公开(公告)号：WO2007020634A2

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：PCT/IL2006000943

申请日：2006-08-15

Applicant: CARBOSHIELD LTD ,  ZANGVIL AVIGDOR ,  KATZ MICHAEL

Inventor： ZANGVIL AVIGDOR ,  KATZ MICHAEL

IPC: B27B5/00

CPC classification number: C04B35/591 ,  C04B35/593 ,  C04B35/5935 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  F41H5/0414 ,  F41H5/0428

Abstract: The present invention relates to a method of preparing a resistant ceramic material by consolidation of SiC-AlN solution powder including synthesis of a SiC-AlN solid solution, followed by processing steps including crushing (if necessary), milling, sinter-aid addition, binder addition, granulation (if cold-pressed), cold forming and consolidation. This invention also provides a novel resistant ceramic material comprising primarily a homogeneous SiC-AlN solid solution or a homogeneous SiC-AlN solid solution that underwent phase separation, used for military and civil armor, and products that can withstand dynamic loading and are also wear resistant.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过固结SiC-AlN溶液粉末来制备耐磨陶瓷材料的方法，所述SiC-AlN溶液粉末包括SiC-AlN固溶体的合成，接着是加工步骤，包括粉碎（如果需要），研磨，助烧结添加， 另外，造粒（如果冷压），冷成形和固结。 本发明还提供一种新颖的耐磨陶瓷材料，其主要包括经历用于军事和民用装甲的相分离的均匀的SiC-AlN固溶体或均质的SiC-AlN固溶体，以及能够承受动载荷并且耐磨的产品 。

公开(公告)号：WO2006057232A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：PCT/JP2005/021419

申请日：2005-11-22

Applicant: 京セラ株式会社 ,  織田 武廣

Inventor： 織田 武廣

IPC: C04B35/599

CPC classification number: C04B35/597 ,  C04B35/591 ,  C04B35/593 ,  C04B35/5935 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

Abstract: 　組成式Ｓｉ 6-Z Ａｌ Z Ｏ Z Ｎ 8-Z で表され、固溶量ｚ値が０．１～１であるβ－サイアロンを主相とし、粒界相およびＦｅ珪化物粒子を含有する窒化珪素質焼結体であり、前記粒界相は、ＲＥ（周期律表第３族元素）－Ａｌ－Ｓｉ－Ｏを含有し、かつＡｌ、Ｓｉ、ＲＥの構成比率がＡｌ 2 Ｏ 3 、ＳｉＯ 2 、ＲＥ 2 Ｏ 3 換算でＡｌ 2 Ｏ 3 ５～５０質量％、ＳｉＯ 2 ５～２０質量％、残部がＲＥ 2 Ｏ 3 であり、該粒界相を焼結体１００体積％に対して２０体積％以下の範囲で含有し、前記Ｆｅ珪化物粒子をＦｅ換算で焼結体１００質量％に対して０．０２～３質量％含有する。この窒化珪素質焼結体は、高い耐熱衝撃性を有するため、金属溶湯用部材、熱間加工用部材、掘削用部材などの用途に好適に適用される。

Abstract translation: 一种氮化硅基烧结体，其包含由Si 6-z Al 2 O z z N z N z z表示的β-赛隆， / SUB>，其中z表示形成固溶体的每种元素的量为0.1至1，作为主相，晶界相和Fe硅化物颗粒，其中上述晶界相包含RE（III族元素周期 表）-Al-Si-O和Al，Si和Re以Al 2 O 3 3 SiO 2 SiO 2和 RE 2 N 3 O 3为5〜50质量％的Al 2 O 3 3，5〜20质量％的 SiO 2和平衡量的RE 2 O 3 3，并且其中所述烧结体含有20体积％的所述晶界相， 或相对于100体积％的Fe以上，相对于100质量％为Fe为0.02〜3质量％的Fe硅化物粒子。 上述氮化硅基烧结体表现出高的耐热冲击性，因此可适用于熔融金属部件，热加工部件，挖掘部件等。

