公开(公告)号：WO2015118612A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/JP2014/052570

申请日：2014-02-04

Applicant: 千住金属工業株式会社

Inventor： 川▲崎▼　浩由 ,  六本木　貴弘 ,  相馬　大輔 ,  佐藤　勇

IPC: B22F1/00 ,  B22F9/08 ,  B22F9/14 ,  B23K35/14 ,  H01L21/60 ,  B23K1/00

CPC classification number: B23K35/0244 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F9/082 ,  B22F9/14 ,  B22F2009/0848 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K2201/42 ,  C22C9/00 ,  C22C19/03 ,  C22F1/08 ,  C22F1/10 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13338 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13363 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1337 ,  H01L2224/13371 ,  H01L2224/13372 ,  H01L2224/13373 ,  H01L2224/13376 ,  H01L2224/13378 ,  H01L2224/13379 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/13383 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/041 ,  B22F2202/13 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01069 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01004

Abstract: 放射されるα線量を抑えた金属球を製造する。 純金属に含まれる不純物の中で、除去対象とした不純物の気圧に応じた沸点より高い沸点を有し、Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が５ｐｐｂ以下であり、純度が９９．９％以上９９．９９５％以下であり、ＰｂまたはＢｉのいずれかの含有量、あるいは、ＰｂおよびＢｉの合計の含有量が１ｐｐｍ以上である純金属を、除去対象とした不純物の沸点より高く、純金属の融点より高く、かつ、純金属の沸点より低い温度で加熱して、純金属を溶融させる工程と、溶融した純金属を球状に造球する工程を含む。

Abstract translation: 本发明产生抑制辐射α剂量的金属球。 该方法包括通过在比待除去的杂质的沸点高于纯金属的熔点的温度下加热下列物质并且低于纯金属的沸点来熔化纯金属的步骤 金属：根据大气压，在纯金属中所含杂质中除去的杂质沸点高于沸点的纯金属的U含量为5ppb以下，Th含量为5ppb 以下，纯度为99.9-99.995％，含铅量，Bi含量或Pb和Bi组合的总和为1ppm以上。 该方法还包括通过将熔融的纯金属制成球形形成球的步骤。

公开(公告)号：WO2010147187A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：PCT/JP2010/060308

申请日：2010-06-17

Applicant: ローム株式会社 ,  ▲芳▼我 基治 ,  ▲吉▼田 真悟 ,  糟谷 泰正 ,  永原 斗一 ,  木村 明寛 ,  藤井 賢治

Inventor： ▲芳▼我　基治 ,  ▲吉▼田　真悟 ,  糟谷　泰正 ,  永原　斗一 ,  木村　明寛 ,  藤井　賢治

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/005 ,  B23K20/10 ,  B23K20/24 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48451 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78303 ,  H01L2224/78307 ,  H01L2224/78309 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/00015

Abstract: 　本発明の半導体装置は、半導体チップと、アルミニウムを含む金属材料からなり、前記半導体チップの表面に形成された電極パッドと、前記半導体チップの周囲に配置された電極リードと、線状に延びる本体部と、前記本体部の両端に形成され、前記電極パッドおよび前記電極リードにそれぞれ接合されたパッド接合部およびリード接合部とを有するボンディングワイヤと、前記半導体チップ、前記電極リードおよび前記ボンディングワイヤを封止する樹脂パッケージとを含み、前記ボンディングワイヤは、銅からなり、前記電極パッド全体および前記パッド接合部全体が、水分不透過膜で一体的に被覆されている。

Abstract translation: 提供一种半导体器件，其包括：半导体芯片; 电极焊盘，其包含含有铝的金属材料，并形成在所述半导体芯片的表面上; 设置在所述半导体芯片的周围的电极引线; 一条主线在一条线上延伸; 接合线，其具有分别形成在所述主体的两端并附接到所述电极焊盘和所述电极引线的焊盘安装部和引线安装部; 以及密封半导体芯片，电极引线和接合线的树脂封装。 接合线包括铜，并且整个电极焊盘和整个焊盘安装部分被不透水膜覆盖在一起。

公开(公告)号：WO2010019552A3

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：PCT/US2009053375

申请日：2009-08-11

Applicant: DU PONT ,  UNIV NORTH CAROLINA STATE ,  BORLAND WILLIAM ,  MARIA JON-PAUL

Inventor： BORLAND WILLIAM ,  MARIA JON-PAUL

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01B1/06 ,  H01L24/04 ,  H01L24/80 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: Photovoltaic cells, including silicon solar cells, and methods and compositions for making such photovoltaic cells are provided. A silicon substrate having an n-type silicon layer is provided with a silicon nitride layer, a reactive metal in contact with said silicon nitride layer, and a non-reactive metal in contact with the reactive metal. This assembly is fired to form a low Shottky barrier height contact comprised of metal nitride, and optionally metal silicide, on the silicon substrate, and a conductive metal electrode in contact with said low Shottky barrier height contact. The reactive metal may be titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, and tantalum, and combinations thereof, and the non-reactive metal may be silver, tin, bismuth, lead, antimony, arsenic, indium, zinc, germanium, nickel, phosphorus, gold, cadmium, berrylium, and combinations thereof.

