公开(公告)号：US08993055B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US11588837

申请日：2006-10-27

申请人： Antti Rahtu ,  Eva Tois ,  Kai-Erik Elers ,  Wei-Min Li

发明人： Antti Rahtu ,  Eva Tois ,  Kai-Erik Elers ,  Wei-Min Li

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/08 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/32 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/76843

摘要： Methods of producing metal-containing thin films with low impurity contents on a substrate by atomic layer deposition (ALD) are provided. The methods preferably comprise contacting a substrate with alternating and sequential pulses of a metal source chemical, a second source chemical and a deposition enhancing agent. The deposition enhancing agent is preferably selected from the group consisting of hydrocarbons, hydrogen, hydrogen plasma, hydrogen radicals, silanes, germanium compounds, nitrogen compounds, and boron compounds. In some embodiments, the deposition-enhancing agent reacts with halide contaminants in the growing thin film, improving film properties.

摘要翻译： 提供了通过原子层沉积（ALD）在基板上制造具有低杂质含量的含金属薄膜的方法。 所述方法优选包括使基板与金属源化学品，第二源化学品和沉积增强剂的交替和顺序脉冲接触。 沉积增强剂优选选自烃，氢，氢等离子体，氢原子，硅烷，锗化合物，氮化合物和硼化合物。 在一些实施方案中，沉积增强剂与生长薄膜中的卤化物污染物反应，改善膜性质。

公开(公告)号：US20070148350A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11588837

申请日：2006-10-27

申请人： Antti Rahtu ,  Eva Tois ,  Kai-Erik Elers ,  Wei-Min Li

发明人： Antti Rahtu ,  Eva Tois ,  Kai-Erik Elers ,  Wei-Min Li

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/32 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/76843

摘要： Methods of producing metal-containing thin films with low impurity contents on a substrate by atomic layer deposition (ALD) are provided. The methods preferably comprise contacting a substrate with alternating and sequential pulses of a metal source chemical, a second source chemical and a deposition enhancing agent. The deposition enhancing agent is preferably selected from the group consisting of hydrocarbons, hydrogen, hydrogen plasma, hydrogen radicals, silanes, germanium compounds, nitrogen compounds, and boron compounds. In some embodiments, the deposition-enhancing agent reacts with halide contaminants in the growing thin film, improving film properties.

摘要翻译： 提供了通过原子层沉积（ALD）在基板上制造具有低杂质含量的含金属薄膜的方法。 所述方法优选包括使基板与金属源化学品，第二源化学品和沉积增强剂的交替和顺序脉冲接触。 沉积增强剂优选选自烃，氢，氢等离子体，氢原子，硅烷，锗化合物，氮化合物和硼化合物。 在一些实施方案中，沉积增强剂与生长的薄膜中的卤化物污染物反应，改善膜的性质。

公开(公告)号：US06820570B2

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US10222005

申请日：2002-08-14

申请人： Olli Kilpela ,  Ville Saanila ,  Wei-Min Li ,  Kai-Erik Elers ,  Juhana Kostamo ,  Ivo Raaijmakers ,  Ernst Granneman

发明人： Olli Kilpela ,  Ville Saanila ,  Wei-Min Li ,  Kai-Erik Elers ,  Juhana Kostamo ,  Ivo Raaijmakers ,  Ernst Granneman

IPC分类号： C23C16509

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509

摘要： Various reactors for growing thin films on a substrate by subjecting the substrate to alternately repeated surface reactions of vapor-phase reactants are disclosed. In one embodiment, the reactor comprises a reaction chamber. A showerhead plate divides the reaction chamber into upper and lower parts. A first precursor is directed towards the lower half of the reaction chamber and a second precursor is directed towards the upper half of the reaction chamber. The substrate is disposed within the lower half of the reaction chamber. The showerhead plate includes plurality passages such that the upper half is in communication with the lower half of the reaction chamber. In another arrangement, the upper half of the reaction chamber defines a plasma cavity in which in-situ radicals are formed. In yet another arrangement, the reaction chamber includes a shutter plate, which is configured to selectively open and close the passages in the showerhead plate. In other arrangements, the showerhead plate is arranged to modify the local flow patterns of the gases flowing through the reaction chamber.