公开(公告)号：WO2005113466A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：PCT/JP2005/009127

申请日：2005-05-19

Applicant: 株式会社 東芝 ,  東芝マテリアル株式会社 ,  小松 通泰

Inventor： 小松 通泰

IPC: C04B35/584

CPC classification number: C04B35/593 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9684

Abstract: 　希土類元素を酸化物換算で２質量％以上、１７．５質量％以下と、Ｆｅ元素を酸化物換算で０．０７質量％以上、０．５質量％以下と、Ｃａ元素を酸化物換算で０．０７質量％以上、０．５質量％以下と、Ａｌ元素を酸化物換算で０．１質量％以上、０．６質量％以下と、Ｍｇ元素を酸化物換算で０．３質量％以上、４質量％以下と、Ｈｆ元素を酸化物換算で５質量％以下（０質量％を含む）とを含有する高熱伝導性窒化ケイ素焼結体。

Abstract translation: 公开了一种高导热氮化硅烧结体，其以氧化物计含有不少于2质量％且不超过17.5质量％的稀土元素，不低于0.07质量％且不大于0.5质量％的Fe 元素，以氧化物计，不小于0.07质量％且不大于0.5质量％的Ca元素，以氧化物计，不小于0.1质量％且不大于0.6质量％的Al元素，以氧化物计 以氧化物计，不超过0.3质量％且不超过4质量％的Mg元素，以氧化物换算不超过5质量％（包括0质量％）的Hf元素。

公开(公告)号：WO2005040064A1

公开(公告)日：2005-05-06

申请号：PCT/JP2004/016077

申请日：2004-10-22

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  上野 友之 ,  吉村 雅司

Inventor： 上野 友之 ,  吉村 雅司

IPC: C04B35/52

CPC classification number: C04B35/645 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/185 ,  C04B35/443 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B35/524 ,  C04B35/528 ,  C04B35/565 ,  C04B35/575 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/593 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/80 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963

Abstract: 　切削工具、摺動部材、モールド型材料等に適した高耐摩耗・低摩擦のセラミック材料を提供すること。　平均結晶粒径３μｍ以下好ましくは３０ｎｍ以下の、炭素を主成分とする相とセラミックス相（但し、炭素を除く）とからセラミックス複合材料を構成する。セラミックス相は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ、Ｗの窒化物、炭化物、酸化物、複合窒化物、複合炭化物、複合酸化物、炭窒化物、酸窒化物、炭窒酸化物及び炭酸化物よりなる群から選ばれる少なくとも１種である。この複合材料は、原料粉末を焼結温度８００～１５００℃、焼結圧力２００ＭＰａ以上で焼結することによって得られる。

Abstract translation: 公开了一种具有高耐磨性和低摩擦性的陶瓷材料，其适用于切割工具，滑动构件，模具用材料等。 陶瓷复合材料由平均结晶粒径不大于3μm，优选不超过30nm的主要含碳和陶瓷相（不含碳）的相组成。 陶瓷相由选自由氮化物，碳化物，氧化物，复合氮化物，复合碳化物，复合氧化物，碳氮化物，氧氮化物，羧基氮化物和Al，Si，Ti，Zr，Hf，V， Nb，Ta，Cr，Mo和W.该复合材料通过在800-1,500℃的烧结温度和不低于200MPa的烧结压力下烧结原料粉末而获得。

公开(公告)号：WO2005004246A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：PCT/JP2004/000033

申请日：2004-01-07

Applicant: 宮原 健一郎

Inventor： 宮原 健一郎

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C04B35/581 ,  C03C17/34 ,  C04B35/053 ,  C04B35/08 ,  C04B35/115 ,  C04B35/443 ,  C04B35/453 ,  C04B35/486 ,  C04B35/505 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58 ,  C04B35/593 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9623 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2235/9661 ,  H01L24/73 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 発光素子搭載用基板として光透過性を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、あるいは反射防止部材を形成したセラミック材料を主成分とする焼結体、あるいは反射部材を形成したセラミック材料を主成分とする焼結体を用いる。上記のセラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いることで本来の発光強度などの特性が十分に発現され発光強度の制御が容易で、さらに発光方向の制御を容易に行うことのできる発光素子が実現できる。

