公开(公告)号：US20100130101A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12621376

申请日：2009-11-18

申请人： YUCHUN WANG ,  Long Cheng ,  Kuo-Lih Chang ,  Wei-Yung Hsu ,  Wen-Chiang Tu

发明人： YUCHUN WANG ,  Long Cheng ,  Kuo-Lih Chang ,  Wei-Yung Hsu ,  Wen-Chiang Tu

IPC分类号： B24B49/04 ,  B24B49/10 ,  B24B49/12 ,  B24B57/02

CPC分类号： B24B37/042 ,  B24B49/10 ,  B24B49/12 ,  B24B57/02

摘要： Embodiments described herein provide a method for polishing a substrate surface. The methods generally include storing processing components in multiple storage units during processing, and combining the processing components to create a slurry while flowing the processing components to a polishing pad. A substrate is polished using the slurry, and the thickness of a material layer disposed on the substrate is determined. The flow rate of one or more processing components is then adjusted to affect the rate of removal of the material layer disposed on the substrate.

摘要翻译： 本文所述的实施例提供了一种用于抛光衬底表面的方法。 所述方法通常包括在处理期间将处理组件存储在多个存储单元中，并且将处理组件组合以在将处理组件流动到抛光垫的同时产生浆料。 使用浆料对基材进行研磨，并测定设置在基材上的材料层的厚度。 然后调整一个或多个处理部件的流速以影响设置在基板上的材料层的去除速率。

公开(公告)号：US20090061743A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12195922

申请日：2008-08-21

申请人： STEPHEN JEW ,  Jimin Zhang ,  Kuo-Lih Chang ,  Shih-Haur Shen ,  Wen-Chiang Tu

发明人： STEPHEN JEW ,  Jimin Zhang ,  Kuo-Lih Chang ,  Shih-Haur Shen ,  Wen-Chiang Tu

IPC分类号： B24B29/00

CPC分类号： B24B37/042 ,  B24B53/003 ,  B24B53/017

摘要： A method and apparatus for pre-conditioning a new soft polishing pad and processing a substrate on a soft polishing pad is described. The method includes coupling a soft polishing pad to a platen, contacting the processing surface of the soft polishing pad with a conditioning disk, applying a pressure conditioning disk, removing the conditioning disk from contact with the processing surface of the soft polishing pad, and contacting a first substrate with the processing surface of the soft polishing pad to perform a polishing process on the first substrate.

摘要翻译： 描述了用于预处理新的软抛光垫并在软抛光垫上处理基板的方法和装置。 该方法包括将软抛光垫连接到压板上，将软抛光垫的处理表面与调节盘接触，施加压力调节盘，去除调节盘以与软抛光垫的处理表面接触，以及接触 第一基板，其具有软抛光垫的处理表面，以在第一基板上执行抛光处理。

公开(公告)号：US20060006074A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US11196876

申请日：2005-08-04

申请人： Feng Liu ,  Tianbao Du ,  Alain Duboust ,  Yan Wang ,  Yongqi Hu ,  Stan Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Wen-Chiang Tu ,  Wei-Yung Hsu

发明人： Feng Liu ,  Tianbao Du ,  Alain Duboust ,  Yan Wang ,  Yongqi Hu ,  Stan Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Wen-Chiang Tu ,  Wei-Yung Hsu

IPC分类号： B23H5/00

CPC分类号： B23H5/08 ,  B24B37/042 ,  C25F3/02 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/7684

摘要： Polishing compositions and methods for removing conductive materials from a substrate surface are provided. In one aspect, a method is provided for processing a substrate to remove conductive material disposed over narrow feature definitions formed in a substrate at a higher removal rate than conductive material disposed over wide feature definitions formed in a substrate by an electrochemical mechanical polishing technique, and then polishing the substrate by at least a chemical mechanical polishing technique.

摘要翻译： 提供了抛光组合物和从衬底表面去除导电材料的方法。 在一个方面，提供了一种处理衬底以除去布置在形成于衬底中的窄特征定义上的导电材料的方法，该导电材料以比通过电化学机械抛光技术在衬底中形成的宽特征定义上布置的导电材料更高的去除速率除去，以及 然后用至少一种化学机械抛光技术研磨衬底。

公开(公告)号：US07323416B2

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US11196876

申请日：2005-08-04

申请人： Feng Q. Liu ,  Tianbao Du ,  Alain Duboust ,  Yan Wang ,  Yongqi Hu ,  Stan D. Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Wen-Chiang Tu ,  Wei-Yung Hsu

发明人： Feng Q. Liu ,  Tianbao Du ,  Alain Duboust ,  Yan Wang ,  Yongqi Hu ,  Stan D. Tsai ,  Liang-Yuh Chen ,  Wen-Chiang Tu ,  Wei-Yung Hsu

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： B23H5/08 ,  B24B37/042 ,  C25F3/02 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/7684

摘要： Polishing compositions and methods for removing conductive materials from a substrate surface are provided. In one aspect, a method is provided for processing a substrate to remove conductive material disposed over narrow feature definitions formed in a substrate at a higher removal rate than conductive material disposed over wide feature definitions formed in a substrate by an electrochemical mechanical polishing technique, and then polishing the substrate by at least a chemical mechanical polishing technique.

