公开(公告)号：WO2015136365A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：PCT/IB2015/000562

申请日：2015-03-12

Applicant: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  LANSALOT-MATRAS, Clement ,  LEE, Jooho ,  LIEFFRIG, Julien

Inventor： LANSALOT-MATRAS, Clement ,  LEE, Jooho ,  LIEFFRIG, Julien

IPC: C07F7/28 ,  C07F7/00

CPC classification number: H01L21/02205 ,  C07F7/00 ,  C07F7/28 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/108

Abstract: Disclosed are Group 4 transition metal-containing thin film forming precursors. Also disclosed are vapor deposition methods using the disclosed precursors to deposit Group 4 transition metal-containing thin films on one or more substrates.

Abstract translation: 公开了第4族含过渡金属的薄膜形成前体。 还公开了使用所公开的前体在一个或多个基底上沉积含有4族过渡金属的薄膜的气相沉积方法。

公开(公告)号：WO2015130108A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/KR2015/001886

申请日：2015-02-26

Applicant: 주식회사 유진테크 머티리얼즈

Inventor： 이근수 ,  한정민

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C09D1/00 ,  C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/285

Abstract: 특정한 화학식으로 표시되는 지환족 불포화 화합물 또는 특정한 화학식으로 표시되는 방향족 화합물 1몰 내지 3몰; 및 특정 화학식으로 표시되는 사이클로펜타디에닐 지르코늄(IV)계 화합물 1몰 내지 3몰의 비율로 혼합된 것을 특징으로 하는 지르코늄 함유막 형성용 전구체 조성물 및 이를 이용한 지르코늄 함유막 형성 방법이 개시된다. 상기 조성물에서 상기 2종의 구성 화합물은 서로 반응하지 않고 액체 상태에서 서로 안정하고 균일하게 혼합된 상태로 존재하기 때문에, 상기 조성물은 마치 하나의 화합물처럼 거동하며 높은 증기압을 나타낸다. 상기 본 발명의 조성물을 사용하면 간편하게 경제적으로 고품질의 지르코니아와 같은 지르코늄 함유막을 얻을 수 있다.

Abstract translation: 公开了用于形成含锆膜的前体组合物和使用其的含锆膜的形成方法，其中组合物的特征在于由特定化学式表示的脂环族不饱和化合物或由 特殊化学式; 和由特定化学式表示的环戊二烯基锆（IV）基化合物以1-3：1-3的摩尔比混合。 在组合物中，两种组成化合物彼此稳定并且以液态彼此均匀混合，彼此不反应，因此组合物的作用就像单一化合物，并表现出高的蒸汽压力。 使用本发明的组合物可以方便且经济地获得含锆膜，如高品质氧化锆。

公开(公告)号：WO2015093389A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/JP2014/082840

申请日：2014-12-11

Applicant: 廣瀬 文彦

Inventor： 廣瀬　文彦 ,  鹿又　健作

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517

Abstract: 固体基板上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の形成方法において、反応容器１内に固体基板３を設置し、固体基板の温度を、０℃より高く、１５０℃以下に保持し、反応容器内にテトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウムあるいは、テトラキス（エチルメチルアミノ）ジルコニウムを含む有機金属ガスを充満させる工程と、前記有機金属ガスを前記反応容器から排気するか又は前記反応容器内に不活性ガスを充満させる工程と、酸素と水蒸気とを含むガスをプラズマ化して酸素及び水蒸気を励起したプラズマガスを生成し、当該プラズマガスを前記反応容器に導入する工程と、前記反応容器からプラズマガスを排気するか又は前記反応容器内に不活性ガスを充満させる工程とを含む一連の工程を繰り返すことにより酸化物薄膜を形成する。

Abstract translation: 一种在固体基板上形成氧化物薄膜的方法，其中通过重复一系列步骤形成氧化物薄膜，所述步骤包括：将固体基质（3）设置在反应容器（1）中并进行反应的步骤 在含有四（乙基甲基氨基）铪或四（乙基甲基氨基）锆的有机金属气体中填充容器，同时将固体基质保持在高于0℃但是150℃或更低的温度; 其中有机金属气体从反应容器中排出或反应容器中填充有惰性气体; 将含有氧气和水蒸汽的气体激发到等离子体中以产生激发的氧气和水蒸气的等离子体气体并将等离子体气体引入到反应容器中的步骤; 以及其中等离子体气体从反应容器中排出或反应容器填充有惰性气体的步骤。

公开(公告)号：WO2013163343A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/US2013/038063

申请日：2013-04-24

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  HUNG, Steven ,  NOORI, Atif ,  SENZAKI, Yoshihide ,  THOMPSON, David

Inventor： HUNG, Steven ,  NOORI, Atif ,  SENZAKI, Yoshihide ,  THOMPSON, David

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517

Abstract: Described are methods for atomic layer deposition of films comprising mixed metal oxides using metal amidinate precursors. The mixed metal oxide films may comprise a lanthanide and a transition metal such as hafnium, zirconium or titanium. Such mixed metal oxide films may be used as dielectric layers in capacitors, transistors, dynamic random access memory cells, resistive random access memory cells, flash memory cells and display panels.

