公开(公告)号：WO2017011228A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/US2016/041000

申请日：2016-07-05

Applicant: INVENSAS CORPORATION

Inventor： UZOH, Cyprian, Emeka

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/12 ,  H01L21/324 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11442 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1162 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13409 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13813 ,  H01L2224/13839 ,  H01L2224/13844 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/013

Abstract: A method of making an assembly can include forming a first conductive element at a first surface of a substrate of a first component, forming conductive nanoparticles at a surface of the conductive element by exposure to an electroless plating bath, juxtaposing the surface of the first conductive element with a corresponding surface of a second conductive element at a major surface of a substrate of a second component, and elevating a temperature at least at interfaces of the juxtaposed first and second conductive elements to a joining temperature at which the conductive nanoparticles cause metallurgical joints to form between the juxtaposed first and second conductive elements. The conductive nanoparticles can be disposed between the surfaces of the first and second conductive elements. The conductive nanoparticles can have long dimensions smaller than 100 nanometers.

Abstract translation: 制造组件的方法可以包括在第一部件的基板的第一表面处形成第一导电元件，通过暴露于化学镀浴，在导电元件的表面上形成导电纳米颗粒，并置第一导电的表面 元件，其具有在第二部件的基板的主表面处的第二导电元件的对应表面，并且至少在并置的第一和第二导电元件的界面处将温度升高到导电纳米颗粒引起冶金接头的接合温度 在并置的第一和第二导电元件之间形成。 导电纳米颗粒可以设置在第一和第二导电元件的表面之间。 导电纳米颗粒可以具有小于100纳米的长尺寸。

公开(公告)号：WO2015049852A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：PCT/JP2014/004927

申请日：2014-09-26

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 手島　久雄

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L21/60 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/528 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L29/41716 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7398 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05113 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体素子が形成された半導体層と、半導体層の上面上に形成され、半導体素子と電気的に接続された第１の導体膜と、半導体層の側面上に形成され、半導体素子と電気的に接続された第２の導体膜と、第１の導体膜上に形成され、第１の導体膜を露出する開口部を有する第１の保護膜とを備え、半導体層の上面から第２の導体膜の上面までの高さは、半導体層の上面から第１の導体膜の上面までの高さと同じ、又は、低い半導体装置。

Abstract translation: 一种半导体器件，具备：形成有半导体元件的半导体层; 形成在半导体层的顶表面上并与半导体元件电连接的第一导体膜; 形成在半导体层的侧表面上并与半导体元件电连接的第二导体膜; 以及形成在第一导体膜上的第一外涂层，包括露出第一导体膜的开口部分。 从半导体层的顶部到第二导体膜的顶部的高度与从半导体层的顶部到第一导体膜的顶部的高度相同或更低。

公开(公告)号：WO2014006787A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：PCT/JP2013/000991

申请日：2013-02-21

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 和田　義之 ,  境　忠彦 ,  本村　耕治

IPC: H05K3/32 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H05K3/10 ,  H05K3/12

CPC classification number: H05K1/097 ,  G02F1/1303 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07745 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/145 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/742 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13301 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/7526 ,  H01L2224/75262 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75651 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81127 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/81601 ,  H01L2224/81611 ,  H01L2224/81618 ,  H01L2224/81624 ,  H01L2224/81639 ,  H01L2224/81644 ,  H01L2224/81647 ,  H01L2224/81655 ,  H01L2224/81657 ,  H01L2224/8166 ,  H01L2224/81664 ,  H01L2224/81669 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81871 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/181 ,  H05K3/12 ,  H05K3/321 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 電子部品実装構造体は、基板と、基板の表面に形成されたＣｕ等の高融点金属を主体とする導電性配線パターンと、導電性配線パターンの端子接合位置を内包する、前記基板の表面の搭載位置に搭載された、外部端子を有する電子部品と、を含む。外部端子は、端子接合位置で、導電性配線パターンの内部に没入した状態で、導電性配線パターンと接合されている。このため、単に導電性配線パターンの表面で、電子部品の外部端子と導電性配線パターンとを接合する接合部と比較すると、より強度の高い接合部で、外部端子と導電性配線パターンとを接合することができる。

