公开(公告)号：US5304623A

公开(公告)日：1994-04-19

申请号：US3814

申请日：1993-01-08

申请人： Masahiro Ito ,  Yoshihiro Nakata ,  Yukio Hayashi

发明人： Masahiro Ito ,  Yoshihiro Nakata ,  Yukio Hayashi

IPC分类号： C08G18/10 ,  C08G18/62 ,  C08G18/80 ,  C08L75/00 ,  C08L75/04 ,  C09J175/04 ,  C09K3/10 ,  F16J15/20

CPC分类号： C09J175/04 ,  C08G18/10 ,  C08G18/6295 ,  C08G18/8038 ,  C08G18/8058 ,  C08G2190/00

摘要： One-pack type heat precurable moisture-curing sealant composition which comprises as the main component:(A) a urethane prepolymer having a content of an active free isocyanate group (NCO) of 1 to 6 % by weight which is prepared by reacting a polyol and an excess amount of an aromatic polyisocyanate compound,(B) a vinyl polymer containing a siloxy group and having a number average molecular weight of 3,000 to 30,000, and(C) a partially inactivated solid polyisocyanate compound,which can be precured at a comparatively lower temperature within a short period of time and cured with moisture in air, is useful for adhering various parts in automobiles and the construction industries without temporary holding means.

摘要翻译： 一种包装型热可预固化的湿固化密封剂组合物，其包含作为主要成分的组分：（A）具有1-6重量％的活性游离异氰酸酯基（NCO）含量的氨基甲酸酯预聚物，其通过使多元醇 和过量的芳族多异氰酸酯化合物，（B）含有甲硅烷氧基并且数均分子量为3,000〜30,000的乙烯基聚合物，和（C）部分灭活的固体多异氰酸酯化合物，其可以相对于预固化 在短时间内降低温度并在空气中用水分固化，对于在没有临时保持装置的情况下粘附汽车和建筑业中的各个部件是有用的。

公开(公告)号：US5459185A

公开(公告)日：1995-10-17

申请号：US189770

申请日：1994-02-01

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Masaharu Takada ,  Yukio Hayashi

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Masaharu Takada ,  Yukio Hayashi

IPC分类号： C08K5/20 ,  C08G18/10 ,  C08L75/00 ,  C08L75/04 ,  C09J121/00 ,  C09J175/04

CPC分类号： C09J175/04 ,  C08G18/10

摘要： In a one-part (one-pack) moisture-curing urethane adhesive comprising a urethane prepolymer having isocyanate groups (NCO) at the terminus, said urethane prepolymer being a reaction product of a polyol and an excess amount of a polyisocyanate, the improvement which comprises adding 0.01 to 5% by weight of a gelling agent based on the whole amount of the adhesive, and optionally adding a thermoplastic urethane multi-block copolymer resin and a thixotropic agent selected from the group consisting of a hydrophilic colloidal silica and a polysiloxane-polyoxyalkylene copolymer. The adhesive of the present invention can obviate float or slippage of glass in the adhesive application of window glass of automobiles.

摘要翻译： 在包含在末端具有异氰酸酯基（NCO）的氨基甲酸酯预聚物的单组分（一包装）湿固化聚氨酯粘合剂中，所述氨基甲酸酯预聚物是多元醇和过量的多异氰酸酯的反应产物，其改进在于 包括基于粘合剂的总量添加0.01〜5重量％的胶凝剂，任选地添加热塑性聚氨酯多嵌段共聚物树脂和触变剂，所述触变剂选自亲水性胶体二氧化硅和聚硅氧烷 - 聚氧化烯共聚物。 本发明的粘合剂可以避免在汽车窗玻璃的粘合剂应用中玻璃的漂浮或滑动。

公开(公告)号：US08431464B2

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：US12700215

申请日：2010-02-04

申请人： Yasushi Kobayashi ,  Kouta Yoshikawa ,  Yoshihiro Nakata ,  Tadahiro Imada ,  Shirou Ozaki

发明人： Yasushi Kobayashi ,  Kouta Yoshikawa ,  Yoshihiro Nakata ,  Tadahiro Imada ,  Shirou Ozaki

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L23/53295 ,  C08G77/20 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A silicic coating of 2.4 g/cm3 or higher density, obtained by forming a silicic coating precursor with the use of at least one type of silane compound having a photosensitive functional group and thereafter irradiating the silicic coating precursor with at least one type of light. This silicic coating can be used as a novel barrier film or stopper film for semiconductor device.

