公开(公告)号：CN106409755A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201510465541.6

申请日：2015-07-31

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 张海洋 ,  张城龙

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53276

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底以及位于基底表面的第一介质层；形成贯穿第一介质层的开口；形成填充满开口的第一金属层、以及位于第一金属层顶部表面的第二金属层；在第二金属层顶部表面和侧壁表面形成第一石墨烯层；在第一介质层顶部表面、以及第一石墨烯层顶部表面和侧壁表面形成第二介质层；研磨去除高于第二金属层顶部表面的第一石墨烯层以及第二介质层，直至暴露出第二金属层顶部表面；在暴露出的第二金属层顶部表面形成第二石墨烯层。本发明降低了半导体结构的电阻，改善了半导体结构的电学性能。

公开(公告)号：CN102971070B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201180032443.3

申请日：2011-06-28

申请人： 纳克公司

发明人： 希夫库马尔·基鲁沃卢 ,  伊戈尔·奥尔特曼 ,  伯纳德·M·弗雷 ,  李卫东 ,  刘国钧 ,  罗伯特·B·林奇 ,  吉娜·伊丽莎白·佩格拉-梁 ,  乌马·斯里尼瓦桑

IPC分类号： B01J13/00 ,  C01B33/02 ,  C01G17/00 ,  C09D11/38 ,  C09D11/03 ,  B01J19/08

CPC分类号： C09D11/38 ,  B01D21/262 ,  B01J19/121 ,  B01J2219/0869 ,  B01J2219/0871 ,  B01J2219/0875 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/02 ,  C08K3/08 ,  C08K3/36 ,  C08K9/02 ,  C09D5/24 ,  C09D7/67 ,  C09D7/68 ,  C09D7/80 ,  C09D11/037 ,  C09D11/101 ,  C09D11/322 ,  C09D11/36 ,  C09D11/52 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L23/4828 ,  H01L23/53276 ,  H01L31/00 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1864 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明描述了激光热解反应器设计和相应反应物入口喷嘴以提供尤其适合于合成元素硅粒子的所需粒子淬灭。具体来说，所述喷嘴的设计可基于包围反应物前体流的相当大的惰性气体流用惰性气体和用有效包围所述反应物前体流和淬灭气体流的较大惰性夹带流来促进成核和淬灭。本发明还描述了改进的硅纳米粒子墨水，其具有的硅纳米粒子未经任何有机化合物表面改性。硅墨水性质可经改造以用于特定印刷应用，例如喷墨印刷、凹版印刷或丝网印刷。本发明还描述了适当加工方法以不对硅纳米粒子进行表面改性即向墨水设计提供灵活性。

公开(公告)号：CN103996651A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201310182466.3

申请日：2013-05-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨士亿 ,  李明翰 ,  李香寰 ,  吴宪昌

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5328 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/734 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括：提供包括形成在第一绝缘材料中的导电部件和设置在第一绝缘材料上方的第二绝缘材料的工件。第二绝缘材料具有在导电部件上方的开口。该方法包括：在第二导电材料中的开口内的导电部件的暴露顶面上方形成基于石墨烯的导电层，并且在第二绝缘材料中的开口的侧壁上方形成基于碳的粘合层。在图案化第二绝缘材料中的基于石墨烯的导电层和基于碳的粘合层上方形成碳纳米管（CNT）。

公开(公告)号：CN103782349A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280043509.3

申请日：2012-07-05

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 桑·范·恩古叶恩 ,  A·格瑞尔 ,  T·J海格 ,  S·麦合塔

IPC分类号： H01B3/18 ,  H01B17/62

CPC分类号： H01L21/02112 ,  H01B3/12 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/78648 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种介电常数等于或小于3.6的富碳的碳氮化硼介电膜，它可被用作各种电子器件中的组件。富碳的碳氮化硼介电膜具有式子CxByNz，其中，x为35原子百分比或更大，y为6原子百分比到32原子百分比，以及z为8原子百分比到33原子百分比。

公开(公告)号：CN103650067A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280031175.8

