公开(公告)号：WO2016021491A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：PCT/JP2015/071776

申请日：2015-07-31

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 大開　智哉 ,  大井　宗太郎

IPC: H01L23/12 ,  C04B37/02 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L21/4871 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/3006 ,  C04B37/02 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/34 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/40 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　金属板とセラミックス基板との接合性を損なうことなく、ろうシミの発生を抑制し、半導体チップのはんだ接合性を高めることを目的とし、金属素板のプレス加工により打ち抜き成形された金属板をセラミックス基板の一方の面に積層してろう付けにより接合するパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記金属板のバリの高さを０．０２１ｍｍ以下、破断面の厚さを０．０６８ｍｍ以上とし、前記バリが生じている側の表面をセラミックス基板の一方の面に重ねるように前記金属板を前記セラミックス基板上に積層してろう付けする。

Abstract translation: 本发明的目的是在不破坏金属板和陶瓷基板之间的接合性能的同时，抑制钎料填充金属污渍的发生，并且提高半导体芯片的焊点性能。 一种电源模块用基板的制造方法，其特征在于，通过在陶瓷基板的一个表面上层叠钎焊而形成的基板，通过压制金属板而冲压的金属板，金属板的毛刺高度为 设定为0.021mm以下，将断裂面的厚度设定为0.068mm以上，将金属板层叠并钎焊到陶瓷基板上，使其在形成有毛刺的一侧的表面位于 陶瓷基板的一个表面的顶部。

公开(公告)号：WO2016002633A1

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：PCT/JP2015/068383

申请日：2015-06-25

Applicant: 住友金属鉱山株式会社

Inventor： 小沢　誠 ,  安東　勲雄

IPC: C23C14/34 ,  C04B41/80 ,  C04B35/01 ,  C04B37/02

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C04B35/457 ,  C04B37/021 ,  C04B37/023 ,  C04B41/80 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491

Abstract: 【課題】アーキングやノジュールの発生がきわめて少ない、スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】酸化物焼結体からなる材料を加工して、平板状または円筒形ターゲット材（３、１３）を得る。この際、前記材料のうちのスパッタリング面（５、１５）となる面に対して、所定の番手の砥石を用い、該砥石の番手に応じて、１回以上の粗研削を施し、その後、１回以上のゼロ研削を施して、スパッタリング面（５、１５）の表面粗さを、算術平均粗さＲａで０．９μｍ以上、最大高さＲｚで１０．０μｍ以下、かつ、Ｒｚ JIS で７．０μｍ以下とする。得られたターゲット材（３、１３）を、接合層（４、１４）を介して、バッキング本体（２、１２）に接合することにより、スパッタリングターゲット（１、１１）を得る。

Abstract translation: [问题]提供：具有极低的电弧或结节发生的溅射靶; 以及这种溅射靶的制造方法。 [解决方案]通过加工由氧化烧结体制成的材料获得板状或圆柱形目标材料（3,13）。 在这样做时，将在成为溅射表面的材料的表面上使用规定级别的研磨石（5,15），根据研磨石的等级进行粗磨，一次或多次， 然后进行一次或多次的零磨以实现在算术平均粗糙度（Ra），最大高度（Rz）为10.0μm以下的溅射表面（5,15）的表面粗糙度为至少0.9μm的表面粗糙度， RzJIS为7.0μm以下。 将获取的目标材料（3,13）与插入有接合层（4,14）的背衬主体（2,12）接合以获得溅射靶（1,11）。

公开(公告)号：WO2015163453A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/JP2015/062545

申请日：2015-04-24

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 大井　宗太郎 ,  大開　智哉

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H05K1/02

CPC classification number: H01L23/3736 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/66 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/473 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/02 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H01L2924/00

Abstract: 　１枚のセラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された金属層とを備える少なくとも１つのパワーモジュール用基板と；このパワーモジュール用基板の前記金属層が接合されたヒートシンクと；を有し、前記金属層が純度９９．９９質量％以上のアルミニウム板からなり、前記ヒートシンクが純度９９．９０質量％以下のアルミニウム板からなり、前記回路層が、前記セラミックス基板に接合された純度９９．９９質量％以上のアルミニウム板からなる第１層と、該第１層の表面に接合された純度９９．９０質量％未満のアルミニウム板からなる第２層との積層構造を有する。

