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    Hybrid signal conditioning/infared imaging structure
    2.
    发明授权
    Hybrid signal conditioning/infared imaging structure 失效
    混合信号调理/成像结构

    公开(公告)号：US5543641A

    公开(公告)日：1996-08-06

    申请号：US471897

    申请日：1995-06-07

    申请人： Mark V. Wadsworth ,  Sebastian R. Borrello ,  Roland W. Gooch

    发明人： Mark V. Wadsworth ,  Sebastian R. Borrello ,  Roland W. Gooch

    IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L29/768

    CPC分类号： H01L27/14881 ,  H01L27/14856

    摘要： A preferred embodiment of this invention is a hybrid semiconductor imaging structure comprising a high speed signal conditioning substrate (e.g. Si 12) and an imaging substrate (e.g. HgCdTe 10) mounted on the conditioning substrate using an adhesive layer (e.g. epoxy 31). Infrared-sensitive time delay and integration CCD columns (14) charge coupled to sense nodes (e.g. diodes 16) are disposed in the imaging substrate. High speed signal processing channels (e.g. capacitive transimpedance amplifier 18, congelated double sampling circuit 20 and multiplexing shift register 22) are disposed in the conditioning substrate. The sense nodes are connected to the signal processing channels with low capacitance hybrid leads (e.g AI 17).

    摘要翻译： 本发明的优选实施例是一种混合半导体成像结构，其包括使用粘合剂层（例如环氧树脂31）安装在调理基板上的高速信号调理基板（例如Si 12）和成像基板（例如HgCdTe 10）。 耦合到感测节点（例如二极管16）的红外敏感时间延迟和积分CCD列（14）被布置在成像衬底中。 高速信号处理通道（例如，电容互阻放大器18，凝结双采样电路20和复用移位寄存器22）设置在调理基板中。 感测节点连接到具有低电容混合引线（例如AI 17）的信号处理通道。

    Hybrid CCD imaging
    3.
    发明授权
    Hybrid CCD imaging 失效
    混合CCD成像

    公开(公告)号：US5449908A

    公开(公告)日：1995-09-12

    申请号：US175876

    申请日：1993-12-30

    申请人： Mark V. Wadsworth ,  Sebastian R. Borrello ,  Roland W. Gooch

    发明人： Mark V. Wadsworth ,  Sebastian R. Borrello ,  Roland W. Gooch

    IPC分类号： H01L27/148

    CPC分类号： H01L27/14881 ,  H01L27/14856

    摘要： A hybrid semiconductor imaging structure comprising a high speed signal conditioning substrate (e.g. Si 12) and an imaging substrate (e.g. HgCdTe 10) mounted on the conditioning substrate using an adhesive layer (e.g. epoxy 31). Infrared-sensitive time delay and integration CCD columns (14) charge coupled to sense nodes (e.g. diodes 16) are disposed in the imaging substrate. High speed signal processing channels (e.g. capacitive transimpedance amplifier 18, correlated double sampling circuit 20 and multiplexing shift register 22) are disposed in the conditioning substrate. The sense nodes are connected to the signal processing channels with low capacitance hybrid leads (e.g A1 17).

    摘要翻译： 包括使用粘合剂层（例如环氧树脂31）安装在调理基板上的高速信号调理基板（例如Si 12）和成像基板（例如HgCdTe 10）的混合半导体成像结构。 耦合到感测节点（例如二极管16）的红外敏感时间延迟和积分CCD列（14）被布置在成像衬底中。 高速信号处理通道（例如，电容跨阻放大器18，相关双采样电路20和复用移位寄存器22）设置在调理基板中。 感测节点连接到具有低电容混合引线（例如A1 17）的信号处理通道。

    Microbolometer and method for forming
    10.
    发明授权
    Microbolometer and method for forming 有权
    微电热计及其成型方法

    公开(公告)号：US06690014B1

    公开(公告)日：2004-02-10

    申请号：US09557748

    申请日：2000-04-25

    申请人： Roland W. Gooch ,  Thomas R. Schimert ,  William L. McCardel ,  Bobbi A. Ritchey

    发明人： Roland W. Gooch ,  Thomas R. Schimert ,  William L. McCardel ,  Bobbi A. Ritchey

    IPC分类号： H01L310376

    CPC分类号： H01L27/14649 ,  G01J5/20

    摘要： A microbolometer is provided that includes an absorber element having material properties to change temperature in response to absorbing infrared radiation. An amorphous silicon detector is thermally coupled to the absorber element and is suspended above a silicon substrate at a height of one-quarter wavelength of the infrared radiation to be detected. The amorphous silicon detector changes electrical resistance in response to the absorber element changing temperature. The microbolometer also includes electrode arms coupled to the silicon substrate to provide structural support for the amorphous silicon detector above the surface of the silicon substrate. The electrode arms further provide electrical connectivity for the microbolometer.

    摘要翻译： 提供了一种微测热计，其包括具有响应于吸收红外辐射而改变温度的材料性质的吸收体元件。 非晶硅检测器热耦合到吸收体元件，并且在待检测的红外辐射的四分之一波长的高度上悬挂在硅衬底上。 非晶硅检测器响应于吸收体元件的变化温度而改变电阻。 微热辐射计还包括耦合到硅衬底的电极臂，以为硅衬底的表面上的非晶硅检测器提供结构支撑。 电极臂还提供用于微热辐射计的电连接。