Abstract translation: 描述了使用金属脒前体的包含混合金属氧化物的膜的原子层沉积的方法。 混合的金属氧化物膜可以包含镧系元素和过渡金属如铪，锆或钛。 这种混合金属氧化物膜可以用作电容器，晶体管，动态随机存取存储器单元，电阻随机存取存储器单元，闪存单元和显示面板中的介电层。

公开(公告)号：WO2013147856A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/US2012/031486

申请日：2012-03-30

Applicant: INTEL CORPORATION ,  ZIMMERMAN, Paul A. ,  CLENDENNING, Scott B. ,  ROMERO, Patricio E. ,  FISCHER, Paul B. ,  EDGEWORTH, Robert

Inventor： ZIMMERMAN, Paul A. ,  CLENDENNING, Scott B. ,  ROMERO, Patricio E. ,  FISCHER, Paul B. ,  EDGEWORTH, Robert

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/481 ,  H01L23/60 ,  H01L23/642 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544

Abstract: Techniques are disclosed for forming through-silicon vias (TSVs) implementing a negative thermal expansion (NTE) material such as zirconium tungstate (ZrW2O8) or hafnium tungstate (HfW2O8). In some cases, the NTE material is disposed between the substrate and conductive core material of the TSV and serves to offset, at least in part, the coefficient of thermal expansion (CTE) mismatch there between, thus reducing heat-induced stresses and/or protrusion (pumping) of the conductive core material. The NTE material also may protect against leakage, voltage breakdown, and/or diffusion of the conductive core material. Furthermore, the NTE material may reduce radial stresses in high-aspect-ratio TSVs. In some cases, techniques disclosed herein may improve TSV reliability, enhance three-dimensional integration, and/or enhance performance in three-dimensional integrated circuits and/or other three-dimensional packages. Other embodiments which can employ techniques described herein will be apparent in light of this disclosure.

Abstract translation: 公开了形成实现负热膨胀（NTE）材料如钨酸锆（ZrW2O8）或钨酸铪（HfW2O8）的穿硅通孔（TSV）的技术。 在一些情况下，NTE材料设置在TSV的衬底和导电芯材之间，并且用于至少部分地抵消其间的热膨胀系数（CTE）失配，从而减少热诱导的应力和/或 突出（泵送）导电芯材料。 NTE材料还可以防止导电芯材料的泄漏，电压击穿和/或扩散。 此外，NTE材料可以降低高纵横比TSV中的径向应力。 在一些情况下，本文公开的技术可以提高三维集成电路和/或其他三维封装中的TSV可靠性，增强三维集成和/或增强性能。 根据本公开，可以使用本文描述的技术的其他实施例将是显而易见的。

公开(公告)号：WO2013146118A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/JP2013/055961

申请日：2013-03-05

Applicant: 株式会社日立国際電気

Inventor： 南　嘉一郎 ,  小川　雲龍 ,  赤尾　徳信 ,  八島　伸二 ,  梅川　純史 ,  奥野　正久 ,  定田　拓也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/268 ,  H05B6/64

CPC classification number: H01L21/02189 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67781 ,  H01L29/517 ,  H05B6/806

Abstract: 基板を支持する基板支持部を有する処理空間と、前記処理空間にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記処理空間に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記処理空間からガスを排出するガス排出部と、前記処理空間のガスの酸素濃度を検出する酸素濃度検出部と、前記基板支持部に基板が支持された状態で、前記酸素濃度検出部が検出した前記処理空間のガスの酸素濃度が閾値以下である場合に、前記マイクロ波供給部から前記処理空間にマイクロ波を供給するよう制御する制御部と、を備えるように基板処理装置を構成する。

Abstract translation: 该基板处理装置被配置为具有：具有用于支撑基板的基板支撑单元的处理空间; 微波供应部分，其向处理空间提供微波; 气体供给单元，其向处理空间供给惰性气体; 气体排出单元，其从处理空间排出气体; 氧浓度检测单元，其检测处理空间中的气体的氧浓度; 以及控制单元，其控制从微波供给单元向处理空间供给的微波，在处理空间中的气体的氧浓度，通过氧浓度检测检测到所述氧浓度的情况下 在基板被基板支撑单元支撑的状态下等于或小于阈值。

公开(公告)号：WO2013070437A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/US2012/061731

申请日：2012-10-24

Applicant: INTERMOLECULAR, INC. ,  ELPIDA MEMORY, INC.

