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1.发明申请NON-VOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING NANO FLOATING GATE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权包括NANO浮动门的非易失性存储器件及其制造方法公开(公告)号：US20150179807A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：US14554937
申请日：2014-11-26
发明人： Jun-Hyung KIM
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/49 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/42332 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L29/4966 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/7883 , H01L51/0529 , H01L51/0533 , H01L51/0537 , H01L51/055 , H01L51/0591
摘要： A non-volatile memory device includes a floating gate for charging and discharging of charges over a substrate. The floating gate comprises a linker layer formed over the substrate and including linkers to be bonded to metal ions and metallic nanoparticles formed out of the metal ions over the linker layer.
摘要翻译： 非易失性存储器件包括用于在衬底上充电和放电电荷的浮动栅极。 浮栅包括形成在衬底上的接头层，并且包括要与金属离子键合的接头和在接合层上由金属离子形成的金属纳米颗粒。
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公开(公告)号：US20150179738A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：US14311043
申请日：2014-06-20
发明人： Jun-Hyung KIM
CPC分类号： H01L29/0676 , B22F1/0018 , B22F9/24 , B22F2999/00 , B82B1/002 , B82B3/0019 , B82Y30/00 , H01L49/006 , H01L2251/5369 , Y10T428/25 , Y10T428/31507 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31786 , Y10T428/31938 , Y10T428/31971 , B22F2202/01 , B22F2202/11
摘要： Provided are a flexible nano structure, a fabrication method thereof, and an application device using the same. The nano structure includes: a flexible substrate; a plurality of linkers formed over the flexible substrate; and at least one metallic nanoparticle grown from a plurality of metal ions bonded to the linkers. In the nano structure, metallic nanoparticles may have an average particle diameter of about 0.5 to 3.0 nm.
摘要翻译： 提供一种柔性纳米结构体及其制造方法以及使用其的应用装置。 纳米结构包括：柔性基底; 形成在柔性基板上的多个接头; 以及从结合到接头上的多个金属离子生长的至少一种金属纳米颗粒。 在纳米结构中，金属纳米粒子的平均粒径可以为约0.5〜3.0nm。
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公开(公告)号：US20150177138A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：US14554856
申请日：2014-11-26
发明人： Jun-Hyung KIM
IPC分类号： G01N21/552 , B32B37/24 , B32B38/00 , C23C16/455
CPC分类号： G01N21/554 , B32B37/24 , B32B38/0008 , B32B2037/243 , C23C16/45525 , G01N33/54346 , Y10T156/10
摘要： Provided is a sensor having a nanostructure as a sensing element and a fabrication method thereof. The sensor includes a nanostructure as a sensing element for sensing a marker over a substrate, wherein the nanostructure includes: a linker layer, including linkers, bonded to the substrate; and metallic nanoparticles grown from metal ions bonded to the linkers.
摘要翻译： 提供了具有纳米结构作为感测元件的传感器及其制造方法。 传感器包括纳米结构作为用于感测衬底上的标记的感测元件，其中所述纳米结构包括：键合到所述衬底的包括接合体的接合层; 和从结合到接头上的金属离子生长的金属纳米颗粒。
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公开(公告)号：US20150174855A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：US14312315
申请日：2014-06-23
发明人： Jun-Hyung KIM
CPC分类号： C23C18/1882 , C23C18/04 , C23C18/08 , C23C18/1204 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/168 , C23C18/1682 , Y10T428/25 , Y10T428/31507 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678 , Y10T428/31721 , Y10T428/31786 , Y10T428/31938 , Y10T428/31971
摘要： Provided are a flexible nano structure, a fabrication method thereof, and an application device using the same, The nano structure includes a flexible substrate; a plurality of dielectric particle supporters formed over the flexible substrate; and a plurality of linkers bonded to the dielectric particle supporters; and one or more metallic nanoparticles bonded to the linkers.
摘要翻译： 本发明提供一种柔性纳米结构体及其制造方法以及使用其的应用装置。纳米结构包括柔性基板; 形成在所述柔性基板上的多个介电粒子支撑体; 和多个结合到电介质颗粒支持体的接头; 和一种或多种与接头结合的金属纳米颗粒。
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公开(公告)号：US20150174613A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：US14312422
申请日：2014-06-23
发明人： Jun-Hyung KIM
IPC分类号： B05D7/00 , B05D3/06 , B05D3/02 , C23C16/455 , C23C16/56
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/45525 , C23C18/04 , C23C18/08 , C23C18/14
摘要： Provided are a flexible nano structure, a fabrication method thereof, and an application device thereof. The method for fabricating a flexible nano structure includes: forming a flexible substrate; forming a plurality of linkers over the flexible substrate; forming a plurality of metal ions over the linkers; and forming one or more metallic nanoparticles over the linkers.
