公开(公告)号：US20050129926A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10735122

申请日：2003-12-12

申请人： Grant Kloster ,  Robert Meagley ,  Michael Goodner ,  Kevin O'brien

发明人： Grant Kloster ,  Robert Meagley ,  Michael Goodner ,  Kevin O'brien

IPC分类号： B32B3/26 ,  B32B9/04

CPC分类号： B32B3/26 ,  B32B2310/12 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/76814 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/249993 ,  Y10T428/31663

摘要： Method and structure for minimizing the downsides associated with microelectronic device processing adjacent porous dielectric materials are disclosed. In particular, chemical protocols are disclosed wherein porous dielectric materials may be sealed by attaching coupling agents to the surfaces of pores. The coupling agents may form all or part of caps on reactive groups in the dielectric surface or may crosslink to seal pores in the dielectric.

摘要翻译： 公开了用于最小化与邻近多孔电介质材料的微电子器件处理有关的缺点的方法和结构。 特别地，公开了化学方案，其中可以通过将偶联剂附着到孔的表面来密封多孔介电材料。 偶联剂可以在电介质表面中的反应性基团上形成全部或部分盖，或者可以交联以密封电介质中的孔。

公开(公告)号：US20050239281A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：US10829592

申请日：2004-04-21

申请人： Michael Goodner ,  Kevin O'Brien ,  Grant Kloster ,  Robert Meagley

发明人： Michael Goodner ,  Kevin O'Brien ,  Grant Kloster ,  Robert Meagley

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831

摘要： The invention provides a layer of photosensitive material that may be directly patterned. The photosensitive material may then be decomposed to leave voids or air gaps in the layer. This may provide a low dielectric constant layer with reduced resistance capacitance delay characteristics.

摘要翻译： 本发明提供可以直接图案化的感光材料层。 然后可以将感光材料分解以留下该层中的空隙或气隙。 这可以提供具有降低的电阻电容延迟特性的低介电常数层。

公开(公告)号：US20050227094A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US11147909

申请日：2005-06-07

申请人： Grant Kloster ,  Robert Meagley ,  Michael Goodner ,  Kevin O'brien ,  Don Bruner

发明人： Grant Kloster ,  Robert Meagley ,  Michael Goodner ,  Kevin O'brien ,  Don Bruner

IPC分类号： B32B3/26 ,  B32B9/04

CPC分类号： B32B3/26 ,  B32B2310/12 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/76814 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/249993 ,  Y10T428/31663

摘要： Method and structure for minimizing the downsides associated with microelectronic device processing adjacent porous dielectric materials are disclosed. In particular, chemical protocols are disclosed wherein porous dielectric materials may be sealed by attaching coupling agents to the surfaces of pores. The coupling agents may form all or part of caps on reactive groups in the dielectric surface or may crosslink to seal pores in the dielectric.

公开(公告)号：US20070032675A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11580399

申请日：2006-10-13

申请人： Robert Meagley ,  Michael Goodner ,  Andrew Ott ,  Grant Kloster ,  Michael McSwiney ,  Bob Leet

发明人： Robert Meagley ,  Michael Goodner ,  Andrew Ott ,  Grant Kloster ,  Michael McSwiney ,  Bob Leet

IPC分类号： C04B41/50 ,  C07F7/02

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633

摘要： In one embodiment, the present invention includes introducing a precursor containing hydrocarbon substituents and optionally a second conventional or hydrocarbon-containing precursor into a vapor deposition apparatus; and forming a dielectric layer having the hydrocarbon substituents on a substrate within the vapor deposition apparatus from the precursor(s). In certain embodiments, at least a portion of the hydrocarbon substituents may be later removed from the dielectric layer to reduce density thereof.

摘要翻译： 在一个实施方案中，本发明包括将含有烃取代基的前体和任选的第二常规或含烃前体引入气相沉积设备中; 以及在所述气相沉积设备内的所述前体上形成具有所述烃取代基的介电层。 在某些实施方案中，至少一部分烃取代基可以稍后从介电层去除以降低其密度。

公开(公告)号：US20060040492A1

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：US10922617

申请日：2004-08-20

申请人： Michael Goodner ,  Kevin O'Brien ,  Grant Kloster

发明人： Michael Goodner ,  Kevin O'Brien ,  Grant Kloster

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76807 ,  H01L21/7682

摘要： A method of forming air gaps in the interconnect structure of an integrated circuit device. The air gaps may be formed by depositing sacrificial layer over a dielectric layer and then depositing a permeable hard mask over the sacrificial layer. The sacrificial layer is subsequently removed to form air gaps. The permeable hard mask may have a thickness of less than approximately 250 nm, and internal stresses within the permeable hard mask may be controlled to prevent deformation of this layer. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 一种在集成电路器件的互连结构中形成气隙的方法。 气隙可以通过在介电层上沉积牺牲层然后在牺牲层上沉积可渗透的硬掩模来形成。 随后去除牺牲层以形成气隙。 可渗透的硬掩模可以具有小于约250nm的厚度，并且可以控制可渗透硬掩模内的内应力以防止该层的变形。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20050287787A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US10880632