Abstract translation: 本发明具有：设置有陶瓷基板的至少一个功率模块基板，形成在陶瓷基板的一侧的电路层以及形成在陶瓷基板的另一侧的金属层。 以及功率模块基板的金属层连接到的散热器。 金属层包括纯度为至少99.99质量％的铝板，散热器包括纯度不超过99.90质量％的铝板。 电路层具有双层结构，其中：第一层包括纯度至少为99.99质量％的铝板，铝板与陶瓷基板接合; 并且第二层包括纯度小于99.90质量％的铝板，所述铝板与第一层的表面接合。

公开(公告)号：WO2015141295A1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：PCT/JP2015/052660

申请日：2015-01-30

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 寺▲崎▼　伸幸 ,  長友　義幸

IPC: C04B37/02 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/3735 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/302 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  H01L23/15 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10378

Abstract: 　本発明の接合体は、Ａｌを含むセラミックスからなるセラミックス部材と、Ｃｕ又はＣｕ合金からなるＣｕ部材とが接合されてなる接合体であって、前記セラミックス部材と前記Ｃｕ部材との間には、接合部が形成され、該接合部のセラミックス部材側には、活性金属を含む化合物からなる活性金属化合物領域が形成され、該活性金属化合物領域の前記Ｃｕ部材側をなす一面から、前記Ｃｕ部材側に向かって、０．５μｍ～３μｍの厚み範囲における前記接合部のＡｌ濃度が０．５ａｔ％以上、１５ａｔ％以下の範囲である。

Abstract translation: 该粘合体是将由含有Al的陶瓷构成的陶瓷构件和由Cu或Cu合金形成的Cu构件彼此接合而获得的。 在陶瓷构件和Cu构件之间形成接合部分，并且在接合部分的陶瓷构件侧部分中形成由含有活性金属的化合物形成的活性金属化合物区域。 从活性金属化合物区域的Cu构件侧表面向Cu构件的0.5-3μm厚度的接合部分的区域中的Al浓度在0.5at％至15at％（含）的范围内， 。

公开(公告)号：WO2015029812A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：PCT/JP2014/071525

申请日：2014-08-18

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 寺▲崎▼　伸幸 ,  長友　義幸

IPC: H01L23/13 ,  B23K35/30 ,  C04B37/02 ,  C22C9/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40

CPC classification number: H01L23/3735 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/302 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/58 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/15 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明の接合体は、セラミックスからなるセラミックス部材と、Ｃｕ又はＣｕ合金からなるＣｕ部材とがＣｕ－Ｐ－Ｓｎ系ろう材及びＴｉ材を介して接合された接合体であって、前記セラミックス部材と前記Ｃｕ部材との接合界面には、前記セラミックス部材側に位置し、ＳｎがＣｕ中に固溶したＣｕ－Ｓｎ層と、前記Ｃｕ部材と前記Ｃｕ－Ｓｎ層との間に位置し、Ｐ及びＴｉを含有する金属間化合物層と、が形成されている。

Abstract translation: 该组装通过使用铜 - 磷 - 锡钎焊料和钛材料将包含陶瓷的陶瓷构件连接到包含铜或铜合金的铜构件上而获得。 在陶瓷构件和铜构件之间的接合界面处形成以下：陶瓷构件侧的铜锡层，其包含锡在锡中的固溶体; 以及包含磷和钛的铜构件和铜 - 锡层之间的金属间化合物层。

公开(公告)号：WO2014157112A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/058132

