公开(公告)号：CN108281478A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201710010912.0

申请日：2017-01-06

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 李勇

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有层间介质层，层间介质层内具有露出部分基底的开口，开口底部和侧壁形成有叠层结构，叠层结构还位于层间介质层的顶部；至少去除位于层间介质层顶部的叠层结构；至少去除部分所述叠层结构后，对基底进行退火处理；退火处理后，在开口中填充金属层，形成栅极结构。本发明通过采用至少去除位于层间介质层顶部的叠层结构的方法，以减小叠层结构的长度；从而可以减小叠层结构的膨胀量(或收缩量)，相应减小叠层结构因产生过大应力而发生破裂的可能性，以减小栅极漏电流、改善半导体结构中接触孔插塞和栅极结构之间的隔离效果，进而使所形成半导体结构的电学性能和良率得到提高。

公开(公告)号：CN108231676A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711305827.3

申请日：2017-12-11

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 田渕智隆 ,  曾砚琳

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/268 ,  B24B27/06 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2221/68327

摘要： 提供晶片的加工方法，能够在晶片正面的器件区域被保护膜覆盖的状态下进行等离子照射，并能够抑制器件的损伤。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：保护膜形成工序，形成将晶片(W)的正面整体包覆的保护膜(70)；激光照射工序，沿着间隔道(ST)照射激光(LB)而将功能层(72)去除，并使基板(71)露出；保护膜检测工序，对激光照射后的晶片上的多个器件(DV)区域中的保护膜的包覆状态进行检测；保护膜再形成工序，当在器件区域中存在未包覆保护膜的部分的情况下，再次形成保护膜以便将各器件区域覆盖；等离子照射工序，对晶片进行等离子照射；以及分割工序，通过沿着间隔道的切削对晶片进行分割。

公开(公告)号：CN108231658A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711336976.6

申请日：2017-12-14

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 森数洋司 ,  卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  服部奈绪

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/02

CPC分类号： B23K26/043 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/032 ,  B23K26/042 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0613 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/54 ,  H01L21/02 ,  H01L21/268 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78 ,  H01L31/20 ,  H01L31/202 ,  H01L33/00 ,  H01L33/007

摘要： 基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，基板具有上面形成至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。方法包括从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)。基板(2)由对脉冲激光束(LB)透明的材料制成。在脉冲激光束(LB)的焦点(P)位于在从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向上离第一表面(2a)一距离处的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处被施加到基板，以在基板(2)内形成多个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着存在完全布置在基板(2)的本体内的改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。

公开(公告)号：CN108074810A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711123594.5

申请日：2017-11-14

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 细川博司 ,  岩崎真也 ,  西胁刚 ,  今井敦志 ,  大木周平

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/268 ,  H01L21/322 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L27/0716 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/08 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/66348 ,  H01L21/322

摘要： 本发明提供抑制阴极区域与晶体缺陷区域的相对位置偏离的半导体装置的制造方法。该制造方法是具备二极管的半导体装置的制造方法，具有：通过从半导体基板的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面中的至少一方向所述半导体基板的第一范围和第二范围注入带电粒子，来使所述第一范围及所述第二范围的晶体缺陷密度上升的工序；通过从所述第一表面向所述第一范围注入n型杂质，来使所述第一范围的向所述第一表面露出的区域非晶形化的工序；在实施所述带电粒子的注入和所述n型杂质的注入后，通过将激光向所述第一表面照射来对所述第一范围和所述第二范围进行加热的工序；及在实施所述激光的照射以后使非晶形化的所述区域结晶化的工序。

公开(公告)号：CN105008085B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201380062649.X

申请日：2013-11-29

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 广瀬翼 ,  泷口优 ,  伊崎泰则 ,  下井英树

IPC分类号： B23K26/06 ,  B23K26/00 ,  B23K26/064 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40

CPC分类号： H01L21/268 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/38 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/67115

摘要： 激光加工装置(1)是通过对加工对象物(S)照射激光(L)而在加工对象物(S)形成改质区域(R)的装置。激光加工装置(1)具备：激光光源(2)，其出射激光(L)；载置台(8)，其支撑加工对象物(S)；以及光学系统(11)，其使从激光光源(2)出射的激光(L)中包围包含该激光(L)的光轴的中央部的环状部，聚光于被载置台(8)支撑的加工对象物(S)的规定部。光学系统(11)根据加工对象物(S)中规定部的位置，调整激光(L)的环状部的内缘和外缘中的至少一者的形状。