Abstract translation: 一种用于安装发光元件的基板，其特征在于，它包括一种烧结产品，该烧结产品含有具有光学透明度的陶瓷材料作为主要成分，或者其包含烧结产品，该烧结产品含有作为主要成分的陶瓷材料， 或者由其形成的防反射构件，或者其包含含有形成有反射构件的陶瓷材料作为主要成分的烧结产品。 上述基板允许制备发挥令人满意的元素固有的诸如发光强度等特性的发光元件容易控制发光强度，并且还容易控制光的发射方向。

公开(公告)号：WO2004005216A1

公开(公告)日：2004-01-15

申请号：PCT/JP2003/008520

申请日：2003-07-04

Applicant: 宮原 健一郎

Inventor： 宮原 健一郎

IPC: C04B35/581

CPC classification number: C04B35/565 ,  C04B35/053 ,  C04B35/08 ,  C04B35/115 ,  C04B35/443 ,  C04B35/453 ,  C04B35/486 ,  C04B35/505 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/593 ,  C04B35/65 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5062 ,  C04B41/5063 ,  C04B41/87 ,  C04B2111/0025 ,  C04B2111/80 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9623 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2235/9661 ,  C30B25/18 ,  G02B6/122 ,  H01L33/483 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15182 ,  H01L2924/16195 ,  C04B41/4531 ,  C04B35/10 ,  C04B35/48 ,  C04B35/584 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: It has been found that a single crystal thin film excellent in crystallinity comprising, as a main component, at least one selected from among gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride can be formed on a substrate of a sintered material comprising, as a main component, any one of aluminum nitride, a ceramic material having the crystal structure of a hexagonal system or a trigonal system, and a ceramic material having light transmissiveness. The above finding has allowed the preparation of a substrate for carrying a luminescent element excellent in luminous efficiency, an optical wave guide exhibiting low loss, or a luminecent element which is capable of controlling the direction of a light being emitted to the outside of the substrate.

Abstract translation: 已经发现，可以在烧结材料的基材上形成包含作为主要成分的选自氮化镓，氮化铟和氮化铝中的至少一种的结晶度优异的单晶薄膜，其包含作为主要成分 ，氮化铝，具有六方晶系的晶体结构的陶瓷材料或三角系统中的任一种，以及具有透光性的陶瓷材料。 上述发现允许制备用于承载发光效率优异的发光元件的基板，表现出低损耗的光波导，或者能够控制发射到基板外部的光的方向的发光元件 。

公开(公告)号：WO01033177A1

公开(公告)日：2001-05-10

申请号：PCT/DE2000/003802

申请日：2000-10-26

IPC: G01K7/16 ,  C04B35/589 ,  C04B35/593 ,  C04B35/634 ,  G01K7/22 ,  H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  C04B35/58

CPC classification number: H01C7/042 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/584 ,  C04B35/589 ,  C04B35/593 ,  C04B35/5935 ,  C04B35/63 ,  C04B35/634 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  G01K7/22

Abstract: The invention relates to a ceramic temperature detector containing a composite material which is resistant to at least 1400 DEG C and consists of a matrix that is resistant to high temperatures; and one or more intercalation compounds with marked PTC characteristics.

