公开(公告)号：US09437463B2

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：US13863729

申请日：2013-04-16

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： Nobuyuki Kondo ,  Morimichi Watanabe ,  Asumi Jindo ,  Yuji Katsuda ,  Yosuke Sato ,  Yoshinori Isoda

IPC分类号： H05B3/68 ,  H01L21/67 ,  C04B35/581 ,  H05B1/00 ,  B32B18/00 ,  H05B3/28 ,  H01L21/683 ,  C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  C04B37/00 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942

摘要： A heating apparatus includes a susceptor having a heating face of heating a semiconductor and a supporting part joined with a back face of the susceptor. The susceptor comprises a ceramic material comprising magnesium, aluminum, oxygen and nitrogen as main components. The material comprises a main phase comprising magnesium-aluminum oxynitride phase exhibiting an XRD peak at least in 2θ=47 to 50° by CuKα X-ray.

摘要翻译： 加热装置包括具有加热半导体的加热面的基座和与基座的背面接合的支撑部。 感受体包括以镁，铝，氧和氮为主要成分的陶瓷材料。 该材料包括主相，其包含通过CuKαX射线表现出至少2θ= 47至50°的XRD峰的镁 - 铝氧氮化物相。

公开(公告)号：US09184070B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US14220289

申请日：2014-03-20

申请人： NGK Insulators, Ltd.

发明人： Asumi Jindo ,  Katsuhiro Inoue ,  Yuji Katsuda

IPC分类号： B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B13/04 ,  B32B19/00 ,  A61F13/15 ,  C04B35/653 ,  C04B35/52 ,  C04B35/56 ,  H01L21/67 ,  C04B35/575 ,  C04B35/626 ,  C04B37/00 ,  B21D53/02 ,  B32B37/10 ,  B32B38/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

摘要： A dense composite material according to the present invention contains, in descending order of content, silicon carbide, titanium silicon carbide, and titanium carbide as three major constituents. The dense composite material contains 51% to 68% by mass of silicon carbide and no titanium silicide and has an open porosity of 1% or less. This dense composite material has properties such as an average linear thermal expansion coefficient of 5.4 to 6.0 ppm/K at 40° C. to 570° C., a thermal conductivity of 100 W/m·K or more, and a four-point bending strength of 300 MPa or more.

摘要翻译： 根据本发明的致密复合材料以含量的降序包含作为三个主要成分的碳化硅，钛碳化硅和碳化钛。 该致密复合材料含有51〜68质量％的碳化硅，不含硅化钛，开孔率为1％以下。 该致密复合材料具有如下特性：在40℃至570℃下平均线性热膨胀系数为5.4至6.0ppm / K，热导率为100W / m·K以上，四点 弯曲强度在300MPa以上。

公开(公告)号：US08679998B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13624087

申请日：2012-09-21

申请人： NGK Insulators, Ltd.

发明人： Morimichi Watanabe ,  Yuji Katsuda ,  Toru Hayase ,  Asumi Jindo

IPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/51 ,  C04B35/00 ,  A23B4/16

CPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/111 ,  C04B35/505 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669

摘要： Initially, an Yb2O3 raw material was subjected to uniaxial pressure forming at a pressure of 200 kgf/cm2, so that a disc-shaped compact having a diameter of about 35 mm and a thickness of about 10 mm was produced, and was stored into a graphite mold for firing. Subsequently, firing was performed by using a hot-press method at a predetermined firing temperature (1,500° C.), so as to obtain a corrosion-resistant member for semiconductor manufacturing apparatus. The press pressure during firing was specified to be 200 kgf/cm2 and an Ar atmosphere was kept until the firing was finished. The retention time at the firing temperature (maximum temperature) was specified to be 4 hours. In this manner, the corrosion-resistant member for semiconductor manufacturing apparatus made from an Yb2O3 sintered body having an open porosity of 0.2% was obtained.

摘要翻译： 首先，将Yb 2 O 3原料在200kgf / cm 2的压力下进行单轴压力成形，制造直径约35mm，厚度约10mm的圆盘状压块，并将其储存在 石墨模具用于烧制。 接着，在规定的烧成温度（1500℃）下，使用热压法进行烧成，得到半导体制造装置的耐腐蚀部件。 烧成时的加压压力为200kgf / cm 2，保持Ar气氛直至烧成结束。 烧成温度（最高温度）的保持时间为4小时。 以这种方式，获得了由具有0.2％的开孔率的Yb2O3烧结体制成的用于半导体制造装置的耐腐蚀构件。

公开(公告)号：US09892950B2

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：US14246639

申请日：2014-04-07

申请人： NGK Insulators, Ltd.

