公开(公告)号：US20110311735A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13163817

申请日：2011-06-20

申请人： RONGJUN WANG ,  SALLY LOU ,  MUHAMMAD RASHEED ,  JIANXIN LEI ,  XIANMIN TANG ,  SRINIVAS GANDIKOTA ,  RYAN HANSON ,  TZA-JING GUNG ,  KEITH A. MILLER ,  THANH X. NGUYEN

发明人： RONGJUN WANG ,  SALLY LOU ,  MUHAMMAD RASHEED ,  JIANXIN LEI ,  XIANMIN TANG ,  SRINIVAS GANDIKOTA ,  RYAN HANSON ,  TZA-JING GUNG ,  KEITH A. MILLER ,  THANH X. NGUYEN

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3461

摘要： Methods and apparatus to improve target life and deposition uniformity in PVD chambers are provided herein. In some embodiments, a magnetron assembly includes a shunt plate having a central axis, the shunt plate rotatable about the central axis, a first open loop magnetic pole arc coupled to the shunt plate at a first radius from the central axis, and a second open loop magnetic pole arc coupled the shunt plate at a first distance from the first open loop magnetic pole arc, wherein at least one of the first radius varies along the first open loop magnetic pole arc or the first distance varies along the second open loop magnetic pole arc. In some embodiments, a first polarity of the first open loop magnetic pole arc opposes a second polarity of the second open loop magnetic pole arc.

摘要翻译： 本文提供了改善PVD室中的目标寿命和沉积均匀性的方法和装置。 在一些实施例中，磁控管组件包括具有中心轴线的分流板，分流板可围绕中心轴线旋转，第一开环磁极电弧在与中心轴线成第一半径处耦合到分流板，第二开路 环形磁极以与第一开环磁极弧成第一距离的方式将分流板电弧耦合，其中第一半径中的至少一个沿第一开环磁极弧变化，或者第一距离沿第二开环磁极变化 弧。 在一些实施例中，第一开环磁极的第一极性与第二开环磁极的第二极性相反。

公开(公告)号：US20080190760A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11838796

申请日：2007-08-14

申请人： XIANMIN TANG ,  Arvind Sundarrajan ,  Daniel Lubben ,  Qian Luo ,  Tza-Jing Gung ,  Anantha Subramani ,  Hua Chung ,  Xinyu Fu ,  Rongjun Wang ,  Yong Cao ,  Jick Yu ,  John Forster ,  Praburam Gopalraja

发明人： XIANMIN TANG ,  Arvind Sundarrajan ,  Daniel Lubben ,  Qian Luo ,  Tza-Jing Gung ,  Anantha Subramani ,  Hua Chung ,  Xinyu Fu ,  Rongjun Wang ,  Yong Cao ,  Jick Yu ,  John Forster ,  Praburam Gopalraja

IPC分类号： C23C14/32

CPC分类号： C23C14/165 ,  C23C14/046 ,  C23C14/358 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/584 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

摘要： An integrated copper deposition process, particularly useful for forming a copper seed layer in a narrow via prior to electrochemical plating of copper, including at least one cycle of sputter deposition of copper followed by sputter etching of the deposited copper, preferably performed in a same sputter chamber. The deposition is performed under conditions promoting high copper ionization fractions and strong wafer biasing to draw the copper ions into the via. The etching may be done with argon ions, preferably inductively excited by an RF coil around the chamber, or by copper ions, which may be formed with high target power and intense magnetron or by use of the RF coil. Two or more cycles of deposition/etch may be performed. A final flash deposition may be performed with high copper ionization and low wafer biasing.

摘要翻译： 一种集成的铜沉积工艺，特别适用于在铜的电化学电镀之前在窄通孔中形成铜籽晶层，包括至少一个铜的溅射沉积循环，然后溅射蚀刻沉积的铜，优选在相同的溅射 房间。 沉积在促进高铜离子化分数和强晶片偏置的条件下进行以将铜离子吸入通孔。 蚀刻可以用氩离子进行，优选地通过围绕室的RF线圈进行感应激励，或者通过可以用高目标功率和强磁控管形成的铜离子或通过使用RF线圈进行。 可以执行两个或更多个沉积/蚀刻循环。 最终的闪蒸沉积可以用高铜离子化和低晶片偏压进行。

公开(公告)号：US20120027954A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13189992

申请日：2011-07-25

申请人： ZHENDONG LIU ,  YONG CAO ,  XIANMIN TANG ,  SRINIVAS GANDIKOTA ,  THANH NGUYEN ,  MUHAMMAD RASHEED

发明人： ZHENDONG LIU ,  YONG CAO ,  XIANMIN TANG ,  SRINIVAS GANDIKOTA ,  THANH NGUYEN ,  MUHAMMAD RASHEED

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： H01J37/3405 ,  H01J37/345 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455 ,  H01J37/3461 ,  H01J2237/3323

摘要： Methods and apparatus for depositing thin films having high thickness uniformity and low resistivity are provided herein. In some embodiments, a magnetron assembly includes a shunt plate, the shunt plate rotatable about an axis, an inner closed loop magnetic pole coupled to the shunt plate, and an outer closed loop magnetic pole coupled the shunt plate, wherein an unbalance ratio of a magnetic field strength of the outer closed loop magnetic pole to a magnetic field strength of the inner closed loop magnetic pole is less than about 1. In some embodiments, the ratio is about 0.57. In some embodiments, the shunt plate and the outer close loop magnetic pole have a cardioid shape. A method utilizing RF and DC power in combination with the inventive magnetron assembly is also disclosed.