Abstract translation: 它提出了一种陶瓷温度传感器，其包括一个耐高温基质，并用具有显着的PTC特性的一个或多个插入化合物的高达至少1400℃腐蚀性复合。

公开(公告)号：WO00030996A3

公开(公告)日：2000-08-10

申请号：PCT/BE1999/000145

申请日：1999-11-16

IPC: B22D11/06 ,  C04B35/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/583

CPC classification number: C04B35/593 ,  B22D11/0657 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/58028 ,  C04B35/581 ,  C04B35/583 ,  C04B35/645

Abstract: The present invention provides a composite pressure-sintered material comprising a continuous phase of hexagonal boron nitride and, dispersed therein, a second material comprising (a) at least one metal nitride selected from the group consisting of silicon, aluminium and titanium nitrides and (b) at least one stable metal oxide; wherein the amount of metal oxide is such that the second material does not contain more than 35% by weight of oxygen. It has been observed that this material possesses a low thermal expansion coefficient and therefore reveals good thermal shock resistance. Another characteristic of this material is its low wettability by molten steel which is thus responsible for excellent chemical resistance to liquid metal. Finally, this material is exceptionally mechanical wear resistant.

Abstract translation: 本发明提供一种复合压力烧结材料，其包含六方晶系氮化硼的连续相，并分散在其中，第二材料包含（a）至少一种选自硅，铝和钛氮化物的金属氮化物和（b ）至少一种稳定的金属氧化物; 其中所述金属氧化物的量使得所述第二材料不含有超过35重量％的氧。 已经观察到，该材料具有低的热膨胀系数，因此显示出良好的耐热冲击性。 该材料的另一个特征是其由钢水引起的低润湿性，因此对液态金属具有优异的耐化学性。 最后，这种材料特别机械耐磨。

公开(公告)号：WO99020579A1

公开(公告)日：1999-04-29

申请号：PCT/EP1998/006375

申请日：1998-10-07

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/593 ,  F16C33/04

CPC classification number: F16C33/043 ,  C04B35/584 ,  C04B35/593 ,  C04B35/5935 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/62807 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9692

Abstract: The invention relates to silicon nitride substances containing sintering additives and SiO2, a method for producing them and the use of the same.

Abstract translation: 本发明涉及含有添加剂的SiO 2，其制备方法以及它们的用途新颖烧结的氮化硅材料。

公开(公告)号：WO1998012714A1

公开(公告)日：1998-03-26

申请号：PCT/JP1997003271

申请日：1997-09-16

Applicant: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO ,  YAMADA, Katsunori ,  ASAI, Mitsuru ,  KAMIYA, Nobuo ,  MATSUBARA, Yuko

Inventor： KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO

IPC: H01C07/04

CPC classification number: C04B35/488 ,  C04B35/117 ,  C04B35/584 ,  C04B35/593 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/62834 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  H01B3/004 ,  H01C7/008 ,  H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C7/042 ,  H01C7/043

Abstract: A high-response, wide-range thermistor material which has linear temperature resistance characteristics and a high rate of change in the temperature resistance in a wide temperature range from room temperature or below to above 1000 DEG C. The thermistor material comprises a matrix of an electrically insulating ceramic and second-phase particles discontinuously dispersed in the matrix, and the second-phase particles are semiconductive or conductive and comprise a material having a high rate of change in the temperature resistance. Further, at least one additive for regulating the electric resistance, selected among nitrides, borides, silicides, sulfides, oxides, and carbides of group IVa-VIa and IIb-Vb elements, third-phase particles having a lower modulus of elasticity than the matrix and the second phase particles and having the effect of relaxing the internal stress, and a resistance stabilizer comprising TiO2 and/or TinO2n-1 (wherein n is 4 to 9) may be added.

Abstract translation: 一种高响应，宽范围的热敏电阻材料，其具有线性温度特性和在从室温以下至高于1000℃的宽温度范围内的耐温变化率高。热敏电阻材料包括： 电绝缘陶瓷和第二相颗粒不连续地分散在基质中，第二相颗粒是半导体或导电的，并且包括具有高耐温变化率的材料。 此外，用于调节IVa-VIa和IIb-Vb族元素的氮化物，硼化物，硅化物，硫化物，氧化物和碳化物中的电阻的至少一种添加剂，具有比基体更低的弹性模量的第三相颗粒 和第二相颗粒并具有缓和内应力的作用，并且可以加入包含TiO 2和/或TinO 2 n-1（其中n为4至9）的电阻稳定剂。