Abstract translation: 电子部件安装结构包括：基板; 导电布线图案，主要由形成在基板表面上的Cu等高熔点金属构成; 以及具有外部端子并且安装在所述基板的表面上的安装位置的电子部件，所述安装位置包括在所述导电布线图案上的端子接头。 在端子接头处，外部端子在浸没在导电布线图案内的状态下与导电布线图形相连接。 因此，与电子部件的外部端子和导体布线图案仅在导体布线图案的表面接合的接头相比，外部端子和导电布线图案可以通过高强度接合部接合。

公开(公告)号：WO2013080790A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：PCT/JP2012/079463

申请日：2012-11-14

Applicant: 株式会社フジクラ

Inventor： 糸井　和久 ,  岡本　誠裕

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K3/10 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/11418 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13316 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73201 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80903 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8349 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0207 ,  H05K1/186 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4614 ,  H05K2201/0969 ,  H05K2201/10674 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/069 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/32 ,  H01L2924/00

Abstract: 部品内蔵基板実装体（１００）は、部品内蔵基板（１）と、これが実装された実装基板（２）とからなる。部品内蔵基板（１）は、第２～第４プリント配線基材（２０）～（４０）及びカバーレイフィルム（３）を熱圧着により一括積層した構造を備える。第２プリント配線基材（２０）の第２樹脂基材（２１）に形成された開口部（２９）内には、電子部品（９０）の裏面（９１ａ）と導熱層（２３Ａ）とが密着し、且つ孔部（２３Ｂ）を介して接着層（９）により固定された状態で内蔵されている。第４プリント配線基材（４０）の実装面（２ａ）側にはバンプ（４９）が形成されている。電子部品（９０）の裏面（９１ａ）に接する導熱層（２３Ａ）やサーマルビア（２４）を介して、各層のサーマルビア及びサーマル配線を通り、バンプ（４９）から実装基板（２）に電子部品（９０）の熱が伝わって、実装基板（２）にて放熱される。

Abstract translation: 具有嵌入式组件（100）的板的封装包括具有嵌入式组件（1）的板和安装板（2），安装有嵌入式组件的板。 具有嵌入式部件（1）的电路板具有通过热压接而将第二至第四印刷布线基板（20-40）和盖板（3）层叠在封装中的结构。 在形成在第二印刷布线基板（20）的第二树脂基板（21）上的开口部（29）的内部，电子部件（90）的背面（91a）和导热层（23A） 通过其间具有孔（23B）的粘合层（9）嵌入固定状态。 在第四印刷布线基板（40）的安装表面（2a）侧形成有凸起（49）。 来自电子部件（90）的热：经由热通孔（24）和与电子部件的背面（91a）接触的导热层（23A）穿过各层的热通孔和热布线（ 90）; 从凸块（49）传送到安装板（2）; 并通过安装板（2）消散。

公开(公告)号：WO2012176392A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：PCT/JP2012/003733

申请日：2012-06-07

Applicant: パナソニック株式会社 ,  平野 博茂 ,  伊藤 豊 ,  石田 裕之 ,  石川 和弘

Inventor： 平野　博茂 ,  伊藤　豊 ,  石田　裕之 ,  石川　和弘

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　半導体装置は、半導体基板（２０）の上に形成された第１の絶縁膜（１）と、第１の絶縁膜（１）の上に形成された第１の配線（２）と、第１の絶縁膜（１）の上に第１の配線（２）を覆うように形成された第２の絶縁膜（３）と、第２の絶縁膜（３）の上に形成された第２の配線（３０）とを有している。第２の配線（３０）は、第２の絶縁膜（３）の上に形成されたバリア層（４）と、バリア層（４）の上に形成されためっき層（６）とを含む。バリア層（４）は、めっき層（６）の構成原子の第２の絶縁膜（３）への拡散を防止し、且つ、バリア層（４）の幅は、めっき層（６）の幅よりも大きい。

Abstract translation: 该半导体器件包括：形成在半导体衬底（20）上的第一绝缘膜（1）; 形成在第一绝缘膜（1）上的第一布线（2）; 形成在第一绝缘膜（1）上以覆盖第一布线（2）的第二绝缘膜（3）; 和形成在第二绝缘膜（3）上的第二布线（30）。 第二布线（30）包括形成在第二绝缘膜（3）上的阻挡层（4）和形成在阻挡层（4）上的镀层（6）。 阻挡层（4）防止镀层（6）的构成原子向第二绝缘膜（3）的扩散，阻挡层（4）的宽度大于镀层（6）的宽度， 。

公开(公告)号：WO2009125609A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：PCT/JP2009/050033