摘要翻译： 公开了用于通过使衬底经历气相反应物的交替重复表面反应而在衬底上生长薄膜的各种反应器。 在一个实施方案中，反应器包括反应室。 喷头板将反应室分成上部和下部。 第一前体指向反应室的下半部分，第二前体指向反应室的上半部分。 基板设置在反应室的下半部内。 喷头板包括多个通道，使得上半部分与反应室的下半部连通。 在另一种布置中，反应室的上半部限定了其中形成原位自由基的等离子体腔。 在另一种布置中，反应室包括挡板，其构造成选择性地打开和关闭喷头板中的通道。 在其他布置中，喷头板被布置成改变流过反应室的气体的局部流动模式。

公开(公告)号：US20050092249A1

公开(公告)日：2005-05-05

申请号：US10991556

申请日：2004-11-18

申请人： Olli Kilpela ,  Ville Saanila ,  Wei-Min Li ,  Kai-Erik Elers ,  Juhana Kostamo ,  Ivo Raaijmakers ,  Ernst Granneman

发明人： Olli Kilpela ,  Ville Saanila ,  Wei-Min Li ,  Kai-Erik Elers ,  Juhana Kostamo ,  Ivo Raaijmakers ,  Ernst Granneman

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509

摘要： Various reactors for growing thin films on a substrate by subjecting the substrate to alternately repeated surface reactions of vapor-phase reactants are disclosed. In one embodiment, the reactor comprises a reaction chamber. A showerhead plate divides the reaction chamber into upper and lower parts. A first precursor is directed towards the lower half of the reaction chamber and a second precursor is directed towards the upper half of the reaction chamber. The substrate is disposed within the lower half of the reaction chamber. The showerhead plate includes plurality passages such that the upper half is in communication with the lower half of the reaction chamber. In another arrangement, the upper half of the reaction chamber defines a plasma cavity in which in-situ radicals are formed. In yet another arrangement, the reaction chamber includes a shutter plate, which is configured to selectively open and close the passages in the showerhead plate. In other arrangements, the showerhead plate is arranged to modify the local flow patterns of the gases flowing through the reaction chamber.

摘要翻译： 公开了用于通过使衬底经历气相反应物的交替重复表面反应而在衬底上生长薄膜的各种反应器。 在一个实施方案中，反应器包括反应室。 喷头板将反应室分成上部和下部。 第一前体指向反应室的下半部分，第二前体指向反应室的上半部分。 基板设置在反应室的下半部内。 喷头板包括多个通道，使得上半部分与反应室的下半部连通。 在另一种布置中，反应室的上半部限定了其中形成原位自由基的等离子体腔。 在另一种布置中，反应室包括挡板，其被构造成选择性地打开和关闭喷头板中的通道。 在其他布置中，喷头板被布置成改变流过反应室的气体的局部流动模式。

公开(公告)号：US09564339B2

公开(公告)日：2017-02-07

申请号：US13638075

申请日：2010-03-29

申请人： Juha T. Rantala ,  Thomas Gädda ,  Wei-Min Li ,  David A. Thomas ,  William McLaughlin

发明人： Juha T. Rantala ,  Thomas Gädda ,  Wei-Min Li ,  David A. Thomas ,  William McLaughlin

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/308 ,  C23C18/12

CPC分类号： H01L21/3081 ,  C23C18/1216 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76898

摘要： Method of forming a protective hard mask layer on a substrate in a semiconductor etch process, comprising the step of applying by solution deposition on the substrate a solution or colloidal dispersion of an alumina polymer, said solution or dispersion being obtained by hydrolysis and condensation of monomers of at least one aluminum oxide precursor in a solvent or a solvent mixture in the presence of water and a catalyst. The invention can be used for making a hard mask in a TSV process to form a high aspect ratio via a structure on a semiconductor substrate.

