公开(公告)号：WO2008014633A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：PCT/CN2006/001507

申请日：2006-06-29

Applicant: INTEL CORPORATION ,  TANG, John, J. ,  XU, Henry ,  SAKAMOTO, Shinichi

Inventor： TANG, John, J. ,  XU, Henry ,  SAKAMOTO, Shinichi

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/09 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/43 ,  H01L24/82 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2021/60007 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/435 ,  H01L2224/43985 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/85138 ,  H01L2224/85815 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: Some embodiments of the invention include a connecting structure between a support and at least one die attached to the support. The die includes a number of die bond pads on a surface of the die. The connecting structure includes a plurality of via and groove combinations. Conductive material is formed in the via and groove combinations to provide connection between the die bond pads and bond pads on the support. Other embodiments are described and claimed.

Abstract translation: 本发明的一些实施例包括在支撑件和附接到支撑件的至少一个模具之间的连接结构。 模具包括在模具的表面上的多个管芯接合焊盘。 连接结构包括多个通孔和凹槽组合。 导电材料形成在通孔和沟槽组合中，以提供管芯接合焊盘和支撑件上的接合焊盘之间的连接。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：WO2009125609A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：PCT/JP2009/050033

申请日：2009-01-06

Applicant: 株式会社新川 ,  国立大学法人東北大学 ,  前田 徹 ,  谷川 徹郎 ,  寺本 章伸

Inventor： 前田 徹 ,  谷川 徹郎 ,  寺本 章伸

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H05K3/321 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75265 ,  H01L2224/75266 ,  H01L2224/75611 ,  H01L2224/75651 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/85138 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/351 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00

Abstract: 　金属ナノペーストを用いて半導体ダイの電極と基板を接合するボンディング装置において、金属ナノペーストの微液滴を射出して電極（１２ａ）にバンプが形成された半導体ダイ（１２）を電極（１９ａ）にバンプが形成された回路基板（１９）にフェースダウンし、半導体ダイ（１２）の電極（１２ａ）と回路基板（１９）の電極（１９ａ）とを接合バンプ（２５０）を介して重ね合わせた後、重ね合わせた各電極（１２ａ），（１９ａ）間の隙間を重ね合わせた際の間隔よりも小さい所定の間隔Ｈ 3 に圧縮することにより各電極（１２ａ），（１９ａ）間のバンプを加圧すると共に各電極（１２ａ），（１９ａ）間のバンプを加熱してバンプの金属ナノ粒子を加圧焼結させて、接合金属（３００）とし、各電極（１２ａ），（１９ａ）を電気的に接続する。これによってボンディングの信頼性の向上を図ることができる。

Abstract translation: 提供了通过使用金属纳米糊料将半导体管芯上的电极和基板接合的接合装置。 具有通过注入金属纳米糊的细小液滴形成凸点的电极（12a）的半导体管芯（12）面向下放置在具有形成有凸块的电极（19a）的电路板（19）上，并且 半导体管芯（12）上的电极（12a）和电路板（19）上的电极（19a）彼此重叠，并具有接合凸块（250）。 之后，每个重叠电极（12a，19a）之间的间隙被压缩到比电极（12a，19a）重叠时获得的间隙小的预定间隙（H3），从而在相应的电极 电极（12a，19a）。 另外，加热各个电极（12a，19a）之间的凸起，并且将凸块的金属纳米颗粒压制并烧结以形成接头金属（300），使得电极（12a，19a）与每个电极 其他。 这使得能够提高接合的可靠性。

公开(公告)号：WO2009087561A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：PCT/IB2009/000014

申请日：2009-01-07

Applicant: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA ,  SENOO, Masaru

Inventor： SENOO, Masaru

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/06 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4899 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/78318 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2224/85138 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: A protective coating is formed on the surface of a semiconductor device. The surface is located on the side to which an extension portion of a wire connected to a pad of the semiconductor device is pulled. The protective coating is formed such that its height decreases toward the pad.

Abstract translation: 在半导体器件的表面上形成保护涂层。 表面位于连接到半导体器件的焊盘的引线的延伸部分被拉到的一侧。 保护涂层形成为使得其高度朝向垫减小。