申请日：2009-01-06

Applicant: 株式会社新川 ,  国立大学法人東北大学 ,  前田 徹 ,  谷川 徹郎 ,  寺本 章伸

Inventor： 前田 徹 ,  谷川 徹郎 ,  寺本 章伸

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H05K3/321 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75265 ,  H01L2224/75266 ,  H01L2224/75611 ,  H01L2224/75651 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/85138 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/351 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00

Abstract: 　金属ナノペーストを用いて半導体ダイの電極と基板を接合するボンディング装置において、金属ナノペーストの微液滴を射出して電極（１２ａ）にバンプが形成された半導体ダイ（１２）を電極（１９ａ）にバンプが形成された回路基板（１９）にフェースダウンし、半導体ダイ（１２）の電極（１２ａ）と回路基板（１９）の電極（１９ａ）とを接合バンプ（２５０）を介して重ね合わせた後、重ね合わせた各電極（１２ａ），（１９ａ）間の隙間を重ね合わせた際の間隔よりも小さい所定の間隔Ｈ 3 に圧縮することにより各電極（１２ａ），（１９ａ）間のバンプを加圧すると共に各電極（１２ａ），（１９ａ）間のバンプを加熱してバンプの金属ナノ粒子を加圧焼結させて、接合金属（３００）とし、各電極（１２ａ），（１９ａ）を電気的に接続する。これによってボンディングの信頼性の向上を図ることができる。

Abstract translation: 提供了通过使用金属纳米糊料将半导体管芯上的电极和基板接合的接合装置。 具有通过注入金属纳米糊的细小液滴形成凸点的电极（12a）的半导体管芯（12）面向下放置在具有形成有凸块的电极（19a）的电路板（19）上，并且 半导体管芯（12）上的电极（12a）和电路板（19）上的电极（19a）彼此重叠，并具有接合凸块（250）。 之后，每个重叠电极（12a，19a）之间的间隙被压缩到比电极（12a，19a）重叠时获得的间隙小的预定间隙（H3），从而在相应的电极 电极（12a，19a）。 另外，加热各个电极（12a，19a）之间的凸起，并且将凸块的金属纳米颗粒压制并烧结以形成接头金属（300），使得电极（12a，19a）与每个电极 其他。 这使得能够提高接合的可靠性。

公开(公告)号：WO2016156853A8

公开(公告)日：2018-01-25

申请号：PCT/GB2016050910

申请日：2016-03-31

Applicant: ALPHA ASSEMBLY SOLUTIONS INC ,  ROHAN SETNA

Inventor： VENKATAGIRIYAPPA RAMAKRISHNA HOSUR ,  DE AVILA RIBAS MORGANA ,  DAS BARUN ,  SIDDAPPA HARISH HANCHINA ,  MUKHERJEE SUTAPA ,  SARKAR SIULI ,  SINGH BAWA ,  RAUT RAHUL ,  PANDHER RANJIT

IPC: B23K1/00 ,  B23K35/00 ,  C08K3/00 ,  C08K3/04 ,  C08K5/00 ,  C08K7/02 ,  C08L83/04 ,  H01L21/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: C08K3/04 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/20 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3602 ,  B23K2201/42 ,  C08K3/013 ,  C08K3/042 ,  C08K5/00 ,  C08K7/02 ,  H01L23/295 ,  H01L23/296 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2224/11418 ,  H01L2224/11422 ,  H01L2224/1301 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13386 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/13393 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/13444 ,  H01L2224/13447 ,  H01L2224/13486 ,  H01L2224/13487 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27422 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27602 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29486 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81856 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81874 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/3841 ,  C08L63/00 ,  C08L83/04 ,  C08K5/092 ,  C08K5/18 ,  C08K5/49 ,  C08L2205/025 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/07001 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/0675 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01102 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01109 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/061 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0103

Abstract: A composition for use in an electronic assembly process, the composition comprising a filler dispersed in an organic medium, wherein: the organic medium comprises a polymer; the filler comprises one or more of graphene, functionalised graphene, graphene oxide, a polyhedral oligomeric silsesquioxane, graphite, a 2D material, aluminium oxide, zinc oxide, aluminium nitride, boron nitride, silver, nano fibres, carbon fibres, diamond, carbon nanotubes, silicon dioxide and metal-coated particles, and the composition comprises from 0.001 to 40 wt.% of the filler based on the total weight of the composition.