摘要翻译： 提供一种柔性纳米结构，其制造方法及其应用装置。 柔性纳米结构的制造方法包括：形成柔性基板; 在所述柔性基板上形成多个接头; 在接头上形成多个金属离子; 以及在所述接头上形成一种或多种金属纳米粒子。
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6.发明申请METHOD FOR FABRICATING FLEXIBLE NANO STRUCTURE INCLUDING DIELECTRIC PARTICLE SUPPORTERS 审中-公开用于制造柔性纳米结构的方法，包括电介质颗粒支撑体公开(公告)号：US20150174607A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：US14312509
申请日：2014-06-23
发明人： Jun-Hyung KIM
摘要： Provided is a flexible nano structure including dielectric particle supporters, a fabrication method thereof, and an application device thereof. The method for fabricating a flexible nano structure includes: forming a flexible substrate; forming a plurality of dielectric particle supporters with linkers bonded thereto over the flexible substrate; forming a plurality of metal ions over the linkers; and forming one or more metallic nanoparticles over to the linkers.
摘要翻译： 提供包括电介质颗粒支持体的柔性纳米结构体及其制造方法及其应用装置。 柔性纳米结构的制造方法包括：形成柔性基板; 在所述柔性基板上形成多个具有与其结合的接合体的介电粒子支撑体; 在接头上形成多个金属离子; 以及将一种或多种金属纳米粒子形成到所述接头上。
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公开(公告)号：US20170335113A1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：US15666007
申请日：2017-08-01
发明人： Jun-Hyung KIM
CPC分类号： C09D1/00 , B05D1/005 , B05D1/18 , B22F1/0018 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C07F7/025 , C08G77/58 , C08K3/10 , C08K2003/2206 , C22C5/00 , C23C18/14 , C23C18/44 , Y10S977/773 , Y10S977/81 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , B22F2202/01 , B22F2202/11 , B22F2202/13 , B22F2202/05 , B22F2202/06
摘要： Provided are a compound, including metal atoms for forming metal nano particles through a simple process within a short time at a low production cost for commercial purposes, and a solution including the compound.
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8.发明申请NON-VOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING FLEXIBLE CHARGE TRAPPING LAYER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开包含柔性电荷捕获层的非易失性存储器件及其制造方法公开(公告)号：US20150179820A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：US14555077
申请日：2014-11-26
发明人： Jun-Hyung KIM
IPC分类号： H01L29/792 , H01L21/02 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L21/28 , H01L29/423
CPC分类号： H01L21/0228 , B82Y10/00 , H01L29/40114 , H01L29/40117 , H01L29/42332 , H01L29/512 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/7887
摘要： A non-volatile memory device includes a charge trapping layer for trapping charges over a flexible substrate. The charge trapping layer includes a linker layer formed over the flexible substrate and including linkers to be bonded to metal ions; metallic nanoparticles formed out of the metal ions over the linker layer; and a nitride filling gaps between the metallic nanoparticles.
摘要翻译： 非易失性存储器件包括用于在柔性衬底上捕获电荷的电荷俘获层。 电荷捕获层包括在柔性基底上形成的连接层，并且包括要与金属离子键合的接头; 在接头层上形成金属离子的金属纳米颗粒; 以及金属纳米粒子之间的氮化物填充间隙。
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公开(公告)号：US20150175633A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：US14312478
申请日：2014-06-23
发明人： Jun-Hyung KIM
CPC分类号： C07F7/10 , B05D1/185 , B82Y30/00 , C07F1/005 , H01L21/28273 , H01L29/0665 , H01L51/0504 , H01L51/42 , H01L51/50
摘要： Provided are a nano structure, a fabrication method thereof, and an application device using the same. The nano structure includes: a substrate; a plurality of linkers formed over the substrate; and one or more metallic nanoparticles grown from a plurality of metal ions bonded to the linkers. In the nano structure, metallic nanoparticles may have an average particle diameter of about 0.5 to 3.0 nm.
摘要翻译： 提供纳米结构及其制造方法以及使用其的应用装置。 纳米结构包括：基底; 形成在所述基板上的多个接头; 以及从结合到接头的多个金属离子生长的一种或多种金属纳米颗粒。 在纳米结构中，金属纳米粒子的平均粒径可以为约0.5〜3.0nm。
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公开(公告)号：US20150174656A1
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：US14312353
申请日：2014-06-23
发明人： Jun-Hyung KIM
IPC分类号： B22F1/00 , C23C16/06 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/28273 , B82Y40/00
摘要： Provided are a nano structure, a fabrication method thereof, and an application device thereof. The method for fabricating a nano structure includes: forming a substrate; forming a plurality of linkers over the substrate; forming a plurality of metal ions over the linkers; and forming one or more metallic nanoparticles over the linkers.
摘要翻译： 本发明提供纳米结构及其制造方法及其应用装置。 制造纳米结构的方法包括：形成衬底; 在所述基板上形成多个接头; 在接头上形成多个金属离子; 以及在所述接头上形成一种或多种金属纳米粒子。
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