公开(公告)号：US20120181166A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13007228

申请日：2011-01-14

申请人： QIAN LUO ,  Ye Xu ,  Tza-Jing Gung ,  Xianmin Tang

发明人： QIAN LUO ,  Ye Xu ,  Tza-Jing Gung ,  Xianmin Tang

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3455

摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods for physical vapor deposition processes. The methods generally include synchronizing process chamber conditions with the position of a magnetron. As the magnetron is scanned over a first area of a target, the conditions within the chamber are adjusted to a first set of predetermined process conditions. As the magnetron is subsequently scanned over a second area of the target, the conditions within the chamber are adjusted to a second set of predetermined process conditions different the first set. The target may be divided into more than two areas. By correlating the position of the magnetron with different sets of process conditions, film uniformity can be improved by reducing center-to-edge non-uniformities, such as re-sputter rates which may be higher when the magnetron is near the edge of the target.

摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及物理气相沉积方法的方法。 方法通常包括使处理室条件与磁控管的位置同步。 当磁控管在目标的第一区域上被扫描时，腔室内的条件被调整到第一组预定的工艺条件。 随着磁控管随后在目标的第二区域上扫描，腔室内的条件被调整到与第一组不同的第二组预定过程条件。 目标可分为两个以上的区域。 通过将磁控管的位置与不同的工艺条件相关联，可以通过减小中心到边缘的不均匀性来改善膜均匀性，例如当磁控管靠近靶的边缘时可能更高的再溅射速率 。

公开(公告)号：US20080190760A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11838796

申请日：2007-08-14

申请人： XIANMIN TANG ,  Arvind Sundarrajan ,  Daniel Lubben ,  Qian Luo ,  Tza-Jing Gung ,  Anantha Subramani ,  Hua Chung ,  Xinyu Fu ,  Rongjun Wang ,  Yong Cao ,  Jick Yu ,  John Forster ,  Praburam Gopalraja

发明人： XIANMIN TANG ,  Arvind Sundarrajan ,  Daniel Lubben ,  Qian Luo ,  Tza-Jing Gung ,  Anantha Subramani ,  Hua Chung ,  Xinyu Fu ,  Rongjun Wang ,  Yong Cao ,  Jick Yu ,  John Forster ,  Praburam Gopalraja

IPC分类号： C23C14/32

CPC分类号： C23C14/165 ,  C23C14/046 ,  C23C14/358 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/584 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

摘要： An integrated copper deposition process, particularly useful for forming a copper seed layer in a narrow via prior to electrochemical plating of copper, including at least one cycle of sputter deposition of copper followed by sputter etching of the deposited copper, preferably performed in a same sputter chamber. The deposition is performed under conditions promoting high copper ionization fractions and strong wafer biasing to draw the copper ions into the via. The etching may be done with argon ions, preferably inductively excited by an RF coil around the chamber, or by copper ions, which may be formed with high target power and intense magnetron or by use of the RF coil. Two or more cycles of deposition/etch may be performed. A final flash deposition may be performed with high copper ionization and low wafer biasing.

摘要翻译： 一种集成的铜沉积工艺，特别适用于在铜的电化学电镀之前在窄通孔中形成铜籽晶层，包括至少一个铜的溅射沉积循环，然后溅射蚀刻沉积的铜，优选在相同的溅射 房间。 沉积在促进高铜离子化分数和强晶片偏置的条件下进行以将铜离子吸入通孔。 蚀刻可以用氩离子进行，优选地通过围绕室的RF线圈进行感应激励，或者通过可以用高目标功率和强磁控管形成的铜离子或通过使用RF线圈进行。 可以执行两个或更多个沉积/蚀刻循环。 最终的闪蒸沉积可以用高铜离子化和低晶片偏压进行。

公开(公告)号：US20100252416A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12723199

申请日：2010-03-12

申请人： Zhendong Liu ,  Rongjun Wang ,  Xianmin Tang ,  Srinivas Gandikota ,  Tza-Jing Gung ,  Muhammad M. Rasheed

发明人： Zhendong Liu ,  Rongjun Wang ,  Xianmin Tang ,  Srinivas Gandikota ,  Tza-Jing Gung ,  Muhammad M. Rasheed

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3407 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3423

摘要： Target assemblies and PVD chambers including target assemblies are disclosed. The target assembly includes a target that has a concave shaped target. When used in a PVD chamber, the concave target provides more radially uniform deposition on a substrate disposed in the sputtering chamber.

