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    METAL SILICIDE, METAL GERMANIDE, METHODS FOR MAKING THE SAME
    1.
    发明申请
    METAL SILICIDE, METAL GERMANIDE, METHODS FOR MAKING THE SAME 有权
    金属硅化物，金属锗，其制备方法

    公开(公告)号：US20120270393A1

    公开(公告)日：2012-10-25

    申请号：US13452402

    申请日：2012-04-20

    申请人： Viljami J. Pore ,  Suvi P. Haukka ,  Tom E. Blomberg ,  Eva E. Tois

    发明人： Viljami J. Pore ,  Suvi P. Haukka ,  Tom E. Blomberg ,  Eva E. Tois

    IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/3215

    CPC分类号： H01L29/45 ,  C23C16/06 ,  C23C16/406 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

    摘要： In one aspect, methods of silicidation and germanidation are provided. In some embodiments, methods for forming metal silicide can include forming a non-oxide interface, such as germanium or solid antimony, over exposed silicon regions of a substrate. Metal oxide is formed over the interface layer. Annealing and reducing causes metal from the metal oxide to react with the underlying silicon and form metal silicide. Additionally, metal germanide can be formed by reduction of metal oxide over germanium, whether or not any underlying silicon is also silicided. In other embodiments, nickel is deposited directly and an interface layer is not used. In another aspect, methods of depositing nickel thin films by vapor phase deposition processes are provided. In some embodiments, nickel thin films are deposited by ALD.

    摘要翻译： 一方面，提供了硅化和锗化的方法。 在一些实施例中，用于形成金属硅化物的方法可包括在衬底的暴露的硅区上形成非氧化物界面，例如锗或固体锑。 在界面层上形成金属氧化物。 退火和还原使得来自金属氧化物的金属与下面的硅反应并形成金属硅化物。 另外，可以通过在锗上还原金属氧化物来形成金属锗化物，无论底层的硅是否也被硅化。 在其它实施例中，直接沉积镍，并且不使用界面层。 另一方面，提供了通过气相沉积工艺沉积镍薄膜的方法。 在一些实施例中，镍薄膜通过ALD沉积。

    Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide
    4.
    发明授权
    Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide 有权
    沉积镍膜和制造硅化镍和锗锗的方法

    公开(公告)号：US09379011B2

    公开(公告)日：2016-06-28

    申请号：US13592025

    申请日：2012-08-22

    申请人： Viljami J. Pore ,  Suvi P. Haukka ,  Tom E. Blomberg ,  Eva E. Tois

    发明人： Viljami J. Pore ,  Suvi P. Haukka ,  Tom E. Blomberg ,  Eva E. Tois

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66

    CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76886 ,  H01L29/456 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

    摘要： In one aspect, methods of silicidation and germanidation are provided. In some embodiments, methods for forming metal silicide can include forming a non-oxide interface, such as germanium or solid antimony, over exposed silicon regions of a substrate. Metal oxide is formed over the interface layer. Annealing and reducing causes metal from the metal oxide to react with the underlying silicon and form metal silicide. Additionally, metal germanide can be formed by reduction of metal oxide over germanium, whether or not any underlying silicon is also silicided. In other embodiments, nickel is deposited directly and an interface layer is not used. In another aspect, methods of depositing nickel thin films by vapor phase deposition processes are provided. In some embodiments, nickel thin films are deposited by ALD. Nickel thin films can be used directly in silicidation and germanidation processes.

    摘要翻译： 一方面，提供了硅化和锗化的方法。 在一些实施例中，用于形成金属硅化物的方法可包括在衬底的暴露的硅区上形成非氧化物界面，例如锗或固体锑。 在界面层上形成金属氧化物。 退火和还原使得来自金属氧化物的金属与下面的硅反应并形成金属硅化物。 另外，可以通过在锗上还原金属氧化物来形成金属锗化物，无论底层的硅是否也被硅化。 在其它实施例中，直接沉积镍，并且不使用界面层。 另一方面，提供了通过气相沉积工艺沉积镍薄膜的方法。 在一些实施例中，镍薄膜通过ALD沉积。 镍薄膜可以直接用于硅化和锗化工艺。

    Combination CVD/ALD method and source
    5.
    发明申请
    Combination CVD/ALD method and source 审中-公开
    组合CVD / ALD方法和来源