发明人： Morimichi Watanabe ,  Asumi Jindo ,  Yuji Katsuda ,  Yosuke Sato ,  Yoshinori Isoda ,  Atsushi Watanabe

IPC分类号： H01L21/683 ,  C04B35/58 ,  C04B35/053

CPC分类号： H01L21/6831 ,  C04B35/053 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  H01L21/6833

摘要： A ceramic member 30 according to the present invention includes a ceramic base 32, which contains a solid solution Mg(Al)O(N) in which Al and N components are dissolved in magnesium oxide as the main phase, and an electrode 34 disposed on a portion of the ceramic base 32 and containing at least one of nitrides, carbides, carbonitrides, and metals as an electrode component. The ceramic base 32 may have an XRD peak of a (111), (200), or (220) plane of Mg(Al)O(N) measured using a CuKα ray at 2θ=36.9 to 39, 42.9 to 44.8, or 62.3 to 65.2 degrees, respectively, between a magnesium oxide cubic crystal peak and an aluminum nitride cubic crystal peak.

公开(公告)号：US09245775B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US13864559

申请日：2013-04-17

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： Nobuyuki Kondo ,  Morimichi Watanabe ,  Asumi Jindo ,  Yuji Katsuda ,  Yosuke Sato ,  Yoshinori Isoda

IPC分类号： H05B3/06 ,  H01L21/67 ,  C04B35/581 ,  H05B1/00 ,  B32B18/00 ,  H05B3/28 ,  H01L21/683 ,  C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  C04B37/00 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942

摘要： A heating apparatus 11A includes a susceptor having a heating face 12a of heating a semiconductor. The susceptor includes a plate shaped main body 13 and a surface corrosion resistant layer 14 including the heating face. The surface corrosion resistant layer 14 is made of a ceramic material comprising magnesium, aluminum, oxygen and nitrogen as main components. The ceramic material comprises a main phase comprising magnesium-aluminum oxynitride phase exhibiting an XRD peak at least in 2θ=47 to 50° by CuKα X-ray.

摘要翻译： 加热装置11A包括具有加热半导体的加热面12a的基座。 基座包括板状主体13和包括加热面的表面耐腐蚀层14。 表面耐腐蚀层14由以镁，铝，氧和氮为主要成分的陶瓷材料制成。 陶瓷材料包括主相，其包含镁 - 铝氧氮化物相，其表现出至少2％的XRD峰;通过CuKαX射线显示47至50°。

公开(公告)号：US09184081B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13869285

申请日：2013-04-24

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： Kenichiro Aikawa ,  Morimichi Watanabe ,  Asumi Jindo ,  Yuji Katsuda ,  Yosuke Sato ,  Yoshinori Isoda

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01T23/00 ,  C04B35/581 ,  C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L21/6833 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669 ,  C23C14/3414

摘要： Each of electrostatic chucks 1A to 1F includes a susceptor 11A having an adsorption face 11a of adsorbing a semiconductor, and an electrostatic chuck electrode 4 embedded in the susceptor. The susceptor includes a plate shaped main body 3 and a surface corrosion resistant layer 2 including the adsorption face 2. The surface corrosion resistant layer 2 is made of a ceramic material comprising magnesium, aluminum, oxygen and nitrogen as main components. The ceramic material comprises a main phase comprising MgO—AlN solid solution wherein aluminum nitride is dissolved into magnesium oxide.

摘要翻译： 静电卡盘1A至1F中的每一个包括具有吸附半导体的吸附面11a的基座11A和嵌入基座的静电卡盘电极4。 基座包括板状主体3和包括吸附面2的表面耐腐蚀层2.表面耐腐蚀层2由以镁，铝，氧和氮为主要成分的陶瓷材料制成。 陶瓷材料包括其中氮化铝溶解在氧化镁中的MgO-AlN固溶体的主相。

公开(公告)号：US09142439B2

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US14022629

申请日：2013-09-10

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： Asumi Jindo ,  Katsuhiro Inoue ,  Yuji Katsuda

IPC分类号： H01L21/683 ,  B32B18/00 ,  H01J37/32 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/645

CPC分类号： H01L21/6833 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/60 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32715 ,  Y10T428/265

摘要： A laminated structure 10 includes a first structure 12 containing a main phase of magnesium-aluminum oxynitride, a second structure 14 containing a main phase of aluminum nitride and grain boundary phases of a rare-earth aluminum composite oxide having a garnet-type crystal structure, and a reaction layer 15 formed between the first structure 12 and the second structure 14. The reaction layer 15 is an aluminum nitride layer containing a smaller amount of grain boundary phases 18 of the rare-earth aluminum composite oxide than the second structure 14. The reaction layer 15 of the laminated structure 10 has a thickness of 150 μm or less. The reaction layer 15 is formed during the sintering by diffusing the grain boundary phases 18 into the first structure 12.