Inventor： MALHOTRA, Sandra ,  CHEN, Hanhong ,  DEWEERD, Wim ,  HIROTA, Toshiyuki ,  ODE, Hiroyuki

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L28/60 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56 ,  H01L29/4234

Abstract: A method for doping a dielectric material by pulsing a first dopant precursor, purging the non-adsorbed precursor, pulsing a second precursor, purging the non-adsorbed precursor, and pulsing a oxidant to form an intermixed layer of two (or more) metal oxide dielectric dopant materials. The method may also be used to form a blocking layer between a bulk dielectric layer and a second electrode layer. The method improves the control of the composition and the control of the uniformity of the dopants throughout the thickness of the doped dielectric material.

Abstract translation: 一种用于通过脉冲第一掺杂剂前体掺杂电介质材料的方法，清洗未吸附的前体，脉冲第二前体，净化未吸附的前体，以及脉冲氧化剂以形成两个（或多个）金属氧化物的混合层 电介质掺杂剂材料。 该方法还可用于在体电介质层和第二电极层之间形成阻挡层。 该方法改善了组合物的控制和掺杂介质材料整个厚度均匀性的控制。

公开(公告)号：WO2013066667A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/US2012/061447

申请日：2012-10-23

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  XUE, Jun ,  LIU, Jie ,  CHEN, Yongmei ,  MICHAELSON, Timothy ,  DEATON, Paul ,  WEIDMAN, Timothy W. ,  NGAI, Christopher S.

Inventor： XUE, Jun ,  LIU, Jie ,  CHEN, Yongmei ,  MICHAELSON, Timothy ,  DEATON, Paul ,  WEIDMAN, Timothy W. ,  NGAI, Christopher S.

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144

Abstract: Provided methods of etching and/or patterning films. Certain methods comprise exposing at least part of a film on a substrate, the film comprising one or more of HfO 2 , HfB x O y , ZrO 2 , ZrB x O y , to a plasma comprising BCl 3 and argon to etch away said at least part of the film. Certain other methods relate to patterning substrates using said methods of etching films.

Abstract translation: 提供蚀刻和/或图案化薄膜的方法。 某些方法包括将包含BCl 3和氩的等离子体中的HfO 2，HfB x O y，ZrO 2，ZrB x O y中的一种或多种的至少部分膜暴露在衬底上，以蚀刻掉所述至少部分膜。 某些其它方法涉及使用所述蚀刻膜的方法图案化衬底。

公开(公告)号：WO2013066666A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/US2012/061443

申请日：2012-10-23

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  MICHAELSON, Timothy ,  WEIDMAN, Timothy W. ,  DEATON, Paul

Inventor： MICHAELSON, Timothy ,  WEIDMAN, Timothy W. ,  DEATON, Paul

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/38 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0337

Abstract: Provided are low temperature methods of depositing hafnium or zirconium containing films using a Hf(BH 4 ) 4 precursor, or Zr(BH 4 ) 4 precursor, respectively, as well as a co-reactant. The co-reactant can be selected to obtain certain film compositions. Co-reactants comprising an oxidant can be used to deposit oxygen into the film. Accordingly, also provided are films comprising a metal, boron and oxygen, wherein the metal comprises hafnium where a Hf(BH 4 ) 4 precursor is used, or zirconium, where a Zr(BH 4 ) 4 precursor is used.

Abstract translation: 提供了分别使用Hf（BH4）4前体或Zr（BH4）4前体以及共反应物沉积含铪或含锆膜的低温方法。 可以选择共反应物以获得某些膜组合物。 可以使用包含氧化剂的共反应物将氧沉积到膜中。 因此，还提供了包含金属，硼和氧的膜，其中金属包括使用Hf（BH4）4前体的铪或使用Zr（BH4）4前体的锆）。

公开(公告)号：WO2013035561A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/JP2012/071514

申请日：2012-08-24

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  秋山 浩二 ,  東島 裕和 ,  田村 知大 ,  青山 真太郎

Inventor： 秋山　浩二 ,  東島　裕和 ,  田村　知大 ,  青山　真太郎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02318 ,  C23C14/083 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/405 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 　被処理体上に第１の高誘電率絶縁膜を成膜する第１の成膜工程と、前記第１の高誘電率絶縁膜を、６５０℃以上で６０秒未満の間熱処理する結晶化熱処理工程と、前記第１の高誘電率絶縁膜上に、前記第１の高誘電率絶縁膜の金属元素のイオン半径よりも小さいイオン半径を有する金属元素を有し、前記第１の高誘電率絶縁膜よりも比誘電率が大きい、第２の高誘電率絶縁膜を成膜する第２の成膜工程と、を含む、半導体装置の製造方法が提供される。

Abstract translation: 提供一种半导体器件制造方法，其包括：第一成膜步骤，其中第一高介电常数绝缘膜形成在待处理的主体上; 一种结晶热处理步骤，其中第一高介电常数绝缘膜在650℃或更高温度下短于60秒进行热处理; 以及第二成膜步骤，其中在所述第一高介电常数绝缘膜上形成第二高介电常数绝缘膜，所述第二高介电常数绝缘膜具有金属元素，所述金属元素的离子半径小于金属元素的离子半径 第一高介电常数绝缘膜，并且具有比第一高介电常数绝缘膜高的相对介电常数。