Abstract translation: 一种用于电子装配过程的组合物，该组合物包含分散在有机介质中的填料，其中：有机介质包含聚合物; 填料包括石墨烯，官能化石墨烯，氧化石墨烯，多面体低聚倍半硅氧烷，石墨，2D材料，氧化铝，氧化锌，氮化铝，氮化硼，银，纳米纤维，碳纤维，金刚石，碳纳米管中的一种或多种 ，二氧化硅和金属包覆颗粒，并且所述组合物包含基于组合物总重量的0.001至40重量％的填料。

公开(公告)号：WO2015175557A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/US2015/030413

申请日：2015-05-12

Applicant: INVENSAS CORPORATION

Inventor： UZOH, Cyprian, Emeka ,  KATKAR, Rajesh

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98 ,  H01L25/10 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/49811 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0266 ,  B23K35/22 ,  B23K2201/40 ,  B32B15/01 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/03318 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0333 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05294 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05794 ,  H01L2224/05839 ,  H01L2224/05844 ,  H01L2224/05847 ,  H01L2224/05855 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/2401 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81138 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841

Abstract: In some embodiments, to increase the height-to-pitch ratio of a solder connection that connects different structures with one or more solder balls, only a portion (510) of a solder ball's (140) surface is melted when the connection is formed on one structure (110) and/or when the connection is being attached to another structure (HOB). The structure (110) may be an integrated circuit, an interposer, a rigid or flexible wiring substrate, a printed circuit board, some other packaging substrate, or an integrated circuit package. In some embodiments, solder balls (140.1, 140.2) are joined by an intermediate solder ball (140i), upon melting of the latter only. Any of the solder balls (140, 140i) may have a non-solder central core (140C) coated by solder shell (140S). Some of the molten or softened solder may be squeezed out, to form a "squeeze-out" region (520, 520A, 520B, 520.1, 520.2). In some embodiments, a solder connection (210) such as discussed above, on a structure (110A), may be surrounded by a dielectric layer (1210), and may be recessed in a hole (1230) in that layer (1210), to help in aligning a post (1240) of a structure (HOB) with the connection (210) during attachment of the structures (110A, HOB). The dielectric layer (1210) may be formed by moulding. The dielectric layer may comprise a number of layers (1210.1, 1210.2), "shaved" (partially removed) to expose the solder connection (210). Alternatively, the recessed solder connections (210) may be formed using a sublimating or vapourisable material (1250), placed on top of the solder (210) before formation of the dielectric layer (1210) or coating solder balls (140); in the latter case, the solder (140C) sinks within the dielectric material (1210) upon removal of the material (1250) and subsequent reflow. In some embodiments, the solder connections (210) may also be formed in openings (2220) in a dielectric layer (2210) (photoimageable polymer or inorganic) by solder paste printing and/or solder ball jet placement followed by reflow to let the solder sink to the bottom of the openings (2220), with possible repetition of the process and possible use of different solders in the different steps. The solder connections (210, 210.1, 210.2) may be used for bonding one or more structures (HOB, HOC) (e.g. an integrated circuit die or wafer, a packaging substrate or a package) to a structure (110A) (a wiring substrate) on which a die (HOB) is flip-chip connected. The solder connections (210, 210.1, 210.2) may differ from each other, in particular in height, which can be used for attaching a structure (HOB) with posts (1240) of different heights or for attaching two structures (HOB, HOC) in the case of a stepped form of the dielectric layer, one of the structures (HOC) being possibly placed higher than the other structure (HOB). In some embodiments, the structure (HOA) may be removed after bonding to the structures (HOB, HOC) and a redistribution layer (3210) may be formed to provide connecting lines (3220) connecting the solder connections (210) to contact pads (120R) and possibly interconnecting between the solder connections (210) and/or between the contact pads (120R).