摘要翻译： 提供了抛光组合物和从衬底表面去除导电材料的方法。 在一个方面，提供了一种处理衬底以除去布置在形成于衬底中的窄特征定义上的导电材料的方法，该导电材料以比通过电化学机械抛光技术在衬底中形成的宽特征定义上布置的导电材料更高的去除速率除去，以及 然后用至少一种化学机械抛光技术研磨衬底。

公开(公告)号：US09073169B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13223159

申请日：2011-08-31

申请人： Kun Xu ,  Ingemar Carlsson ,  Feng Q. Liu ,  David Maxwell Gage ,  You Wang ,  Dominic J. Benvegnu ,  Boguslaw A. Swedek ,  Yuchun Wang ,  Pierre Fontarensky ,  Wen-Chiang Tu ,  Lakshmanan Karuppiah

发明人： Kun Xu ,  Ingemar Carlsson ,  Feng Q. Liu ,  David Maxwell Gage ,  You Wang ,  Dominic J. Benvegnu ,  Boguslaw A. Swedek ,  Yuchun Wang ,  Pierre Fontarensky ,  Wen-Chiang Tu ,  Lakshmanan Karuppiah

IPC分类号： G06F19/00 ,  H01L21/00 ,  B24B49/00 ,  B24B37/005 ,  B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B49/12 ,  G01B11/06

CPC分类号： B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/107 ,  B24B37/30 ,  B24B49/12 ,  G01B11/0683

摘要： A method of controlling polishing includes polishing a first substrate having an overlying layer on an underlying layer or layer structure. During polishing, the substrate is monitored with an in-situ monitoring system to generate a sequence of measurements. The measurements are sorted into groups, each group associated with a different zone of a plurality of zones on the substrate. For each zone, a time at which the overlying layer is cleared is determined based on the measurements from the associated group. At least one second adjusted polishing pressure for at least zone is calculated based on a pressure applied in the at least one zone during polishing the substrate, the time for the at least one zone, and the time for another zone. A second substrate is polished using the at least one adjusted polishing pressure.

摘要翻译： 控制抛光的方法包括在下层或层结构上抛光具有上层的第一衬底。 在抛光期间，用原位监测系统监测基底以产生测量序列。 测量被分组成组，每个组与衬底上的多个区域的不同区域相关联。 对于每个区域，基于来自关联组的测量来确定覆盖层被清除的时间。 基于在抛光衬底期间在至少一个区域中施加的压力，至少一个区域的时间和另一个区域的时间来计算至少一个至少一个区域的调整后的第二抛光压力。 使用至少一个调整的抛光压力来抛光第二基底。

公开(公告)号：US20130186850A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13357535

申请日：2012-01-24

申请人： You Wang ,  Chenhao Ge ,  Yufei Chen ,  Yuchun Wang ,  Wen-Chiang Tu ,  Lakshmanan Karuppiah

发明人： You Wang ,  Chenhao Ge ,  Yufei Chen ,  Yuchun Wang ,  Wen-Chiang Tu ,  Lakshmanan Karuppiah

IPC分类号： C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  H05K3/26

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/045 ,  H05K3/107 ,  H01L2924/00

摘要： A slurry for chemical mechanical of a cobalt layer or a conductive layer over a cobalt layer includes abrasive particles, an organic complexing compound for Cu or Co ion complexion, a Co corrosion inhibitor that is 0.01-1.0 wt % of the slurry, an oxidizer, and a solvent. The slurry has a pH of 7-12.

摘要翻译： 用于钴层或钴层上的导电层的化学机械的浆料包括磨料颗粒，用于Cu或Co离子表面的有机络合化合物，作为浆料的0.01-1.0重量％的Co腐蚀抑制剂，氧化剂， 和溶剂。 浆液的pH为7-12。

公开(公告)号：US20100185314A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12697177

申请日：2010-01-29

申请人： Kun Xu ,  Feng Liu ,  Dominic J. Benvegnu ,  Boguslaw A. Swedek ,  Yuchun Wang ,  Wen-Chiang Tu ,  Laksh Karuppiah

发明人： Kun Xu ,  Feng Liu ,  Dominic J. Benvegnu ,  Boguslaw A. Swedek ,  Yuchun Wang ,  Wen-Chiang Tu ,  Laksh Karuppiah

IPC分类号： G06F17/00 ,  G01B11/02

CPC分类号： H01L22/26 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  C01G9/00 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  H01L21/30625 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： In polishing a substrate having a layer of GST disposed over an underlying layer, during polishing, a non-polarized light beam is directed onto the layer of GST. The non-polarized light beam reflects from the first substrate to generate a reflected light beam having an infra-red component. A sequence of measurements of intensity of the infra-red component of the reflected light beam are generated, and, in a processor, a time at which the sequence of measurements exhibits a predefined feature is determined.