摘要翻译： 叠层结构体10包括含有氮化镁 - 铝的主相的第一结构12，包含氮化铝的主相的第二结构14和具有石榴石型晶体结构的稀土类复合氧化物的晶界相， 以及形成在第一结构体12与第二结构体14之间的反应层15.反应层15是比第二结构体14含有少量的稀土类复合氧化物的晶界相18的氮化铝层。 叠层结构体10的反应层15的厚度为150μm以下。 反应层15在烧结期间通过将晶界相18扩散到第一结构12中而形成。

公开(公告)号：US09287144B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US13863803

申请日：2013-04-16

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： Nobuyuki Kondo ,  Morimichi Watanabe ,  Asumi Jindo ,  Yuji Katsuda ,  Yosuke Sato ,  Yoshinori Isoda

IPC分类号： H05B3/02 ,  H01L21/67 ,  C04B35/581 ,  H05B1/00 ,  B32B18/00 ,  H05B3/28 ,  H01L21/683 ,  C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  C04B37/00 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942

摘要： A heating apparatus 1A includes a susceptor part 9A having a heating face 9a of heating a semiconductor W, and a ring shaped part 6A provided in the outside of the heating face 9a. The ring shaped part 6A is composed of a ceramic material comprising magnesium, aluminum, oxygen and nitrogen as main components. The ceramic material comprises a main phase comprising magnesium-aluminum oxynitride phase exhibiting an XRD peak at least in 2θ=47 to 50° taken by using CuKα ray.

摘要翻译： 加热装置1A包括具有加热半导体W的加热面9a的基座部9A和设置在加热面9a的外侧的环状部6A。 环形部6A由以镁，铝，氧，氮为主要成分的陶瓷材料构成。 陶瓷材料包括主相，其包含镁 - 铝氧氮化物相，其表现出至少2％的XRD峰; =通过使用CuKα射线摄取47至50°。

公开(公告)号：US09257315B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US14515800

申请日：2014-10-16

申请人： NGK Insulators, Ltd.

发明人： Asumi Jindo ,  Katsuhiro Inoue ,  Yuji Katsuda ,  Takashi Kataigi ,  Shingo Amano ,  Hiroya Sugimoto

IPC分类号： B23K31/02 ,  C04B35/653 ,  B32B9/06 ,  B32B15/04 ,  B32B15/00 ,  F28F7/00 ,  F28D15/00 ,  H01L21/67 ,  B32B9/00 ,  C04B35/56 ,  C04B35/575 ,  C04B35/626 ,  C04B37/00 ,  B21D53/02 ,  B32B37/10 ,  B32B38/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

摘要： A member for a semiconductor manufacturing apparatus includes an AlN electrostatic chuck, a cooling plate, and a cooling plate-chuck bonding layer. The cooling plate includes first to third substrates, a first metal bonding layer between the first and second substrates, a second metal bonding layer between the second and third substrates, and a refrigerant path. The first to third substrates are formed of a dense composite material containing SiC, Ti3SiC2, and TiC. The metal bonding layers are formed by thermal compression bonding of the substrates with an Al—Si—Mg metal bonding material interposed between the first and second substrates and between the second and third substrates.

摘要翻译： 半导体制造装置的构件包括AlN静电卡盘，冷却板和冷却板卡盘接合层。 冷却板包括第一至第三基板，第一和第二基板之间的第一金属接合层，第二和第三基板之间的第二金属接合层和制冷剂路径。 第一至第三衬底由含有SiC，Ti 3 SiC 2和TiC的致密复合材料形成。 金属接合层通过基板与介于第一和第二基板之间以及第二和第三基板之间的Al-Si-Mg金属接合材料的热压接而形成。

公开(公告)号：US09255747B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US14515736

申请日：2014-10-16

申请人： NGK Insulators, Ltd.

发明人： Asumi Jindo ,  Katsuhiro Inoue ,  Yuji Katsuda ,  Takashi Kataigi ,  Shingo Amano ,  Hiroya Sugimoto

IPC分类号： B23K31/02 ,  C04B35/653 ,  B32B9/06 ,  B32B15/04 ,  B32B15/00 ,  F28F7/00 ,  F28D15/00 ,  F28F3/12 ,  C04B35/565 ,  C04B35/645 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  C04B35/56 ,  C04B35/58 ,  C04B37/00 ,  F28F21/08 ,  H01L21/683

CPC分类号： F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969

摘要： A member for a semiconductor manufacturing apparatus includes an alumina electrostatic chuck, a cooling plate, and a cooling plate-chuck bonding layer. The cooling plate includes first to third substrates, a first metal bonding layer between the first and second substrates, a second metal bonding layer between the second and third substrates, and a refrigerant path. The first to third substrates are formed of a dense composite material containing Si, SiC, and Ti. The metal bonding layers are formed by thermal compression bonding of the substrates with an Al—Si—Mg or Al—Mg metal bonding material interposed between the first and second substrates and between the second and third substrates.

摘要翻译： 半导体制造装置的构件包括氧化铝静电卡盘，冷却板和冷却板卡盘接合层。 冷却板包括第一至第三基板，第一和第二基板之间的第一金属接合层，第二和第三基板之间的第二金属接合层和制冷剂路径。 第一至第三衬底由含有Si，SiC和Ti的致密复合材料形成。 金属接合层通过基板与介于第一和第二基板之间以及第二和第三基板之间的Al-Si-Mg或Al-Mg金属接合材料的热压接而形成。