Abstract translation: 提供了包括硅太阳能电池的光伏电池，以及用于制造这种光伏电池的方法和组合物。 具有n型硅层的硅衬底设置有氮化硅层，与所述氮化硅层接触的反应性金属和与反应性金属接触的非反应性金属。 该组件被烧制以在硅衬底上形成由金属氮化物和可选的金属硅化物组成的低肖特基势垒高度触点，以及与所述低肖特基势垒高度触点接触的导电金属电极。 反应性金属可以是钛，锆，铪，钒，铌和钽以及它们的组合，非反应性金属可以是银，锡，铋，铅，锑，砷，铟，锌，锗，镍， 磷，金，镉，贝绿及其组合。

公开(公告)号：WO2009034557A3

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：PCT/IB2008053714

申请日：2008-09-12

Applicant: NXP BV ,  WYLAND CHRISTOPHER

Inventor： WYLAND CHRISTOPHER

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/473 ,  H01L23/538

CPC classification number: H05K3/00 ,  B33Y80/00 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/473 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H05K1/0237 ,  H05K1/185 ,  H05K3/0005 ,  H05K3/0082 ,  H05K3/1241 ,  H05K3/4644 ,  H05K3/4664 ,  H05K2201/09836 ,  Y02P80/30 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of implementing arbitrary structures to provide electrical interconnection and mechanical fixturing for integrated circuits is provided. According to exemplary embodiments of the invention said arbitrary structures are manufactured using three dimensional manufacturing processes employing only additive steps for all materials within the arbitrary structure. Accordingly the arbitrary structure is provided in a single step incorporating mechanical, electrical, and thermal elements as required by the design incorporating simultaneously dielectric and metallic materials. The arbitrary structures may be manufactured directly in association with the integrated circuits or separately for subsequent assembly to the integrated circuits. Arbitrary structures ranging from a fraction of to all of the structural and electrical elements required for packaging the integrated circuit(s) being provided by the arbitrary structures according to the design boundary established.

Abstract translation: 提供了实现任意结构以提供集成电路的电互连和机械夹持的方法。 根据本发明的示例性实施例，所述任意结构是使用对任意结构内的所有材料仅采用添加步骤的三维制造工艺制造的。 因此，任意结构在单个步骤中提供，其包括机械，电和热元件，其根据设计同时包含电介质和金属材料的要求。 任意结构可以直接与集成电路相关联地制造，或者单独地用于随后组装到集成电路。 根据设计边界，由任意结构提供的集成电路封装所需的结构和电气元件的一部分到所有的任意结构。

公开(公告)号：WO2007091687A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：PCT/JP2007/052405

申请日：2007-02-09

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  吉野 正彦 ,  三浦 千里 ,  木島 直人 ,  小室 直之

Inventor： 吉野 正彦 ,  三浦 千里 ,  木島 直人 ,  小室 直之

IPC: C09K11/59 ,  C09K11/08 ,  H01L33/00 ,  H01J61/44

CPC classification number: C09K11/7734 ,  H01L24/45 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　緑色の蛍光を発する蛍光体であって、青色光又は近紫外光に対する変換効率及び色純度に優れた、高性能な蛍光体を提供する。 　下記（ｉ）～（ｖ）を満たす蛍光体。 （ｉ）ピーク波長４００ｎｍ又は４５５ｎｍの光で励起した場合の発光ピーク波長が、５１０ｎｍ以上５４２ｎｍ以下である。 （ii）ピーク波長４００ｎｍ又は４５５ｎｍの光で励起した場合の発光ピーク半値幅が、７５ｎｍ以下である。 （iii）ピーク波長４００ｎｍ又は４５５ｎｍの光で励起した場合の、下記式で規定される外部量子効率が、０．４２以上である。 　　　　　　　（外部量子効率）＝（内部量子効率）×（吸収効率） （iv）該蛍光体の表面の少なくとも一部が、酸素を含有する物質からなる。 （ｖ）該蛍光体が、２価及び３価の原子価を取り得る金属元素（以下「Ｍ II 元素」という。）を含有すると共に、該蛍光体中に含有される２価の元素の合計モル数に対する該Ｍ II 元素のモル数の比率が、１％よりも大きく、１５％未満である。