申请日：2012-06-22

申请人： 株式会社可乐丽

发明人： 田边裕史 ,  大竹富明 ,  松木浩志

IPC分类号： H01B13/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： C01B31/0253 ,  B29D7/01 ,  C01B32/168 ,  G02F1/13439 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/53276 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0015 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/444 ,  H01L51/5206 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种分辨率高的导电性图案。一种规定图案的导电膜形成方法，其特征在于，具备设置导电性碳纳米管层的工序、以及对上述工序中设置的导电性碳纳米管层的所述规定图案对应位置以外的区域照射紫外线的紫外线照射工序，其中，紫外线照射区域的导电性碳纳米管改性为绝缘性，紫外线未照射区域的导电性碳纳米管保持导电性。

公开(公告)号：CN103515354A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210460900.5

申请日：2012-11-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴宪昌 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53209 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种装置包括形成在衬底上方的第一介电层、嵌在第一介电层中的第一金属线、形成在第一介电层上方的第二介电层、嵌在第二介电层中的第二金属线、形成在第一金属线和第二金属线之间的互连结构、形成在第一金属线和互连结构之间的第一碳层以及形成在第二金属线和互连结构之间的第二碳层。本发明提供了用于低接触电阻碳纳米管互连件的装置和方法。

公开(公告)号：CN103354223A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310220391.3

申请日：2006-08-28

申请人： 斯莫特克有限公司

发明人： 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/532

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B01J23/755 ,  B01J23/76 ,  B82Y10/00 ,  D01F9/08 ,  D01F9/127 ,  H01B1/04 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53276 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了在导电或绝缘基底上生长的纳米结构，及其生长方法。根据权利要求的方法生长的纳米结构适用于电子器件的互连线和/或散热器。

公开(公告)号：CN103003921A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180033816.9

申请日：2011-06-07

申请人： 美光科技公司

发明人： 古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一些实施例包含电互连件。所述互连件可含有具有夹在非石墨烯区之间的石墨烯区的层压结构。在一些实施例中，所述石墨烯区与非石墨烯区可嵌套在彼此内。在一些实施例中，电绝缘材料可在所述层压结构的上部表面上方，且开口可穿过所述绝缘材料延伸到所述层压结构的一部分。导电材料可在所述开口内且与所述层压结构的所述非石墨烯区中的至少一者电接触。一些实施例包含形成电互连件的方法，其中非石墨烯材料与石墨烯交替地形成于沟槽内以形成嵌套的非石墨烯区与石墨烯区。

公开(公告)号：CN102790017A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210155286.1

申请日：2012-05-17

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 奥利弗·黑贝伦 ,  杰拉尔德·拉克纳 ,  安东·毛德

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L29/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体部件和制造半导体部件的方法。在各个实施方式中，半导体部件可以包括具有正面和背面的半导体层；至少部分形成在半导体层内的至少一个电子元件；形成在半导体层内并从半导体层的正面引向背面的至少一个通孔；设置在半导体层的正面上并将至少一个电子元件与至少一个通孔电连接的正面金属化层；设置在半导体层的正面上并与半导体层机械耦接的帽，所述帽被构造为半导体部件的正面载体；设置在半导体层的背面上并与至少一个通孔电连接的背面金属化层。

公开(公告)号：CN102782054A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180012389.6

申请日：2011-01-14

申请人： 格尔德殿工业公司

发明人： 维嘉恩·S.·维拉萨米

IPC分类号： C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/12 ,  B05D5/12 ,  H01L23/532 ,  H01L51/00 ,  H01L51/44

CPC分类号： H01L21/288 ,  B82Y10/00 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3649 ,  C03C2217/465 ,  C08K3/041 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/70 ,  C09D11/52 ,  C09D11/54 ,  H01L23/53276 ,  H01L31/035227 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/444 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5206 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的某些示例性实施例涉及包括碳纳米管（CNTs）和纳米线符合材料的大面积透明导电涂层（TCCs）及其制备方法。薄膜的σdc/σopt比值可通过稳定的化学掺杂和/或CNT基薄膜的合金化来提高。所述掺杂和/或合金化可被实施于大面积涂层系统，例如，在玻璃和/或其他衬底上。在某些示例性实施例中，一种CNT薄膜可沉积，随后通过化学功能化和/或银和/或钯合金化来掺杂。p型和n型掺杂都可用于本发明的不同实施例中。在某些示例性实施例中，银和/或其他纳米线可被提供，例如，进一步降低表面电阻率。某些示例性实施例可提供接近、满足或超过90%可见传输和90欧姆/平方米目标度量的涂层。