摘要翻译： 在半导体蚀刻工艺中在衬底上形成保护性硬掩模层的方法，包括以下步骤：通过溶液沉积在衬底上施加氧化铝聚合物的溶液或胶体分散体，所述溶液或分散体通过单体的水解和缩合获得 的至少一种氧化铝前体在溶剂或溶剂混合物中，在水和催化剂的存在下。 本发明可以用于在TSV工艺中制造硬掩模，以通过半导体衬底上的结构形成高纵横比。

公开(公告)号：US20130143408A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13638075

申请日：2010-03-29

申请人： Juha T Rantala ,  Thomas Gädda ,  Wei-Min Li ,  David A. Thomas ,  William McLaughlin

发明人： Juha T Rantala ,  Thomas Gädda ,  Wei-Min Li ,  David A. Thomas ,  William McLaughlin

IPC分类号： H01L21/308

CPC分类号： H01L21/3081 ,  C23C18/1216 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76898

摘要： Method of forming a protective hard mask layer on a substrate in a semiconductor etch process, comprising the step of applying by solution deposition on the substrate a solution or colloidal dispersion of an alumina polymer, said solution or dispersion being obtained by hydrolysis and condensation of monomers of at least one aluminium oxide precursor in a solvent or a solvent mixture in the presence of water and a catalyst. The invention can be used for making a hard mask in a TSV process to form a high aspect ratio via a structure on a semiconductor substrate.

摘要翻译： 在半导体蚀刻工艺中在衬底上形成保护性硬掩模层的方法，包括以下步骤：通过溶液沉积在衬底上施加氧化铝聚合物的溶液或胶体分散体，所述溶液或分散体通过单体的水解和缩合获得 的至少一种氧化铝前体在溶剂或溶剂混合物中，在水和催化剂的存在下。 本发明可以用于在TSV工艺中制造硬掩模，以通过半导体衬底上的结构形成高纵横比。

公开(公告)号：US06955986B2

公开(公告)日：2005-10-18

申请号：US10403846

申请日：2003-03-27

申请人： Wei-Min Li

发明人： Wei-Min Li

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/443 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76871

摘要： A process produces a layer of material which functions as a copper barrier layer, adhesion layer and a copper seed layer in a device of an integrated circuit, particularly in damascene or dual damascene structures. The method includes a step of depositing a diffusion barrier layer over a dielectric, a step of depositing a layer of graded metal alloy of two or more metals, and a step of depositing a copper seed layer, which step is essentially a part of the step of depositing the alloy layer.

摘要翻译： 一种方法产生一层材料，其在集成电路的装置中，特别是在镶嵌或双镶嵌结构中用作铜阻挡层，粘附层和铜籽晶层。 该方法包括在电介质上沉积扩散阻挡层的步骤，沉积两种或多种金属的分级金属合金层的步骤和沉积铜籽晶层的步骤，该步骤基本上是步骤的一部分 沉积合金层。

公开(公告)号：US08320628B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12822850

申请日：2010-06-24

申请人： Kuo-Hsiang Cheng ,  Wei-Min Li ,  Long-Tai Chen ,  Dau-Chen Huang

发明人： Kuo-Hsiang Cheng ,  Wei-Min Li ,  Long-Tai Chen ,  Dau-Chen Huang

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G06K9/00805 ,  B60R1/00 ,  B60R2300/302 ,  B60R2300/402 ,  B60R2300/607 ,  B60R2300/806 ,  G06T7/231 ,  G06T2207/10016 ,  G06T2207/30241 ,  G06T2207/30264