摘要翻译： 在抛光具有设置在下面的层上的GST层的衬底时，在抛光期间，非偏振光束被引导到GST层上。 非偏振光束从第一衬底反射以产生具有红外分量的反射光束。 产生反射光束的红外分量的强度测量序列，并且在处理器中确定测量序列呈现预定特征的时间。

公开(公告)号：US20100116990A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12267526

申请日：2008-11-07

申请人： Kun Xu ,  Feng Q. Liu ,  Yuchun Wang ,  Abraham Ravid ,  Wen-Chiang Tu

发明人： Kun Xu ,  Feng Q. Liu ,  Yuchun Wang ,  Abraham Ravid ,  Wen-Chiang Tu

IPC分类号： G01J5/02 ,  G01T1/24

CPC分类号： G01B11/0683 ,  B24B37/005 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Methods of determining thickness and phase of a GST layer on a semiconductor substrate are described using intensity spectra within the infra-red range. In particular, techniques for using certain transmission at certain frequencies are disclosed for faster thickness and phase determination in an in-line or standalone metrology/monitoring system for CMP processes.

摘要翻译： 使用在红外范围内的强度光谱来描述确定半导体衬底上的GST层的厚度和相位的方法。 特别地，公开了在某些频率下使用某些传输的技术，用于在用于CMP工艺的在线或独立计量/监测系统中更快的厚度和相位确定。

公开(公告)号：US08586481B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13105658

申请日：2011-05-11

申请人： You Wang ,  Wen-Chiang Tu ,  Feng Q. Liu ,  Yuchun Wang ,  Lakshmanan Karuppiah ,  William H. McClintock ,  Barry L. Chin

发明人： You Wang ,  Wen-Chiang Tu ,  Feng Q. Liu ,  Yuchun Wang ,  Lakshmanan Karuppiah ,  William H. McClintock ,  Barry L. Chin

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3212 ,  B24B37/044 ,  C09G1/04 ,  H01L21/7684

摘要： Embodiments described herein relate to removing material from a substrate. More particularly, the embodiments described herein relate to polishing or planarizing a substrate by a chemical mechanical polishing process. In one embodiment, a method of chemical mechanical polishing (CMP) of a substrate is provided. The method comprises exposing a substrate having a conductive material layer formed thereon to a polishing solution comprising phosphoric acid, one or more chelating agents, one or more corrosion inhibitors, and one or more oxidizers, forming a passivation layer on the conductive material layer, providing relative motion between the substrate and a polishing pad and removing at least a portion of the passivation layer to expose a portion of the underlying conductive material layer, and removing a portion of the exposed conductive material layer.

摘要翻译： 本文所述的实施例涉及从衬底去除材料。 更具体地，本文所述的实施例涉及通过化学机械抛光工艺抛光或平面化基板。 在一个实施例中，提供了基板的化学机械抛光（CMP）的方法。 该方法包括将其上形成有导电材料层的基底暴露于包含磷酸，一种或多种螯合剂，一种或多种腐蚀抑制剂和一种或多种氧化剂的抛光溶液，在导电材料层上形成钝化层，提供 衬底和抛光垫之间的相对运动，并去除钝化层的至少一部分以暴露下面的导电材料层的一部分，以及去除暴露的导电材料层的一部分。

公开(公告)号：US20120064801A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13223159

申请日：2011-08-31

申请人： Kun Xu ,  Ingemar Carlsson ,  Feng Q. Liu ,  David Maxwell Gage ,  You Wang ,  Dominic J. Benvegnu ,  Boguslaw A. Swedek ,  Yuchun Wang ,  Pierre Fontarensky ,  Wen-Chiang Tu ,  Lakshmanan Karuppiah

发明人： Kun Xu ,  Ingemar Carlsson ,  Feng Q. Liu ,  David Maxwell Gage ,  You Wang ,  Dominic J. Benvegnu ,  Boguslaw A. Swedek ,  Yuchun Wang ,  Pierre Fontarensky ,  Wen-Chiang Tu ,  Lakshmanan Karuppiah

IPC分类号： B24B49/00

CPC分类号： B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/107 ,  B24B37/30 ,  B24B49/12 ,  G01B11/0683

摘要： A method of controlling polishing includes polishing a first substrate having an overlying layer on an underlying layer or layer structure. During polishing, the substrate is monitored with an in-situ monitoring system to generate a sequence of measurements. The measurements are sorted into groups, each group associated with a different zone of a plurality of zones on the substrate. For each zone, a time at which the overlying layer is cleared is determined based on the measurements from the associated group. At least one second adjusted polishing pressure for at least zone is calculated based on a pressure applied in the at least one zone during polishing the substrate, the time for the at least one zone, and the time for another zone. A second substrate is polished using the at least one adjusted polishing pressure.

摘要翻译： 控制抛光的方法包括在下层或层结构上抛光具有上层的第一衬底。 在抛光期间，用原位监测系统监测基底以产生测量序列。 测量被分组成组，每个组与衬底上的多个区域的不同区域相关联。 对于每个区域，基于来自关联组的测量来确定覆盖层被清除的时间。 基于在抛光衬底期间在至少一个区域中施加的压力，至少一个区域的时间和另一个区域的时间来计算至少一个至少一个区域的调整后的第二抛光压力。 使用至少一个调整的抛光压力来抛光第二基底。