Abstract translation: 在一些实施例中，为了增加将不同结构与一个或多个焊球连接的焊料连接的高度与间距比，当焊接球（140）表面的一部分（510）形成在 一个结构（110）和/或当连接被附接到另一个结构（HOB）时。 结构（110）可以是集成电路，插入器，刚性或柔性布线基板，印刷电路板，一些其它封装基板或集成电路封装。 在一些实施例中，焊料球（140.1,140.2）仅在熔化时被中间焊球（140i）连接。 任何焊球（140,140i）可以具有由焊料壳（140S）涂覆的非焊料中心芯（140C）。 一些熔融或软化的焊料可能被挤出，以形成“挤出”区域（520,520A，520B，520.1,520.2）。 在一些实施例中，在结构（110A）上的如上所述的焊料连接（210）可被电介质层（1210）包围，并且可以凹入该层（1210）中的孔（1230）中， 以在结构（110A，110B）的附接期间帮助将结构的柱（1240）与连接件（210）对齐。 电介质层（1210）可以通过模制形成。 介电层可以包括多个层（1210.1,1212.2），“剃光”（部分去除）以暴露焊料连接（210）。 或者，可以在形成电介质层（1210）或涂覆焊球（140）之前使用升华或蒸发的材料（1250）形成凹陷的焊料连接（210），放置在焊料（210）的顶部上。 在后一种情况下，当去除材料（1250）和随后的回流时，焊料（140C）在电介质材料（1210）内下沉。 在一些实施例中，焊料连接（210）还可以通过焊膏印刷和/或焊球喷射放置形成在电介质层（2210）（可光成像的聚合物或无机）中的开口（2220）中，然后回流以使焊料 沉入开口（2220）的底部，可能重复该过程并可能在不同步骤中使用不同的焊料。 焊接连接（210,210.1,210.2）可以用于将一个或多个结构（HOB，HOC）（例如，集成电路管芯或晶片，封装衬底或封装）结合到结构（110A）（布线基板 ），其上晶片（HOB）被倒装连接。 焊接连接（210,210.1,210.2）可以彼此不同，特别是在高度上可以不同，其可用于将结构（HOB）与不同高度的柱（1240）连接或用于附接两个结构（HOB，HOC） 在阶梯形状的电介质层的情况下，结构（HOC）中的一个可能被放置得高于其他结构（HOB）。 在一些实施例中，可以在结合到结构（HOB，HOC）之后去除结构（HOA），并且可以形成再分布层（3210），以提供将焊接连接（210）连接到接触焊盘的连接线（3220） 120R），并且可能在焊料连接（210）和/或接触焊盘（120R）之间互连。

公开(公告)号：WO2015162405A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/GB2015/051099

申请日：2015-04-10

Applicant: ALPHA METALS, INC. ,  SETNA, Rohan P

Inventor： SETNA, Rohan P ,  CHAKI, Nirmalya Kumar ,  ROY, Poulami Sengupta ,  SARKAR, Siuli ,  MUKHERJEE, Sutapa

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F9/24 ,  C09C1/00 ,  C09C3/08

CPC classification number: B22F9/24 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/025 ,  B22F9/04 ,  B22F2009/043 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/255 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/32 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/11 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C09C1/62 ,  C09C1/622 ,  C09C1/627 ,  C09J1/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11438 ,  H01L2224/1144 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27438 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81

Abstract: A method for manufacturing metal powder comprising: providing a basic metal salt solution; contacting the basic metal salt solution with a reducing agent to precipitate metal powder therefrom; and recovering precipitated metal powder from the solvent.

Abstract translation: 一种制造金属粉末的方法，包括：提供碱金属盐溶液; 使碱金属盐溶液与还原剂接触以从其中沉淀金属粉末; 并从溶剂中回收沉淀的金属粉末。

公开(公告)号：WO2007005592A3

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：PCT/US2006025548

申请日：2006-06-30

Applicant: INTEL CORP ,  HUA FAY

Inventor： HUA FAY

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/486 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13316 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13411 ,  H01L2224/13416 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/13444 ,  H01L2224/13447 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: A nano-sized metal particle composite includes a first metal that has a particle size of about 50 nanometer or smaller. A wire interconnect is in contact with a reflowed nanosolder and has the same metal or alloy composition as the reflowed nanosolder. A microelectronic package is also disclosed that uses the reflowed nanosolder composition. A method of assembling a microelectronic package includes preparing a wire interconnect template. A computing system includes a nanosolder composition coupled to a wire interconnect.

Abstract translation: 纳米尺寸金属颗粒复合材料包括粒径为约50纳米或更小的第一金属。 电线互连与回流纳米溶剂接触并具有与回流纳米溶剂相同的金属或合金组成。 还公开了使用回流纳米涂料组合物的微电子封装。 一种组装微电子封装的方法包括制备导线互连模板。 计算系统包括耦合到电线互连的纳米涂料组合物。