申请日：2014-03-24

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 長友　義幸 ,  寺▲崎▼　伸幸 ,  黒光　祥郎

IPC: H01L23/373 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H05K1/0203 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/19 ,  B23K20/023 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/10 ,  B23K2203/12 ,  B23K2203/18 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/13055 ,  H05K1/09 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/066 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、絶縁基板（１１）と、該絶縁基板（１１）の一方の面に形成された回路層（１２）と、前記絶縁基板（１１）の他方の面に形成された金属層（１３）と、を備えたパワーモジュール用基板（１０）であって、前記回路層（１２）は、前記絶縁基板（１１）に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第１アルミニウム層（１２Ａ）と、この第１アルミニウム層（１２Ａ）に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第１銅層（１２Ｂ）と、を有し、前記金属層（１３）は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる第２アルミニウム層（１３Ａ）を有しており、前記回路層（１２）の厚さｔ １ と前記金属層（１３）の第２アルミニウム層（１３Ａ）の厚さｔ ２ との関係が、ｔ １ ＜ｔ ２ である。

Abstract translation: 本发明是一种用于功率模块的基板（10），其具有绝缘基板（11），形成在绝缘基板（11）的一个表面上的电路层（12）和金属层 ）形成在绝缘基板（11）的另一个表面上。 电路层（12）具有由铝或铝合金形成并与绝缘基板（11）接合的第一铝层（12A）和由铜或铜形成的第一铜层（12B） 并通过固相扩散与第一铝层（12A）结合。 金属层（13）具有由铝或铝合金形成的第二铝层（13A）。 电路层（12）的厚度（t1）和金属层（13）的第二铝层（13A）的厚度（t2）满足关系t1

公开(公告)号：WO2014149124A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：PCT/US2013/078271

申请日：2013-12-30

Applicant: ROLLS-ROYCE CORPORATION

Inventor： CHAMBERLAIN, Adam Lee

IPC: C04B35/64 ,  C04B35/65 ,  C04B37/00

CPC classification number: F01D5/005 ,  B22F2005/103 ,  B22F2999/00 ,  B28B1/42 ,  B28B21/48 ,  C04B35/571 ,  C04B35/573 ,  C04B35/803 ,  C04B35/806 ,  C04B37/023 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/6028 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/616 ,  C04B2237/30 ,  C04B2237/363 ,  C04B2237/38 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/404 ,  C04B2237/405 ,  C22C1/04 ,  C22C1/0416 ,  F01D5/282 ,  F01D5/284 ,  F05D2300/6033 ,  Y02T50/672 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1028 ,  Y10T428/20 ,  B22F5/04 ,  B22F2201/00

Abstract: A method for modifying a ceramic matrix component is disclosed including identifying a non-conforming region of a composite component capable of operating in a gas turbine engine; removing at least a portion of the non¬ conforming region to create an exposed surface of the composite component; preparing a preform in response to the removing at least a portion of the non¬ conforming region; applying a reactive constituent surface region to at least one of the exposed surface of the composite component and the preform, the reactive constituent surface region being capable of producing a non-equilibrium condition; positioning the preform to provide a contact region between the exposed surface of the composite component and the preform proximate the reactive constituent surface region; and reacting the reactive constituent surface region in an equilibrium reaction at the contact region to form a bond structure between the exposed surface of the composite component and the preform.

Abstract translation: 公开了一种用于改变陶瓷基体组分的方法，包括鉴定能够在燃气涡轮发动机中操作的复合部件的不合格区域; 去除所述不合格区域的至少一部分以产生所述复合部件的暴露表面; 响应于去除所述不合格区域的至少一部分而制备预成型件; 将反应性构成表面区域施加到复合构件的暴露表面和预成型体中的至少一个上，反应性构成表面区域能够产生非平衡条件; 定位预成型件以在复合部件的暴露表面和接近反应性构件表面区域的预成型件之间提供接触区域; 并使反应性组分表面区域在接触区域处的平衡反应中反应，以在复合组分的暴露表面和预型体之间形成结合结构。

公开(公告)号：WO2014129625A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/JP2014/054335

申请日：2014-02-24

Applicant: 京セラ株式会社

Inventor： 小野　浩司

IPC: H01L21/683 ,  B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  C04B37/02 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/555 ,  C04B2237/592 ,  C04B2237/595 ,  C04B2237/66 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 　試料保持具は、セラミックスからなり上面に試料保持面を有する基体と、金属からなり上面で基体の下面を覆う支持体とが、インジウムまたはインジウム合金からなる接合層を介して接合されており、接合層は、基体との接合面および支持体との接合面の少なくとも一方に接合層の厚み方向における中間領域よりもインジウム酸化物の含有率が高い層領域を有する。