摘要翻译： 公开了包括目标组件的目标组件和PVD室。 目标组件包括具有凹形目标的目标。 当在PVD室中使用时，凹目标在设置在溅射室中的基板上提供更径向均匀的沉积。

公开(公告)号：US20100032289A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12188937

申请日：2008-08-08

申请人： RONGJUN WANG ,  Xianmin Tang ,  Zhendong Liu ,  Tza-Jing Gung ,  Maurice E. Ewert

发明人： RONGJUN WANG ,  Xianmin Tang ,  Zhendong Liu ,  Tza-Jing Gung ,  Maurice E. Ewert

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： C23C14/54 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  C23C14/542 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/34 ,  H01J37/347 ,  H01L21/02266

摘要： In a plasma-enhanced physical vapor deposition reactor, uniformity of radial distribution of the deposition rate across the workpiece is enhanced by applying both RF and D.C. power to the target and adjusting the power levels of the RF and D.C. power independently. Further optimization is obtained by adjusting the height of the magnet above the target, adjusting the radius of the orbital motion of the magnet above the target and providing an angle edge surface of the target.

摘要翻译： 在等离子体增强的物理气相沉积反应器中，通过将RF和DCC功率施加到目标并且独立地调节RF和DC电源的功率电平来增强穿过工件的沉积速率的径向分布的均匀性。 通过调整磁体在目标上方的高度，调整磁体在目标上方的轨道运动的半径，并提供目标的角度边缘表面，可获得进一步优化。

公开(公告)号：US09752228B2

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：US12723199

申请日：2010-03-12

申请人： Zhendong Liu ,  Rongjun Wang ,  Xianmin Tang ,  Srinivas Gandikota ,  Tza-Jing Gung ,  Muhammad M. Rasheed

发明人： Zhendong Liu ,  Rongjun Wang ,  Xianmin Tang ,  Srinivas Gandikota ,  Tza-Jing Gung ,  Muhammad M. Rasheed

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01J37/34

CPC分类号： C23C14/3407 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3423

摘要： Target assemblies and PVD chambers including target assemblies are disclosed. The target assembly includes a target that has a concave shaped target. When used in a PVD chamber, the concave target provides more radially uniform deposition on a substrate disposed in the sputtering chamber.

公开(公告)号：US08992741B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US12188937

申请日：2008-08-08

申请人： Rongjun Wang ,  Xianmin Tang ,  Zhendong Liu ,  Tza-Jing Gung ,  Maurice E. Ewert

发明人： Rongjun Wang ,  Xianmin Tang ,  Zhendong Liu ,  Tza-Jing Gung ,  Maurice E. Ewert

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/34 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C14/54 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  C23C14/542 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/34 ,  H01J37/347 ,  H01L21/02266

摘要： In a plasma-enhanced physical vapor deposition reactor, uniformity of radial distribution of the deposition rate across the workpiece is enhanced by applying both RF and D.C. power to the target and adjusting the power levels of the RF and D.C. power independently. Further optimization is obtained by adjusting the height of the magnet above the target, adjusting the radius of the orbital motion of the magnet above the target and providing an angle edge surface of the target.

摘要翻译： 在等离子体增强的物理气相沉积反应器中，通过将RF和DCC功率施加到目标并且独立地调节RF和DC电源的功率电平来增强穿过工件的沉积速率的径向分布的均匀性。 通过调整磁体在目标上方的高度，调整磁体在目标上方的轨道运动的半径，并提供目标的角度边缘表面，可获得进一步优化。

公开(公告)号：US20100252417A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12754473

申请日：2010-04-05

申请人： Adolph Miller Allen ,  Lara Hawrylchak ,  Zhigang Xie ,  Muhammad M. Rasheed ,  Rongjun Wang ,  Xianmin Tang ,  Zhendong Liu ,  Tza-Jing Gung ,  Srinivas Gandikota ,  Mei Chang ,  Michael S. Cox ,  Donny Young ,  Kirankumar Savandaiah ,  Zhenbin Ge

发明人： Adolph Miller Allen ,  Lara Hawrylchak ,  Zhigang Xie ,  Muhammad M. Rasheed ,  Rongjun Wang ,  Xianmin Tang ,  Zhendong Liu ,  Tza-Jing Gung ,  Srinivas Gandikota ,  Mei Chang ,  Michael S. Cox ,  Donny Young ,  Kirankumar Savandaiah ,  Zhenbin Ge

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/564 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  C23C14/548 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3455

摘要： Embodiments of the invention generally provide a processing chamber used to perform a physical vapor deposition (PVD) process and methods of depositing multi-compositional films. The processing chamber may include: an improved RF feed configuration to reduce any standing wave effects; an improved magnetron design to enhance RF plasma uniformity, deposited film composition and thickness uniformity; an improved substrate biasing configuration to improve process control; and an improved process kit design to improve RF field uniformity near the critical surfaces of the substrate. The method includes forming a plasma in a processing region of a chamber using an RF supply coupled to a multi-compositional target, translating a magnetron relative to the multi-compositional target, wherein the magnetron is positioned in a first position relative to a center point of the multi-compositional target while the magnetron is translating and the plasma is formed, and depositing a multi-compositional film on a substrate in the chamber.

