能。 改进行为的一个例子是通过控制与晶片上的不同表面的颗粒相互作用来提高选择性。

    Apparatus and method for detecting impurities in wet chemicals
    7.
    发明授权
    Apparatus and method for detecting impurities in wet chemicals 失效
    用于检测湿化学品中杂质的装置和方法

    公开(公告)号：US6145372A

    公开(公告)日：2000-11-14

    申请号：US069908

    申请日：1998-04-30

    申请人： Lindsey H. Hall ,  Jennifer Sees ,  Oliver Chyan

    发明人： Lindsey H. Hall ,  Jennifer Sees ,  Oliver Chyan

    IPC分类号： G01N27/416 ,  G01N33/00 ,  G01N27/403

    CPC分类号： G01N27/4166 ,  G01N2033/0095

    摘要： A apparatus and method for monitoring impurities in wet chemicals in semiconductor wafer processing comprising a silicon sensor (12) that is electrically connected to a potentiometer (22), a reference electrode (14) electrically connected to the potentiometer (22), wherein a comparison in the potential between the silicon sensor (12) and the reference electrode (14) to a predetermined baseline is used to measure wet chemical impurities, is disclosed.

    摘要翻译： 一种用于监测半导体晶片处理中的湿化学品中的杂质的装置和方法，包括电连接到电位器（22）的硅传感器（12），与电位计（22）电连接的参考电极（14），其中比较 在硅传感器（12）和参考电极（14）之间的电位达到预定的基线用于测量湿化学杂质。

    METHOD TO IMPROVE SEMICONDUCTOR SURFACES AND POLISHING
    8.
    发明申请
    METHOD TO IMPROVE SEMICONDUCTOR SURFACES AND POLISHING 有权
    改善半导体表面和抛光的方法

    公开(公告)号：US20140073131A1

    公开(公告)日：2014-03-13

    申请号：US13609292

    申请日：2012-09-11

    申请人： Lindsey H. Hall ,  Michael Hatzistergos ,  Ahmet S. Ozcan ,  Filippos Papadatos ,  Yiyi Wang

    发明人： Lindsey H. Hall ,  Michael Hatzistergos ,  Ahmet S. Ozcan ,  Filippos Papadatos ,  Yiyi Wang

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76892

    摘要： A method of forming a semiconductor device is disclosed. The method including providing a substrate with at least one insulating layer disposed thereon, the at least one insulating layer including a trench; forming at least one liner layer on the at least one insulating layer; forming a nucleation layer on the at least one liner layer; forming a first metal film on a surface of the nucleation layer; etching the first metal film; and depositing a second metal film on the etched surface of the first metal film, the second metal film substantially forming an overburden above the trench.

    摘要翻译： 公开了一种形成半导体器件的方法。 所述方法包括提供其上设置有至少一个绝缘层的衬底，所述至少一个绝缘层包括沟槽; 在所述至少一个绝缘层上形成至少一个衬垫层; 在所述至少一个衬垫层上形成成核层; 在成核层的表面上形成第一金属膜; 蚀刻第一金属膜; 以及在所述第一金属膜的蚀刻表面上沉积第二金属膜，所述第二金属膜基本上形成在所述沟槽上方的覆盖层。