Abstract translation: 在本发明中，在试样保持工具中，由陶瓷制的基材，其上表面具有试样保持面，由金属制成的支撑体，其上表面覆盖 基材的下表面通过由铟或铟合金构成的结合层而结合。 接合层在与基材的接合面和与支撑体的接合面中的至少一个上具有氧化铟含量高于键合厚度方向的中间区域的层区域 层。

公开(公告)号：WO2014097880A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/JP2013/082449

申请日：2013-12-03

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 石塚　博弥

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/36

CPC classification number: H05K3/20 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/19 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/704 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2203/04 ,  H01L2924/00

Abstract: 　ヒートシンク接合時のセラミックス基板と放熱層との剥離を抑制する。　セラミックス基板１１の一方の面に銅からなる回路層１２が接合され、セラミックス基板１１の他方の面にアルミニウムからなる放熱層１３が接合されてなるパワーモジュール用基板１０の製造方法であって、セラミックス基板１１に回路層１２をろう付け接合する回路層接合工程と、回路層接合工程の後にセラミックス基板１１の前記他方の面の酸化膜厚さを少なくともセラミックス基板１１と放熱層１３との接合予定領域の周縁部で３．２ｎｍ以下にする表面処理工程と、表面処理工程の後にセラミックス基板１１の前記他方の面に放熱層１３をろう付け接合する放熱層接合工程とを備える。

Abstract translation: 为了抑制散热器接合时的陶瓷基板与散热层的分离。 一种电源模块用基板（10）的制造方法，其特征在于，所述基板（10）通过将由铜构成的电路层（12）与陶瓷基板（11）的一个表面接合并将散热层（13） 由陶瓷基板（11）的另一个表面形成，其包括：电路层接合步骤，其中电路层（12）通过钎焊与陶瓷基板（11）接合; 表面处理步骤，其中陶瓷基板（11）的另一个表面的氧化物膜厚度至少在陶瓷基板（11）将与热量接合的区域周围的至少一部分设定为3.2nm以下 电路层接合步骤后的耗散层（13）; 以及散热层接合步骤，其中在表面处理步骤之后通过钎焊将散热层（13）接合到陶瓷基板（11）的另一个表面。

公开(公告)号：WO2013115359A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：PCT/JP2013/052347

申请日：2013-02-01

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 寺▲崎▼　伸幸 ,  長友　義幸 ,  西川　仁人 ,  黒光　祥郎

IPC: H01L23/13 ,  B23K35/30 ,  B23K35/32 ,  C22C5/06 ,  C22C14/00 ,  C22C16/00 ,  C22C27/02 ,  C22C28/00 ,  H01L23/36

CPC classification number: H05K1/0271 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/32 ,  B23K35/36 ,  B23K35/365 ,  B23K2201/42 ,  C04B35/632 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/44 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C22C5/06 ,  C22C14/00 ,  C22C16/00 ,  C22C21/00 ,  C22C27/00 ,  C22C27/02 ,  C22C28/00 ,  C22C30/04 ,  C22F1/08 ,  G01B15/02 ,  G01N23/203 ,  G01N2223/633 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/01322 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K1/18 ,  H05K1/181 ,  H05K3/388 ,  H05K13/0465 ,  H05K2201/0175 ,  Y10T428/12542 ,  H01L2924/00

Abstract: 　このパワーモジュール用基板は、セラミックス基板１１の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合され、前記銅板と前記セラミックス基板１１との間において、前記セラミックス基板１１の表面に窒化物層３１が形成され、前記窒化物層と前記銅板の間には、厚さが１５μｍ以下のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層３２が形成されている。

Abstract translation: 该功率模块用基板通过将由铜或铜合金形成的铜板层合并粘结在陶瓷基板（11）的表面上而获得。 在陶瓷基板（11）的铜板和陶瓷基板（11）的表面上形成氮化物层（31）。 在氮化物层和铜板之间形成厚度为15μm以下的Ag-Cu共晶结构层（32）。