Abstract translation: 公开了一种产生绿色荧光的高性能荧光体，其色纯度和蓝光或近紫外光的转换效率优异。 具体公开了满足以下条件（i） - （v）的荧光体。 （i）当峰值波长为400nm或455nm的光激发时，发光峰值波长不小于510nm，但不大于542nm。 （ii）当峰值波长为400nm或455nm的光激发时，发射峰半峰宽不超过75nm。 （iii）当峰值波长为400nm或455nm的光激发时，由下式定义的外部量子效率不小于0.42。 （外部量子效率）=（内部量子效率）×（吸收效率）（iv）荧光体的表面的至少一部分由含有氧的材料构成。 （v）荧光体含有可以是二价或三价的金属元素（以下称为“M”II“元素），M II的摩尔数 SUP>元素相对于荧光体中所含的二价元素的总摩尔数大于1％但小于15％。

公开(公告)号：WO2007034919A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：PCT/JP2006/318868

申请日：2006-09-22

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  加藤 波奈子 ,  森 寛 ,  小林 博 ,  外村 翼 ,  山崎 正典 ,  阿部 麻理

Inventor： 加藤 波奈子 ,  森 寛 ,  小林 博 ,  外村 翼 ,  山崎 正典 ,  阿部 麻理

IPC: C08G77/18 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  H01L24/45 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供するため、（１）セラミック又は金属の表面に存在する、水酸基、又は、メタロキサン結合中の酸素と水素結合可能な官能基を有し、（２）２００°Cに５００時間放置した前後において、波長４００ｎｍの光における透過率の維持率が８０％以上１１０％以下であり、（３）中心波長が４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下であり、且つ波長が３８５ｎｍを超え５００ｎｍ以下である光を、波長４３６ｎｍにおける照度が４５００Ｗ／ｍ 2 となるように２４時間照射した後において、目視により変化が認められず、（４）波長５５０ｎｍの光における屈折率が１．４５以上であるようにする。

Abstract translation: 本发明提供透明性，耐光性，耐热性优异的半导体发光元件的新型元件，密封半导体发光元件并保持荧光材料，即使长时间使用，也不会产生裂纹和剥离。 会员有 （1）在陶瓷或金属的表面上可以与氧在氧化硅键中与氢键合的羟基或官能团，（2）波长400nm的光的透过率的保持率在80％以上而不是 超过110％，在成员在200℃下放置500小时之前和之后，（3）通过目测检查，在应用中心波长为400nm以上但不大于450nm的光和波长超过 385nm但不超过500nm，24小时，使得波长为436nm的照明强度为4500W / m 2，以及（4）波长为550nm的光的折射率为1.45或 更多。

公开(公告)号：WO2005032225A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：PCT/JP2004/014528

申请日：2004-09-27

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社 ,  福田 悦幸 ,  加藤 寛正

Inventor： 福田 悦幸 ,  加藤 寛正

IPC: H05K3/38

CPC classification number: H05K3/38 ,  C04B35/645 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  H01L23/053 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/16152 ,  H05K1/0306 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 　Ａｌ板から成る回路板２とＡｌ−Ｓｉろう材層３とのクラッド材から成る回路層４とセラミックス基板６とを一体に接合したセラミックス回路基板１において、上記クラッド材のＡｌ−Ｓｉろう材層３側の表面が、セラミックス基板６表面に形成した厚さ１μｍ未満のＡｌ合金膜５を介して上記セラミックス基板６に接合されていることを特徴とするセラミックス回路基板１である。上記構成によれば、接合界面でのボイドの発生を効果的に抑制でき回路層としての金属材の接合強度を高くすることが可能であり、耐熱サイクル特性を大幅に改善することが可能なセラミックス回路基板およびその製造方法を提供することができる。

Abstract translation: 一种陶瓷电路板（1），其中包括由Al板制成的电路板（2）和Al-Si钎焊材料层（3）的包覆材料的电路层（4）与陶瓷电路板 （6），并且其中包覆材料在Al-Si钎料层（3）侧的表面通过形成的小于1μm的厚度的Al合金膜（5）与陶瓷板（6）相邻 在陶瓷板（6）的表面上。 这种布置可以有效地抑制接合界面处的粘结的发生，从而提高用作电路层的金属材料的接合强度。 因此，可以提供陶瓷电路板和制造陶瓷电路板的方法，其中耐热循环特性显着提高。