摘要： A method and system for assisting driver are provided in the present disclosure, in which images captured by a single image sensing device is processed by a controller having capability of image processing and identification and distance estimation in image space for providing a complete assisting image-information while the carrier is moving forward or backward. By means of the method and system of the presented disclosure, it can identify the image characteristic to be a basis for lane departure assistance/alarm while the carrier is moving forwardly as well as generate assisting track and change view angle or issue an alarm according to the distance estimation while the carrier is moving backwardly. The present disclosure may be utilized and applied in different kinds of carrier type to solve the problem of guiding of carrier maneuvering, and assist carrier lane changing, parking assistance and blind spot detection.

摘要翻译： 在本公开内容中提供了一种用于辅助驾驶员的方法和系统，其中由单个图像感测装置拍摄的图像由具有图像处理和识别能力的控制器以及图像空间中的距离估计来处理，以提供完整的辅助图像信息 而载体正向或向后移动。 通过所提出的公开的方法和系统，它可以识别图像特征，作为载体向前移动时的车道偏离辅助/报警的基础，并且根据所述方法和系统产生辅助轨迹和改变视角，或者根据 承运人向后移动时的距离估计。 本公开可以利用和应用于不同种类的载波类型，以解决载波操纵的引导问题，并且辅助载波车道改变，停车辅助和盲点检测。

公开(公告)号：US07638170B2

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：US11766367

申请日：2007-06-21

申请人： Wei-Min Li

发明人： Wei-Min Li

IPC分类号： C23C16/36

CPC分类号： C23C16/36 ,  C23C16/45531

摘要： Thermal atomic layer deposition processes are provided for growing low resistivity metal carbonitride thin films. Certain embodiments include methods for forming tantalum carbonitride (TaCN) thin films. In preferred embodiments, TaCN thin films with a resistivity of less than about 1000 μΩ·cm are grown from tantalum halide precursors and precursors that contribute both carbon and nitrogen to the growing film. Such precursors include, for example, hexamethyldisilazane (HMDS), tetramethyldisilazane (TMDS), bisdiethylaminosilane (BDEAS) and hexakis(ethylamino)disilane (HEADS).

摘要翻译： 提供热原子层沉积工艺用于生长低电阻率金属碳氮化物薄膜。 某些实施方案包括形成碳氮化钽（TaCN）薄膜的方法。 在优选的实施方案中，电阻率小于约1000μOga.cm的TaCN薄膜从对生长膜贡献碳和氮的卤化钽前体和前体生长。 这些前体包括例如六甲基二硅氮烷（HMDS），四甲基二硅氮烷（TMDS），二二乙基氨基硅烷（BDEAS）和六（乙基氨基）乙硅烷（HEADS）。

公开(公告)号：US09095869B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US14009647

申请日：2011-04-07

申请人： Vaino Kilpi ,  Wei-Min Li ,  Timo Malinen ,  Juhana Kostamo ,  Sven Lindfors

发明人： Vaino Kilpi ,  Wei-Min Li ,  Timo Malinen ,  Juhana Kostamo ,  Sven Lindfors

IPC分类号： H01L21/31 ,  B05C5/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC分类号： B05C5/001 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32871 ,  H01L21/02274

摘要： The invention relates to method including operating a plasma atomic layer deposition reactor configured to deposit material in a reaction chamber on at least one substrate by sequential self-saturating surface reactions, and allowing gas from an inactive gas source to flow into a widening radical in-feed part opening towards the reaction chamber substantially during a whole deposition cycle. The invention also relates to a corresponding apparatus.

摘要翻译： 本发明涉及包括操作等离子体原子层沉积反应器的方法，该等离子体原子层沉积反应器被配置为通过顺序的自饱和表面反应在至少一个衬底上的反应室中沉积材料，并且允许来自惰性气体源的气体流入扩展的自由基， 基本上在整个沉积循环期间向反应室开口的进料部分开口。 本发明还涉及相应的装置。