摘要翻译： 通过使用至少一种具有光敏官能团的硅烷化合物形成硅涂层前体，然后用至少一种类型的光照射硅涂层前体，得到2.4g / cm 3或更高密度的硅质涂层。 这种硅涂层可用作半导体器件的新型阻挡膜或阻挡膜。

公开(公告)号：US08124239B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US12640362

申请日：2009-12-17

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： B32B9/04 ,  B32B13/04 ,  C08F2/46 ,  C08J7/18 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

摘要： The silica film forming material of the present invention comprises a silicone polymer which comprises, as part of its structure, CHx, an Si—O—Si bond, an Si—CH3 bond and an Si—CHx- bond, where x represents an integer of 0 to 2.

摘要翻译： 本发明的二氧化硅薄膜形成材料包括硅氧烷聚合物，其包含作为其结构的一部分的CH x，Si-O-Si键，Si-CH 3键和Si-CH x键，其中x表示整数 为0至2。

公开(公告)号：US08062414B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US10533302

申请日：2003-10-27

申请人： Akira Nakashima ,  Miki Egami ,  Michio Komatsu ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano ,  Katsumi Suzuki

发明人： Akira Nakashima ,  Miki Egami ,  Michio Komatsu ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano ,  Katsumi Suzuki

IPC分类号： C04B41/50 ,  D06M15/643 ,  C09D183/04

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C08G77/08 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316

摘要： The present invention relates to a coating liquid for forming an amorphous silica-based coating film with a low dielectric constant of 2.5 or below and the Young's modulus of 6.0 GPa or more and having excellent hydrophobic property, and to a method of preparing the same. The coating liquid may contain a silicon compound obtained by hydrolyzing tetraalkyl ortho silicate (TAOS) and specific alkoxysilane (AS) in the presence of tetraalkyl ammonium hydroxide (TAAOH), or may contain a silicon compound obtained by hydrolyzing or partially hydrolyzing tetraalkyl ortho silicate (TAOS) in the presence of tetraalkyl ammonium hydroxide (TAAOH), mixing the reaction product with specific alkoxysilane or a hydrolysate or a partial hydrolysate thereof, and hydrolyzing all or a portion of the mixture according to the necessity. In addition, the coating liquid is prepared by mixing components described above at a specific ratio and under specific process conditions.

摘要翻译： 本发明涉及一种低介电常数为2.5以下，杨氏模量为6.0GPa以上，疏水性优异的无定形二氧化硅系涂膜用涂布液及其制备方法。 涂布液可以含有通过在四烷基氢氧化铵（TAAOH）的存在下水解四烷基原硅酸盐（TAOS）和特定烷氧基硅烷（AS））而获得的硅化合物，或者可以含有通过水解或部分水解原硅酸四烷基酯 TAOS）在四烷基氢氧化铵（TAAOH）的存在下，将反应产物与特定的烷氧基硅烷或其水解产物或其部分水解产物混合，并根据需要水解全部或一部分混合物。 此外，通过以特定比例和特定工艺条件混合上述组分来制备涂布液。

公开(公告)号：US20110187002A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US13019509

申请日：2011-02-02

申请人： Sadahiro Kishii ,  Tsuyoshi Kanki ,  Yoshihiro Nakata ,  Yasushi Kobayashi ,  Masato Tanaka ,  Akio Rokugawa

发明人： Sadahiro Kishii ,  Tsuyoshi Kanki ,  Yoshihiro Nakata ,  Yasushi Kobayashi ,  Masato Tanaka ,  Akio Rokugawa

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/488 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03

摘要： A support substrate includes a first surface and a second surface located above the level of the first surface. Chips are mounted on the first surface. A first insulating film is disposed over each chip. First conductive plugs are connected to the chip extending through each first insulating film. Filler material made of resin filling a space between chips. Wirings are disposed over the first insulating film and the filler material for interconnecting different chips. The second surface, an upper surface of the first insulating film and an upper surface of the filler material are located at the same level.

