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    ENHANCED DEPOSITION OF NOBLE METALS
    1.
    发明申请
    ENHANCED DEPOSITION OF NOBLE METALS 有权
    增强金属沉积

    公开(公告)号：US20120189774A1

    公开(公告)日：2012-07-26

    申请号：US13239090

    申请日：2011-09-21

    申请人： Suvi P. Haukka ,  Marko J. Tuominen ,  Antti Rahtu

    发明人： Suvi P. Haukka ,  Marko J. Tuominen ,  Antti Rahtu

    IPC分类号： C23C16/06

    CPC分类号： C23C16/08 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562

    摘要： The invention relates generally to processes for enhancing the deposition of noble metal thin films on a substrate by atomic layer deposition. Treatment with gaseous halides or metalorganic compounds reduces the incubation time for deposition of noble metals on particular surfaces. The methods may be utilized to facilitate selective deposition. For example, selective deposition of noble metals on high-k materials relative to insulators can be enhanced by pretreatment with halide reactants. In addition, halide treatment can be used to avoid deposition on the quartz walls of the reaction chamber.

    摘要翻译： 本发明一般涉及通过原子层沉积来增强在衬底上沉积贵金属薄膜的方法。 使用气态卤化物或金属有机化合物进行处理减少了在特定表面上沉积贵金属的孵育时间。 该方法可用于促进选择性沉积。 例如，通过用卤化物反应物进行预处理可以提高贵金属相对于绝缘体的高k材料的选择性沉积。 此外，可以使用卤化物处理以避免沉积在反应室的石英壁上。

    Enhanced deposition of noble metals
    2.
    发明授权
    Enhanced deposition of noble metals 有权
    增强贵金属的沉积

    公开(公告)号：US08501275B2

    公开(公告)日：2013-08-06

    申请号：US13239090

    申请日：2011-09-21

    申请人： Suvi P. Haukka ,  Marko J. Tuominen ,  Antti Rahtu

    发明人： Suvi P. Haukka ,  Marko J. Tuominen ,  Antti Rahtu

    IPC分类号： C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/08 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562

    摘要： The invention relates generally to processes for enhancing the deposition of noble metal thin films on a substrate by atomic layer deposition. Treatment with gaseous halides or metalorganic compounds reduces the incubation time for deposition of noble metals on particular surfaces. The methods may be utilized to facilitate selective deposition. For example, selective deposition of noble metals on high-k materials relative to insulators can be enhanced by pretreatment with halide reactants. In addition, halide treatment can be used to avoid deposition on the quartz walls of the reaction chamber.

    摘要翻译： 本发明一般涉及通过原子层沉积来增强在衬底上沉积贵金属薄膜的方法。 使用气态卤化物或金属有机化合物进行处理减少了在特定表面上沉积贵金属的孵育时间。 该方法可用于促进选择性沉积。 例如，可以通过用卤化物反应物预处理来提高贵金属在高k材料上相对于绝缘体的选择性沉积。 此外，可以使用卤化物处理以避免沉积在反应室的石英壁上。

    Enhanced deposition of noble metals
    3.
    发明授权
    Enhanced deposition of noble metals 有权
    增强贵金属的沉积

    公开(公告)号：US08025922B2

    公开(公告)日：2011-09-27

    申请号：US11375819

    申请日：2006-03-14

    申请人： Suvi P. Haukka ,  Marko J. Tuominen ,  Antti Rahtu

    发明人： Suvi P. Haukka ,  Marko J. Tuominen ,  Antti Rahtu

    IPC分类号： C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/08 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562

    摘要： The invention relates generally to processes for enhancing the deposition of noble metal thin films on a substrate by atomic layer deposition. Treatment with gaseous halides or metalorganic compounds reduces the incubation time for deposition of noble metals on particular surfaces. The methods may be utilized to facilitate selective deposition. For example, selective deposition of noble metals on high-k materials relative to insulators can be enhanced by pretreatment with halide reactants. In addition, halide treatment can be used to avoid deposition on the quartz walls of the reaction chamber.

    摘要翻译： 本发明一般涉及通过原子层沉积来增强在衬底上沉积贵金属薄膜的方法。 使用气态卤化物或金属有机化合物进行处理减少了在特定表面上沉积贵金属的孵育时间。 该方法可用于促进选择性沉积。 例如，可以通过用卤化物反应物预处理来提高贵金属在高k材料上相对于绝缘体的选择性沉积。 此外，可以使用卤化物处理以避免沉积在反应室的石英壁上。

    Atomic layer deposition of thin films on germanium
    4.
    发明授权
    Atomic layer deposition of thin films on germanium 有权
    原子层沉积在锗上的薄膜

    公开(公告)号：US07704896B2

    公开(公告)日：2010-04-27

    申请号：US11336621

    申请日：2006-01-20

    申请人： Suvi P. Haukka ,  Marko Tuominen ,  Antti Rahtu

    发明人： Suvi P. Haukka ,  Marko Tuominen ,  Antti Rahtu

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/518

    摘要： Germanium has higher mobility than silicon and therefore is considered to be a good alternative semiconductor for CMOS technology. Surface treatments a can facilitate atomic layer deposition (ALD) of thin films, such as high-k dielectric layers, on germanium substrates. Surface treatment can comprise the formation of a thin layer of GeOx or GeOxNy. After surface treatment and prior to deposition of the desired thin film, a passivation layer may be deposited on the substrate. The passivation layer may be, for example, a metal oxide layer deposited by ALD.

    摘要翻译： 锗具有比硅更高的迁移率，因此被认为是用于CMOS技术的良好替代半导体。 表面处理a可以促进在锗衬底上的诸如高k电介质层的薄膜的原子层沉积（ALD）。 表面处理可以包括GeO x或GeO x N y的薄层的形成。 在表面处理之后并且在沉积所需的薄膜之前，可以在衬底上沉积钝化层。 钝化层可以是例如由ALD沉积的金属氧化物层。