公开(公告)号：WO2004049425A1

公开(公告)日：2004-06-10

申请号：PCT/JP2003/012740

申请日：2003-10-03

Applicant: 新日本製鐵株式会社 ,  宇野 智裕 ,  寺嶋 晋一 ,  巽 宏平

Inventor： 宇野 智裕 ,  寺嶋 晋一 ,  巽 宏平

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00

Abstract: 本発明は、狭ピッチ接続を実現するための高強度・高弾性、ループ形状の安定性、ワイヤ流れ抑制、リーニング性、およびウェッジ接合部の接合性あるいは疲労特性等を総合的に改善させ、しかも工業的に量産性にも優れた、半導体装置用金ボンディングワイヤ及びその製造方法を提供するものであり、金ボンディングワイヤは、ボンディングワイヤの長手方向断面の結晶粒組織において、ワイヤ長手方向の結晶方位の内、［100］方位を有する結晶粒の面積に対する［111］方位を有する結晶粒の面積の割合が1.2以上である。

Abstract translation: 用于半导体器件的金合金接合线，用于实现窄间距接合，环形结构的稳定性，线流动抑制，楔形接合部分的接合特性，接合或疲劳特性等方面的高强度/高弹性的集体改进。 擅长工业批量生产; 及其制造方法。 关于金合金接合线，在编织线的纵截面的晶粒结构中，表现出[111]取向的晶粒面积与纵向晶体取向中呈现[100]取向的晶粒面积的比例 线方向为1.2以上。

公开(公告)号：WO03007312A3

公开(公告)日：2003-08-14

申请号：PCT/US0215870

申请日：2002-05-20

Applicant: FRY METALS INC

Inventor： SREERAM ATTIGANAL N ,  LEWIS BRIAN ,  HOZER LESZEK ,  LIBERATORE MICHAEL JAMES ,  MINOGUE GERARD

IPC: B23K35/24 ,  B23K35/14 ,  B23K35/30 ,  B23K35/36 ,  C22C5/02 ,  C22C28/00 ,  H01L23/373 ,  H01L23/42 ,  C22C32/00

CPC classification number: H01L23/42 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3066 ,  B23K35/3602 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/433 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: A thermal interface material for use in electronic packaging, the thermal interface material comprises a solder with relatively high heat flow characteristics and a CTE modifying component to reduce or prevent damage due to thermal cycling. The thermal interface material comprises an active solder that contains indium and an intrinsic oxygen getter selected from the group consisting of alkali metals, alkaline-earth metals, refractory metals, rare earth metals and zinc and mixtures and alloys thereof. Lastly, damage due to an electronic package due to thermal cycling stress is reduced by using an insert in a lid of an electronic device package wherein the insert has a coefficient of thermal expansion that is between about that of the lid and about that of a semiconductor substrate.

Abstract translation: 用于电子封装的热界面材料，热界面材料包括具有相对高热流特性的焊料和CTE改性组分，以减少或防止由于热循环引起的损伤。 热界面材料包括含有铟的活性焊料和选自碱金属，碱土金属，难熔金属，稀土金属和锌的本征氧吸气剂及其混合物和合金。 最后，通过在电子设备封装的盖子中使用插入件来减少由于热循环应力而导致的电子封装的损坏，其中插入件的热膨胀系数在盖子的大约和半导体的盖子之间 基质。

公开(公告)号：WO2003034508A1

公开(公告)日：2003-04-24

申请号：PCT/JP2002/010587

申请日：2002-10-11

Applicant: 日亜化学工業株式会社 ,  泉野 訓宏 ,  松本 公樹 ,  長濱 慎一 ,  佐野 雅彦 ,  柳本 友弥 ,  坂本 恵司

Inventor： 泉野 訓宏 ,  松本 公樹 ,  長濱 慎一 ,  佐野 雅彦 ,  柳本 友弥 ,  坂本 恵司

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/29 ,  H01L33/32 ,  H01L33/483 ,  H01L33/501 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: A light emitting device comprising a luminescent element (101) placed on a support (105) and a coating layer (108 and 109) which binds a phosphor for absorbing a light from the luminescent element (101) and converting the wave length thereof to the surface of the luminescent element (101), characterized in that the coating layer (108 and 109) comprises an inorganic material comprising an oxide and a hydroxide of at least one element selected from the group consisting of Si, Al, Ga, Ti, Ge, P, B, Zr, Y, Sn, Pb and alkaline earth metals; the light emitting device wherein the adhesive (110) comprises the same inorganic material as that for the coating layer (108 and 109).

Abstract translation: 一种发光器件，包括放置在支撑体（105）上的发光元件（101）和结合荧光体的涂层（108和109），用于吸收来自发光元件（101）的光并将其波长转换为 发光元件（101）的表面，其特征在于，所述涂层（108和109）包括无机材料，所述无机材料包含选自Si，Al，Ga，Ti，Ge中的至少一种元素的氧化物和氢氧化物 ，P，B，Zr，Y，Sn，Pb和碱土金属; 所述发光器件其中所述粘合剂（110）包含与所述涂层（108和109）相同的无机材料。