摘要翻译： 支撑基板包括位于第一表面的高度之上的第一表面和第二表面。 芯片安装在第一个表面上。 第一绝缘膜设置在每个芯片上。 第一导电插头连接到延伸穿过每个第一绝缘膜的芯片。 由树脂填充的填充材料填充芯片之间的空间。 布线布置在第一绝缘膜和用于互连不同芯片的填充材料之上。 第二表面，第一绝缘膜的上表面和填充材料的上表面位于同一水平。

公开(公告)号：US20100155121A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12640362

申请日：2009-12-17

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： H05K1/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

摘要： The silica film forming material of the present invention comprises a silicone polymer which comprises, as part of its structure, CHx, an Si—O—Si bond, an Si—CH3 bond and an Si—CHx- bond, where x represents an integer of 0 to 2.

摘要翻译： 本发明的二氧化硅薄膜形成材料包括硅氧烷聚合物，其包含作为其结构的一部分的CH x，Si-O-Si键，Si-CH 3键和Si-CH x键，其中x表示整数 为0至2。

公开(公告)号：US07659357B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11274094

申请日：2005-11-16

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： C08G77/00 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

摘要： The silica film forming material of the present invention comprises a silicone polymer which comprises, as part of its structure, CHx, an Si—O—Si bond, an Si—CH3 bond and an Si—CHx- bond, where x represents an integer of 0 to 2.

摘要翻译： 本发明的二氧化硅薄膜形成材料包括硅氧烷聚合物，其包含作为其结构的一部分的CH x，Si-O-Si键，Si-CH 3键和Si-CH x键，其中x表示整数 为0至2。

公开(公告)号：US07655576B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US11842412

申请日：2007-08-21

申请人： Shirou Ozaki ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Shirou Ozaki ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825

摘要： In a method for manufacturing a semiconductor device, including forming an insulator film including a material having Si—CH3 bond and Si—OH bond, and irradiating the insulator film with ultraviolet rays, the rate of decrease of C concentration by X-ray photoelectron spectroscopy is not more than 30%, and the rate of decrease of one or more bonds selected from the group consisting of C—H bond, O—H bond and Si—O bond of Si—OH is not less than 10%, as a result of ultraviolet ray irradiation. A low-dielectric-constant insulator film that has a high film strength and can prevent increase of dielectric constant due to moisture absorption, a semiconductor device that can prevent device response speed delay and reliability decrease due to parasite capacity increase, and a manufacturing method therefor are provided.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，包括形成包含具有Si-CH3键和Si-OH键的材料的绝缘膜，并用紫外线照射绝缘体膜，通过X射线光电子能谱法测定C浓度的降低速率 不大于30％，并且由Si-OH的CH键，OH键和Si-O键组成的组中的一种或多种键的降低速率不低于10％，由于紫外线 照射。 一种低介电常数绝缘膜，其具有高的膜强度并且可以防止由于吸湿引起的介电常数的增加，能够防止器件响应速度延迟和可靠性由于寄生容量增加而降低的半导体器件及其制造方法 被提供。

公开(公告)号：US07476970B2

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US11475000

申请日：2006-06-27

申请人： Shirou Ozaki ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Shirou Ozaki ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/31633 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31695

摘要： A method for fabricating a semiconductor device utilizing the step of forming a first insulating film of a porous material over a substrate; the step of forming on the first insulating film a second insulating film containing a silicon compound containing Si—CH3 bonds by 30-90%, and the step of irradiating UV radiation with the second insulating film formed on the first insulating film to cure the first insulating film. Thus, UV radiation having the wavelength which eliminates CH3 groups is sufficiently absorbed by the second insulating film, whereby the first insulating film is highly strengthened with priority by the UV cure, and the first insulating film can have the film density increased without having the dielectric constant increased.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，该半导体器件利用在衬底上形成多孔材料的第一绝缘膜的步骤; 在第一绝缘膜上形成包含含有Si-CH3键的硅化合物30-90％的第二绝缘膜的步骤，以及用形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜照射UV辐射的步骤，以固化第一绝缘膜 绝缘膜。 因此，具有消除CH 3基团的波长的紫外线辐射被第二绝缘膜充分吸收，由此通过UV固化优先地高度强化第一绝缘膜，并且第一绝缘膜可以具有不增加电介质的膜密度 常数增加。