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公开(公告)号：CN103208568A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310108094.X
申请日：2013-04-01
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管，其包括：衬底，表面具有次微米图案，定义为生长区和非生长区；生长阻隔层，形成于所述衬底的非生长区，用于阻挡衬底非生长区的外延生长；发光外延层，形成于所述衬底的生长区并通过横向外延向所述非生长区延伸，覆盖所述生长阻隔层，包括n型层、发光层和p型层；其中，所述生长阻隔层的折射率小于发光外延层的折射率，且顺着所述衬底的次微米图案形成高低起伏之形貌，从而在增加发光二极管的取光界面的同时，提供发光外延层与取光界面的折射系数差异，提高取光效率。
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公开(公告)号：CN102859695A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020720.9
申请日：2011-04-15
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： H01L29/06 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/15 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/155 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02507 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L29/872
摘要： 本发明提供一种将硅基板作为基底基板，无裂纹且耐电压性优良的外延基板。将在（111）取向的单晶Si基底基板上，以使（0001）结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组的外延基板，以如下方式形成。该外延基板具有：缓冲层，其具有多个通过交替层叠由AlN构成的第一组分层和由AlxGa1-xN（0≦x＜1）构成的第二组分层而形成的组分调制层；形成在缓冲层上的结晶层；将第一组分层和第二组分层的层叠数分别设为n，并将从基底基板侧开始的第i个第二组分层的x的值设为x（i）时，以满足x（1）≧x（2）≧···≧x（n-1）≧x（n），且x（1）＞x（n）的方式形成，使得各第二组分层相对于第一组分层形成共格状态。
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公开(公告)号：CN102856455A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210300925.9
申请日：2008-03-17
申请人： 浜松光子学株式会社
CPC分类号： C23C16/303 , C23C16/0272 , C23C16/042 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： 本发明涉及一种氮化物半导体基板（1），其具有GaN系半导体层（6）和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层（7），其中，GaN系半导体层（6）是在基底层（4）上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层（6）呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面（62）的层。
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公开(公告)号：CN102822985A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015387.2
申请日：2011-04-06
申请人： 高菲欧股份有限公司
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02428 , H01L21/0243 , H01L21/02494 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/02628 , H01L21/02661 , H01L21/228 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明披露了外延结构、产生外延结构的方法、以及含有此外延结构的器件。该方法与结构使用了液相IVA族半导体元素前体油墨(例如含有环硅烷和/或聚硅烷)且具有较良好的薄膜质量(例如纹理、致密度和/或纯度)。当沉积在(多)晶性基板表面上并经由加热足以使该IVA族半导体前体薄膜或特征部采取基板表面的(多)晶性结构时，IVA族半导体元素前体油墨会形成外延薄膜或特征部。相较于那些含有以非本发明的外延结构制成的选择性发射体的器件而言，含有具有本发明的外延结构的选择性发射体的器件会呈现出较佳的能量转换效率，这是因为其薄膜质量较佳和/或其外延薄膜与形成于该薄膜上的接点之间的区域中形成了完美的界面。
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公开(公告)号：CN102484179A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039088.8
申请日：2010-10-01
申请人： 普瑞光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/22 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/0004 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32
摘要： 公开了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括夹在p型半导体层和n型半导体层之间的有源层。当来自p型半导体层的空穴和来自n型半导体层的电子在有源层中结合时，有源层发光。有源层包括多个子层并具有多个凹坑，多个子层的侧表面在凹坑中与p型半导体材料接触从而使得来自p型半导体材料的空穴通过暴露的侧表面注入那些子层而不通过另一个子层。凹坑能够通过以下方式形成：利用n型半导体层中的位错，并使用在同一个腔内用于沉积半导体层的蚀刻气氛来蚀刻有源层而不移除部分制造的器件。
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公开(公告)号：CN102484049A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080035067.9
申请日：2010-06-30
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , H01L21/338 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC分类号： H01L21/0254 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L29/872
摘要： 本发明提供将单晶硅用作基底基板的品质和特性优异的氮化物外延基板。在(111)单晶硅基板上，以(0001)结晶面大致平行于基板面的方式形成III族氮化物层群而成的外延基板具有：形成于基底基板上且由AlN构成的第一III族氮化物层；形成于第二III族氮化物层上且由InxxAlyyGazzN(xx+yy+zz＝1、0≤xx≤1、0＜yy≤1、0＜zz≤1)构成的第二III族氮化物层；以及在第二III族氮化物层上外延形成的至少一个第三III族氮化物层，而且，第一III族氮化物层为由柱状结晶、粒状结晶或晶畴中的至少一种构成的含多缺陷的层，第一III族氮化物层与第二III族氮化物层之间的界面为三维凹凸面。
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公开(公告)号：CN102362336A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013387.4
申请日：2010-03-25
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/02381 , H01L21/02494 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/66734
摘要： 本发明提供一种容易获得所希望的电特性的半导体衬底、半导体装置和半导体衬底的制造方法。半导体衬底的制造方法具备：形成第1外延层11的第1外延层形成工序（S1）；在第1外延层形成沟槽的沟槽形成工序（S2）；以及外延层形成工序（S3、S4、S5），在第1外延层和沟槽内，使用包含不同的生长速度的多个生长条件，以掩埋沟槽内的方式形成外延层，使在多个生长条件的每一个中掺入到外延层中的掺杂物浓度为固定。
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公开(公告)号：CN101414553B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810165776.3
申请日：2008-09-23
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02439 , H01L21/02494 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02587 , H01L21/02656 , H01L21/761 , H01L21/764 , H01L21/82 , H01L21/8222
摘要： 本发明提供一种半导体晶片及其制造方法。以往超结结构晶片的制造方法需要沿半导体晶片的厚度方向多阶段地形成外延层的工序和离子注入工序，工序数量多。pn接合面呈波形，耗尽层难以均匀扩展。在利用倾斜离子注入形成一部分柱状半导体层的方法中，为了使杂质分布在晶片垂直方向上均匀，需要向沟槽下方也注入，存在无效区域增多的问题。本发明在半导体衬底上至少交替进行三次以上n型外延层的形成和蚀刻以及p型外延层的形成和蚀刻，从而用外延层形成所有半导体层。能将各半导体层的宽度形成得较窄，故在要求的耐压相同时，可提高各半导体层的杂质浓度，降低晶片的电阻值。通过最后在残留的空间部中埋入绝缘层，能避免在外延层的接合面产生不良。
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公开(公告)号：CN101140864A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610128968.8
申请日：2006-09-05
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/335 , H01L21/00 , H01L29/04 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0251 , H01L21/02524 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/0262
摘要： 本发明涉及半导体异质结构和形成半导体异质结构的方法。所述方法包括：提供具有第一面内晶格参数a1的基材，提供具有第二面内晶格参数a2的缓冲层，和在所述缓冲层上提供顶层。为了改善所述半导体异质结构的表面粗糙度，在缓冲层和顶层之间提供附加层，其中所述附加层具有介于第一晶格参数和第二晶格参数之间的第三面内晶格参数a3。
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公开(公告)号：CN100337338C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410063346.2
申请日：2000-10-08
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
摘要： 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。
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