摘要翻译： 本文提供了用于沉积具有高厚度均匀性和低电阻率的薄膜的方法和设备。 在一些实施例中，磁控管组件包括分流板，可绕轴线旋转的分流板，耦合到分流板的内部闭环磁极和耦合分流板的外部闭环磁极，其中， 外部闭环磁极的磁场强度与内部闭环磁极的磁场强度小于约1.在一些实施例中，该比率为约0.57。 在一些实施例中，并联板和外闭环磁极具有心形形状。 还公开了一种利用RF和DC电力与本发明的磁控管组合的方法。

公开(公告)号：US20110278165A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US13106392

申请日：2011-05-12

申请人： MUHAMMAD RASHEED ,  RONGJUN WANG ,  ZHENDONG LIU ,  XINYU FU ,  XIANMIN TANG

发明人： MUHAMMAD RASHEED ,  RONGJUN WANG ,  ZHENDONG LIU ,  XINYU FU ,  XIANMIN TANG

IPC分类号： C23C14/04

CPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32871 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3411

摘要： Apparatus for improved particle reduction are provided herein. In some embodiments, an apparatus may include a process kit shield comprising a one-piece metal body having an upper portion and a lower portion and having an opening disposed through the one-piece metal body, wherein the upper portion includes an opening-facing surface configured to be disposed about and spaced apart from a target of a physical vapor deposition chamber and wherein the opening-facing surface is configured to limit particle deposition on an upper surface of the upper portion of the one-piece metal body during sputtering of a target material from the target of the physical vapor deposition chamber.

摘要翻译： 本文提供了用于改善颗粒减少的装置。 在一些实施例中，一种装置可以包括一个包括具有上部和下部的一体式金属体的处理套件屏蔽件，并且具有穿过一体式金属体设置的开口，其中，上部包括面向开口的表面 被配置为围绕物理气相沉积室的目标设置并隔开，并且其中所述面向开口的表面构造成在目标溅射期间限制所述一体金属体的上部的上表面上的颗粒沉积 材料从物理气相沉积室的目标。

公开(公告)号：US20110018073A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12508820

申请日：2009-07-24

申请人： RONGJUN WANG ,  XIANMIN TANG ,  DENGLIANG YANG ,  ZHENDONG LIU ,  SRINIVAS GANDIKOTA

发明人： RONGJUN WANG ,  XIANMIN TANG ,  DENGLIANG YANG ,  ZHENDONG LIU ,  SRINIVAS GANDIKOTA

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517

摘要： Substrate devices having tuned work functions and methods of forming thereof are provided. In some embodiments, forming devices on substrates may include depositing a dielectric layer atop a substrate having a conductivity well; depositing a work function layer comprising titanium aluminum or titanium aluminum nitride having a first nitrogen composition atop the dielectric layer; etching the work function layer to selectively remove at least a portion of the work function layer from atop the dielectric layer; depositing a layer comprising titanium aluminum or titanium aluminum nitride having a second nitrogen composition atop the work function layer and the substrate, wherein at least one of the work function layer or the layer comprises nitrogen; etching the layer and the dielectric layer to selectively remove a portion of the layer and the dielectric layer from atop the substrate; and annealing the substrate at a temperature less than about 1500 degrees Celsius.

摘要翻译： 提供具有调谐功能的衬底器件及其形成方法。 在一些实施例中，在衬底上形成器件可以包括在具有导电性的衬底顶上淀积介电层; 在所述电介质层的顶部沉积包含具有第一氮组成的钛铝或氮化铝钛的功函数层; 蚀刻功函数层以从电介质层顶部选择性地去除功函数层的至少一部分; 在所述功函数层和所述衬底的顶部上沉积包含具有第二氮组成的钛铝或氮化铝钛的层，其中所述功函数层或所述层中的至少一个包含氮; 蚀刻所述层和所述介电层以从所述衬底顶部选择性地去除所述层和所述电介质层的一部分; 并在低于约1500摄氏度的温度下退火衬底。

公开(公告)号：US20110306200A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US13153992

申请日：2011-06-06

申请人： JOUNG JOO LEE ,  XIANMIN TANG ,  TZA-JING GUNG

发明人： JOUNG JOO LEE ,  XIANMIN TANG ,  TZA-JING GUNG

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/2855 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  H01L21/76882

摘要： Methods for forming interconnect structures are provided herein. In some embodiments, a method for forming an interconnect on a substrate may include depositing a material atop an upper surface of the substrate and atop one or more surfaces of a feature disposed in the substrate by a first deposition process that deposits the material at a faster rate on the upper surface than on a bottom surface of the feature; depositing the material atop the upper surface of the substrate and atop one or more surfaces of the feature by a second deposition process that deposits the material at a greater rate on the bottom surface of the feature than on the upper surface of the substrate; and heating the deposited material to draw the deposited material towards the bottom surface of the feature to at least partially fill the feature with the deposited material.