申请日：2004-06-29

申请人： Grant Kloster ,  Jihperng Leu ,  Michael Goodner ,  Michael Haverty ,  Sadasivan Shankar

发明人： Grant Kloster ,  Jihperng Leu ,  Michael Goodner ,  Michael Haverty ,  Sadasivan Shankar

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L21/4763 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/02178 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047

摘要： A method for selecting and forming a low-k, relatively high E porous ceramic film in a semiconductor device is described. A ceramic material is selected having a relatively high Young's modulus and relatively lower dielectric constant. The k is reduced by making the film porous.

摘要翻译： 描述了在半导体器件中选择和形成低k，较高E多孔陶瓷膜的方法。 选择具有相对高的杨氏模量和相对较低的介电常数的陶瓷材料。 通过使膜多孔化来减小k。

公开(公告)号：US20060118922A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：US11325874

申请日：2006-01-05

申请人： Michael Goodner ,  Grant Kloster

发明人： Michael Goodner ,  Grant Kloster

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L21/02118 ,  G03F7/095 ,  G03F7/165 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  Y10T428/24917

摘要： A surface may be selectively coated with a polymer using an induced surface grafting or polymerization reaction. The reaction proceeds in those regions that are polymerizable and not in other regions. Thus, a semiconductor structure having organic regions and metal regions exposed, for example, may have the organic polymers formed selectively on the organic regions and not on the unpolymerizable or metal regions.

公开(公告)号：US20070123059A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11290409

申请日：2005-11-29

申请人： Michael Haverty ,  Grant Kloster ,  Sadasivan Shankar ,  Boyan Boyanov ,  Michael Goodner ,  Mansour Moinpour

发明人： Michael Haverty ,  Grant Kloster ,  Sadasivan Shankar ,  Boyan Boyanov ,  Michael Goodner ,  Mansour Moinpour

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76826

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a porous dielectric layer comprising at least one active end group, and bonding at least one large atomic radii species to replace the at least one active end group, wherein a local swelling may be formed within a portion of the porous dielectric.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施方案包括形成包含至少一个活性端基的多孔电介质层，并且键合至少一个大的原子半径物质以代替至少一个活性端基，其中局部溶胀可以形成在多孔 电介质。

公开(公告)号：US20060220251A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11096678

申请日：2005-03-31

申请人： Grant Kloster ,  Boyan Boyanov ,  Michael Goodner ,  Mansour Moinpour ,  Michael Haverty

发明人： Grant Kloster ,  Boyan Boyanov ,  Michael Goodner ,  Mansour Moinpour ,  Michael Haverty

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76826 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31695

摘要： A method of forming a film. The method comprises depositing a porous film. The porous film has active end groups; and preventing cross-linking among said active end groups, wherein the end groups are capped with less reactive or unreactive groups.

摘要翻译： 一种形成膜的方法。 该方法包括沉积多孔膜。 多孔膜具有活性端基; 并且阻止所述活性端基之间的交联，其中末端基团被较少反应性或非反应性基团封端。

公开(公告)号：US20060214303A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11089954

申请日：2005-03-25

申请人： Michael Goodner ,  Mansour Moinpour ,  Grant Kloster ,  Boyan Boyanov

发明人： Michael Goodner ,  Mansour Moinpour ,  Grant Kloster ,  Boyan Boyanov

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： An organic-framework zeolite interlayer dielectric is disclosed. The interlayer dielectric's resistance to chemical attack, its dielectric constant, its mechanical strength, or combinations thereof can be tailored by (1) varying the ratio of carbon-to-oxygen in the organic-framework zeolite, (2) by including tetravalent atoms other than silicon at tetrahedral sites in the organic-framework zeolite, or (3) by including combinations of pentavalent/trivalent atoms at tetrahedral sites in the organic-framework zeolite.

摘要翻译： 公开了一种有机骨架沸石层间电介质。 层间电介质耐化学侵蚀，其介电常数，机械强度或其组合可以通过（1）改变有机 - 骨架沸石中的碳与氧的比例来调节，（2）通过包括其它四价原子 在有机骨架沸石中的四面体位置处的硅，或（3）通过在有机骨架沸石中的四面体位置包含五价/三价原子的组合。