公开(公告)号：CN105474365B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201480019344.5

申请日：2014-01-30

申请人： 艾柯西柯法国公司 ,  爱尔兰科克国立大学

发明人： R·达菲 ,  M·沙耶斯特 ,  K·休伊特

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种通过提供锗(Ge)的第一层(120)和金属的第二层在衬底上形成至少一种金属锗化物接触件以用于提供半导体装置(100)的方法。本发明提供下述步骤：使用高能量密度脉冲，使第二层与第一层反应，用于获得与下面的第一(Ge)层具有基本上平坦的界面的锗化物金属层(160A)。

公开(公告)号：CN104882371B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201510199238.6

申请日：2008-05-30

申请人： 株式会社 ,  IHI

发明人： 河口纪仁 ,  川上隆介 ,  西田健一郎 ,  M.正木 ,  森田胜

IPC分类号： H01L21/268 ,  B23K26/073 ,  B23K26/04

CPC分类号： B23K26/0608 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/082 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268

摘要： 本发明涉及激光退火方法以及装置。在透镜阵列方式的均化器光学系统的情况下，一边使长轴用透镜阵列（20a、20b）在与线状光束的长轴方向对应的方向（X方向）往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜（长轴用聚光透镜22）的激光（1）的入射角以及强度按照每次发射而变化，所以，纵向条纹被大幅度降低。另外，一边使短轴用透镜阵列（26a、26b）在与线状光束的长轴方向对应的方向（Y方向）往复移动，一边进行激光照射，由此，入射到在后级设置的构成长轴用聚光光学系统的大型透镜（投影透镜30）的激光（1）的入射角以及强度按照每次发射而变化，所以，横向条纹被大幅度降低。

公开(公告)号：CN107452609A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710291264.0

申请日：2017-04-28

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 关家一马

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02016 ,  H01L21/268 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68336 ,  H01L21/304

摘要： 提供晶片的加工方法，能够对晶片进行适当地分割并且生产性较高。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：改质层形成工序，将对于晶片(11)具有透过性的波长的激光光线(L)会聚在晶片的内部并沿着分割预定线(13)进行照射，在晶片的内部形成沿着分割预定线的改质层(17)；晶片支承工序，在改质层形成工序之前或之后，在晶片的背面(11b)上粘贴具有伸缩性的划片带(31)，并将划片带的外周部安装在环状的框架(33)上；带扩展工序，对划片带进行扩展；以及空气吹送工序，在对划片带进行了扩展的状态下向晶片吹送空气(A)，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片，并且将器件芯片彼此的间隔扩大。

公开(公告)号：CN107394581A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710339165.5

申请日：2017-05-15

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 克里斯托夫·艾希勒 ,  安德烈·佐默斯 ,  哈拉尔德·柯尼希 ,  贝恩哈德·施托耶茨 ,  安德烈亚斯·莱夫勒 ,  艾尔弗雷德·莱尔

IPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/30

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3247 ,  H01S5/2068 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/222 ,  H01S5/223 ,  H01S2304/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/30

摘要： 提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。此外，提出一种半导体芯片(100)。

公开(公告)号：CN107293483A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710433770.9

申请日：2017-06-09

申请人： 苏晋苗

发明人： 苏晋苗 ,  苏冠暐

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/268

摘要： 本发明公开了一种激光芯片平坦化加工装置，包括加工腔体、芯片固定平台、激光装置、芯片送进送出接口、转动定位装置、激光输出接收装置、侦测控制装置和超纯水冲洗装置，加工腔体内设有芯片固定平台、激光装置和激光输出接收装置，芯片固定平台连接激光输出接收装置，激光输出接收装置连接激光装置，芯片固定平台连接芯片送进送出接口，转动定位装置连接芯片固定平台。采用上述技术方案制成了一种降低成本、环保可靠的激光芯片平坦化加工装置，实现了简化工序解决平坦化处理效率、提升芯片制造良率等问题，并改善芯片制造建厂、制造、维护成本与解决了环保问题。