    公开(公告)号：US20140193579A1

    公开(公告)日：2014-07-10

    申请号：US14014435

    申请日：2013-08-30

    申请人： Tom E. Blomberg

    发明人： Tom E. Blomberg

    IPC分类号： C23C16/44

    CPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544

    摘要： The present invention relates generally to methods and apparatus for the controlled growing of material on substrates. According to embodiments of the present invention, a precursor fed is split in to two paths from a precursor source. One of the paths is restricted in a continuous manner. The other path is restricted in a periodic manner. The output of the two paths converges at a point prior to entry of the reactor. Therefore, a single precursor source is able to fed precursor in to a reactor under two different conditions, one which can be seen as mimicking ALD conditions and one which can be seen as mimicking CVD conditions. This allows for an otherwise single mode reactor to be operated in a plurality of modes including one or more ALD/CVD combination modes.

    摘要翻译： 本发明一般涉及在衬底上控制生长材料的方法和装置。 根据本发明的实施方案，将前体进料分离成来自前体源的两条路径。 其中一条路径以连续的方式受到限制。 另一条路径被定期地限制。 两个路径的输出在反应器进入之前的某一点收敛。 因此，单个前体源能够在两种不同的条件下将前体进料到反应器中，其可以被看作模拟ALD条件，也可以被看作模拟CVD条件。 这允许否则单模电抗器以包括一个或多个ALD / CVD组合模式的多种模式操作。

    CRYSTALLINE STRONTIUM TITANATE AND METHODS OF FORMING THE SAME
    6.
    发明申请
    CRYSTALLINE STRONTIUM TITANATE AND METHODS OF FORMING THE SAME 有权
    钛酸锶结晶及其形成方法

    公开(公告)号：US20130108877A1

    公开(公告)日：2013-05-02

    申请号：US13609725

    申请日：2012-09-11

    申请人： Tom E. Blomberg

    发明人： Tom E. Blomberg

    IPC分类号： C30B1/02 ,  C30B29/68 ,  C30B25/18

    CPC分类号： C30B29/32 ,  C30B1/02 ,  C30B1/04 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B29/24 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  Y10T428/31678

    摘要： Methods of forming a crystalline strontium titanate layer may include providing a substrate with a crystal enhancement surface (e.g., Pt), depositing strontium titanate by atomic layer deposition, and conducting a post-deposition anneal to crystallize the strontium titanate. Large single crystal domains may be formed, laterally extending greater distances than the thickness of the strontium titanate and demonstrating greater ordering than the underlying crystal enhancement surface provided to initiate ALD. Functional oxides, particularly perovskite complex oxides, can be heteroepitaxially deposited over the crystallized STO.

    摘要翻译： 形成结晶钛酸锶层的方法可以包括提供具有晶体增强表面（例如Pt）的衬底，通过原子层沉积沉积钛酸锶，并进行后沉积退火以使钛酸锶结晶。 可以形成大的单晶畴，横向延伸比钛酸锶的厚度更大的距离，并显示出比提供用于引发ALD的下面的晶体增强表面更大的顺序。 功能氧化物，特别是钙钛矿复合氧化物，可以异质外延沉积在结晶的STO上。

    Crystalline strontium titanate and methods of forming the same
    8.
    发明授权
    Crystalline strontium titanate and methods of forming the same 有权
    结晶钛酸锶及其形成方法

    公开(公告)号：US09062390B2

    公开(公告)日：2015-06-23

    申请号：US13609725

    申请日：2012-09-11

    申请人： Tom E. Blomberg

    发明人： Tom E. Blomberg

    IPC分类号： C30B1/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/32 ,  C30B29/68

    CPC分类号： C30B29/32 ,  C30B1/02 ,  C30B1/04 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B29/24 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  Y10T428/31678

    摘要： Methods of forming a crystalline strontium titanate layer may include providing a substrate with a crystal enhancement surface (e.g., Pt), depositing strontium titanate by atomic layer deposition, and conducting a post-deposition anneal to crystallize the strontium titanate. Large single crystal domains may be formed, laterally extending greater distances than the thickness of the strontium titanate and demonstrating greater ordering than the underlying crystal enhancement surface provided to initiate ALD. Functional oxides, particularly perovskite complex oxides, can be heteroepitaxially deposited over the crystallized STO.