摘要翻译： 本发明的实施例通常提供用于执行物理气相沉积（PVD）工艺的处理室和沉积多组分膜的方法。 处理室可以包括：改进的RF馈送配置以减少任何驻波效应; 改进的磁控管设计，以增强RF等离子体均匀性，沉积膜组成和厚度均匀性; 改进的衬底偏置结构以改善工艺控制; 以及改进的工艺组件设计，以改善衬底临界表面附近的RF场均匀性。 该方法包括使用耦合到多组分靶的RF电源在室的处理区域中形成等离子体，相对于多组分靶物平移磁控管，其中磁控管相对于中心点位于第一位置 的多组分靶，同时磁控管正在平移并且形成等离子体，并且在腔室中的基底上沉积多组分膜。

公开(公告)号：US20100096253A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12256428

申请日：2008-10-22

申请人： Yong Cao ,  Xianmin Tang ,  Tza-Jing Gung ,  Praburam Gopalraja

发明人： Yong Cao ,  Xianmin Tang ,  Tza-Jing Gung ,  Praburam Gopalraja

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/185 ,  C23C14/046 ,  C23C14/5833 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76883

摘要： A method and apparatus for depositing metal on a patterned substrate are provided. A metal layer is formed in a physical vapor deposition process having a first energy. A second physical vapor deposition process is performed on the metal layer, using a second energy, wherein deposition interacts with brittle and plastic surface modification processes to form a substantially conformal metal layer on the substrate.

摘要翻译： 提供了一种用于在图案化衬底上沉积金属的方法和设备。 在具有第一能量的物理气相沉积工艺中形成金属层。 使用第二能量在金属层上进行第二物理气相沉积工艺，其中沉积与脆性和塑性表面改性方法相互作用以在基底上形成基本上保形的金属层。

公开(公告)号：US20090308732A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12482713

申请日：2009-06-11

申请人： Yong Cao ,  Maurice E. Ewert ,  Xianmin Tang ,  Keith A. Miller ,  Daniel C. Lubben ,  Umesh M. Kelkar ,  Tza-Jing Gung ,  Anantha K. Subramani

发明人： Yong Cao ,  Maurice E. Ewert ,  Xianmin Tang ,  Keith A. Miller ,  Daniel C. Lubben ,  Umesh M. Kelkar ,  Tza-Jing Gung ,  Anantha K. Subramani

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/046 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447

摘要： Embodiments of the present invention generally relate to an apparatus and method for uniform sputter depositing of materials into the bottom and sidewalls of high aspect ratio features on a substrate. In one embodiment, a sputter deposition system includes a collimator that has apertures having aspect ratios that decrease from a central region of the collimator to a peripheral region of the collimator. In one embodiment, the collimator is coupled to a grounded shield via a bracket member that includes a combination of internally and externally threaded fasteners. In another embodiment, the collimator is integrally attached to a grounded shield. In one embodiment, a method of sputter depositing material includes pulsing the bias on the substrate support between high and low values.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于均匀溅射沉积到衬底上的高纵横比特征的底部和侧壁中的装置和方法。 在一个实施例中，溅射沉积系统包括准直器，其具有从准直器的中心区域到准直器的外围区域的纵横比减小的孔。 在一个实施例中，准直器经由包括内螺纹紧固件和外螺纹紧固件的组合的支架构件联接到接地屏蔽件。 在另一个实施例中，准直器一体地附接到接地屏蔽。 在一个实施例中，溅射沉积材料的方法包括在高和低值之间使衬底支撑上的偏压脉动。

公开(公告)号：US20080083610A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：US11689720

申请日：2007-03-22

申请人： Xianmin Tang ,  Hua Chung ,  Rongjun Wang ,  Tza-Jing Gung ,  Praburam Gopalraja ,  Jick Yu ,  Hong Yang

发明人： Xianmin Tang ,  Hua Chung ,  Rongjun Wang ,  Tza-Jing Gung ,  Praburam Gopalraja ,  Jick Yu ,  Hong Yang

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

摘要： A plasma sputter chamber and process for sputtering ruthenium and tantalum at low pressure or with self-sustained sputtering (SSS). The source magnetron is strongly unbalanced and of sufficient size to project the unbalanced magnetic field toward the wafer to increase the ionization probability. Sputter etch uniformity is increased by the use of an auxiliary magnet system rotating with the source magnetron but placed towards the center of rotation. It may be a larger, nearly balanced auxiliary magnetron with an outer polarity matching that of the source magnetron or an array of magnets of that polarity. An integrated process includes a directional deposition of the refractory metal and its nitride, a sputter etch, and a flash deposition.

摘要翻译： 一种等离子体溅射室和用于在低压或自持溅射（SSS）下溅射钌和钽的工艺。 源极磁控管是非常不平衡的，并且具有足够的尺寸以将不平衡磁场投射到晶片以增加电离概率。 通过使用与源磁控管一起旋转但是朝向旋转中心放置的辅助磁体系统来增加溅射蚀刻均匀性。 它可以是较大的，几乎平衡的辅助磁控管，其外极性与源极磁控管或该极性的磁体阵列的极性匹配。 集成工艺包括难熔金属及其氮化物的定向沉积，溅射蚀刻和闪蒸沉积。