摘要翻译： 本文提供形成互连结构的方法。 在一些实施例中，用于在衬底上形成互连的方法可以包括在衬底的上表面顶部沉积材料，并且通过第一沉积工艺沉积位于衬底中的特征的一个或多个表面上，所述第一沉积工艺以更快的速度沉积材料 在上表面上比在特征的底表面上的速率; 通过第二沉积工艺将所述材料沉积在所述基底的上表面顶部和所述特征的一个或多个表面上方，所述第二沉积工艺在所述特征的底表面上以比在所述基底的上表面上更大的速率沉积材料; 以及加热沉积的材料以将沉积的材料拉向特征的底表面，以至少部分地用沉积的材料填充该特征。

公开(公告)号：US20110298062A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US13116794

申请日：2011-05-26

申请人： SESHADRI GANGULI ,  SANG Ho YU ,  SANG-HYEOB LEE ,  HYOUNG-CHAN HA ,  WEI TI LEE ,  HOON KIM ,  SRINIVAS GANDIKOTA ,  YU LEI ,  KEVIN MORAES ,  XIANMIN TANG

发明人： SESHADRI GANGULI ,  SANG Ho YU ,  SANG-HYEOB LEE ,  HYOUNG-CHAN HA ,  WEI TI LEE ,  HOON KIM ,  SRINIVAS GANDIKOTA ,  YU LEI ,  KEVIN MORAES ,  XIANMIN TANG

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/49

摘要： Metal gate structures and methods for forming thereof are provided herein. In some embodiments, a method for forming a metal gate structure on a substrate having a feature formed in a high k dielectric layer may include depositing a first layer within the feature atop the dielectric layer; depositing a second layer comprising cobalt or nickel within the feature atop the first layer; and depositing a third layer comprising a metal within the feature atop the second layer to fill the feature, wherein at least one of the first or second layers forms a wetting layer to form a nucleation layer for a subsequently deposited layer, wherein one of the first, second, or third layers forms a work function layer, and wherein the third layer forms a gate electrode.

摘要翻译： 本文提供了金属门结构及其形成方法。 在一些实施例中，在具有形成在高k电介质层中的特征的衬底上形成金属栅极结构的方法可以包括在电介质层顶部的特征内沉积第一层; 在所述特征内在所述第一层顶部沉积包含钴或镍的第二层; 以及在第二层顶部沉积包括特征内的金属的第三层以填充该特征，其中第一层或第二层中的至少一层形成润湿层以形成后续沉积层的成核层，其中第一层 第二层或第三层形成功函数层，并且其中第三层形成栅电极。

公开(公告)号：US20120024229A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13195171

申请日：2011-08-01

申请人： GUOJUN LIU ,  XIANMIN TANG ,  QIAN LUO ,  YONG CAO

发明人： GUOJUN LIU ,  XIANMIN TANG ,  QIAN LUO ,  YONG CAO

IPC分类号： C23C16/511 ,  H01F7/02

CPC分类号： H04M3/58 ,  H01F7/0278 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3461 ,  H04L65/1016 ,  H04M2207/18 ,  H04W48/20 ,  H04W60/00 ,  H04W76/10

摘要： Magnetrons for use in physical vapor deposition (PVD) chambers and methods of use thereof are provided herein. In some embodiments, an apparatus may include a support member having an axis of rotation; a plurality of first magnets coupled to the support member on a first side of the axis of rotation and having a first polarity oriented in a first direction perpendicular to the support member; and a second magnet coupled to the support member on a second side of the axis of rotation opposite the first side and having a second polarity oriented in a second direction opposite the first direction. In some embodiments, the apparatus is capable of forming a magnetic field including one or more magnetic nulls that modulate local plasma uniformity in a physical vapor deposition (PVD) chamber.

摘要翻译： 本文提供了用于物理气相沉积（PVD）室的磁控管及其使用方法。 在一些实施例中，装置可以包括具有旋转轴线的支撑构件; 多个第一磁体，其在所述旋转轴线的第一侧上联接到所述支撑构件，并且具有在垂直于所述支撑构件的第一方向上定向的第一极性; 以及第二磁体，其在所述旋转轴线的与所述第一侧相反的第二侧上与所述支撑构件相耦合，并且具有在与所述第一方向相反的第二方向上定向的第二极性。 在一些实施例中，该装置能够形成包括调制物理气相沉积（PVD）室中的局部等离子体均匀性的一个或多个磁零点的磁场。