    摘要翻译： 形成结晶钛酸锶层的方法可以包括提供具有晶体增强表面（例如Pt）的衬底，通过原子层沉积沉积钛酸锶，并进行后沉积退火以使钛酸锶结晶。 可以形成大的单晶畴，横向延伸比钛酸锶的厚度更大的距离，并显示出比提供用于引发ALD的下面的晶体增强表面更大的顺序。 功能氧化物，特别是钙钛矿复合氧化物，可以异质外延沉积在结晶的STO上。

    METHODS FOR DEPOSITING NICKEL FILMS AND FOR MAKING NICKEL SILICIDE AND NICKEL GERMANIDE
    9.
    发明申请
    METHODS FOR DEPOSITING NICKEL FILMS AND FOR MAKING NICKEL SILICIDE AND NICKEL GERMANIDE 有权
    沉积镍膜和制备镍硅胶和镍基锗的方法

    公开(公告)号：US20130115768A1

    公开(公告)日：2013-05-09

    申请号：US13592025

    申请日：2012-08-22

    申请人： Viljami J. Pore ,  Suvi P. Haukka ,  Tom E. Blomberg ,  Eva E. Tois

    发明人： Viljami J. Pore ,  Suvi P. Haukka ,  Tom E. Blomberg ,  Eva E. Tois

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76886 ,  H01L29/456 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

    摘要： In one aspect, methods of silicidation and germanidation are provided. In some embodiments, methods for forming metal silicide can include forming a non-oxide interface, such as germanium or solid antimony, over exposed silicon regions of a substrate. Metal oxide is formed over the interface layer. Annealing and reducing causes metal from the metal oxide to react with the underlying silicon and form metal silicide. Additionally, metal germanide can be formed by reduction of metal oxide over germanium, whether or not any underlying silicon is also silicided. In other embodiments, nickel is deposited directly and an interface layer is not used. In another aspect, methods of depositing nickel thin films by vapor phase deposition processes are provided. In some embodiments, nickel thin films are deposited by ALD. Nickel thin films can be used directly in silicidation and germanidation processes.

    摘要翻译： 一方面，提供了硅化和锗化的方法。 在一些实施例中，用于形成金属硅化物的方法可包括在衬底的暴露的硅区上形成非氧化物界面，例如锗或固体锑。 在界面层上形成金属氧化物。 退火和还原使得来自金属氧化物的金属与下面的硅反应并形成金属硅化物。 另外，可以通过在锗上还原金属氧化物来形成金属锗化物，无论底层的硅是否也被硅化。 在其它实施例中，直接沉积镍，并且不使用界面层。 另一方面，提供了通过气相沉积工艺沉积镍薄膜的方法。 在一些实施例中，镍薄膜通过ALD沉积。 镍薄膜可以直接用于硅化和锗化工艺。

    Method of pulsing vapor precursors in an ALD reactor
    10.
    发明授权
    Method of pulsing vapor precursors in an ALD reactor 有权
    在ALD反应器中脉冲蒸气前体的方法

    公开(公告)号：US07846499B2

    公开(公告)日：2010-12-07

    申请号：US11026208

    申请日：2004-12-30

    申请人： Tom E. Blomberg

    发明人： Tom E. Blomberg

    IPC分类号： C23C16/455 ,  C30B25/14

    CPC分类号： C23C16/45527

    摘要： A method of growing a thin film on a substrate by pulsing vapor-phase precursors material into a reaction chamber according to the ALD method. The method comprises vaporizing at least one precursor from a source material container maintained at a vaporising temperature, repeatedly feeding pulses of the vaporized precursor via a feed line into the reaction chamber at a first pressure, and subsequently purging the reaction chamber with pulses of inactive gas fed via the feed line at a second pressure. The second pressure is maintained at the same as or a higher level than the first pressure for separating successive pulses of said vaporized precursor from each other.

    摘要翻译： 根据ALD法将气相前体材料脉冲化成反应室的方法，在基片上生长薄膜。 该方法包括将来自保持在汽化温度的源材料容器中的至少一种前体汽化，在第一压力下经由进料管线重复地将经蒸发的前体的脉冲进料到反应室中，随后用惰性气体脉冲吹扫反应室 通过进料管线以第二压力进料。 第二压力保持在与用于将所述蒸发前体的连续脉冲彼此分离的第一压力相同或更高的水平。