公开(公告)号：CN109473393A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811035748.X

申请日：2018-09-06

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 铃木克彦 ,  伴祐人

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/68

CPC分类号： H01L21/67092 ,  B23D59/002 ,  B24B7/228 ,  B24B27/06 ,  B24B49/12 ,  B28D5/0064 ,  B28D5/022 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L21/681

摘要： 提供晶片的加工方法。晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域分别形成有器件，该方法包含：第1切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过第1切削刀具形成深度相当于器件芯片的完工厚度的第1切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；磨削工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至器件芯片的完工厚度而使第1切削槽中的密封材料露出；对准工序，通过红外线拍摄构件从晶片的正面侧透过密封材料拍摄晶片的正面侧而检测对准标记，根据对准标记检测待切削的分割预定线；和分割工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过第2切削刀具切割第1切削槽中的密封材料，将晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片。

公开(公告)号：CN109390237A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810903525.4

申请日：2018-08-09

申请人： 商升特公司

发明人： H.D.巴坦

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49565 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/49534 ,  H01L23/49582

摘要： 通过对导电材料的片材进行化学半蚀刻来形成引线框架。半蚀刻暴露该引线框架的第一接触件的第一侧表面。在该第一接触件的该第一侧表面上镀覆焊料可润湿层。在镀覆焊料可润湿层之后，在该引线框架上沉积包封剂。

公开(公告)号：CN109216434A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710540831.1

申请日：2017-07-05

申请人： 三垦电气株式会社

发明人： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  大野阳平 ,  保立伦则 ,  熊仓弘道

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02008

摘要： 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括碳化硅基板以及保护膜，所述保护膜至少部分地覆盖所述碳化硅基板的主表面以及一个或多个侧壁。因此，可以避免该碳化硅基板的表面与吸水性材料的接触，且半导体器件的耐压表现和长期可靠性会得到进一步的提升。

公开(公告)号：CN109037122A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811127020.X

申请日：2013-11-07

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 戈登·M·格里瓦纳

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  B28D5/00

CPC分类号： H01L21/78 ,  B28D5/0017 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54453 ,  Y02P80/30 ,  Y10T225/304 ,  Y10T225/379 ,  Y10T225/386

摘要： 本公开涉及半导体片芯单颗化方法和装置。在一个实施例中，通过如下来将片芯从具有背层的晶片单颗化：将所述晶片放置到第一载体基板上，背层与载体基板相邻近；形成通过晶片的单颗化线以露出单颗化线内的背层；以及，利用机械装置施加局部化的压力到晶片以在单颗化线中分开所述背层。可以临近所述背层地通过第一载体基板施加局部化的压力，或者，可以通过附接到晶片的与所述背层相反的正面的第二载体基板施加所述局部化的压力。

公开(公告)号：CN108962738A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810460297.8

申请日：2018-05-15

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 关家一马

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/3043 ,  B24B9/065 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L21/304 ,  H01L29/06

摘要： 提供晶片的加工方法，对晶片的背面侧进行磨削时能够充分抑制正面侧所存在的凹凸的影响，磨削后的处理也简单。该晶片的加工方法包含：环状槽形成步骤，对在正面具有器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片的正面侧沿着外周剩余区域的内周形成深度超过晶片的完工厚度的环状的槽；保护膜紧贴步骤，利用保护膜对器件区域和槽进行覆盖，使保护膜效仿凹凸而紧贴在正面侧；带保护部件的晶片形成步骤，利用由硬化型液态树脂构成的保护部件对保护膜和露出的外周剩余区域进行包覆，形成带保护部件的晶片；磨削步骤，在对保护部件侧进行了保持的状态下，对晶片的背面进行磨削而使晶片变薄至完工厚度；和剥离步骤，将保护部件和保护膜从器件区域剥离。

公开(公告)号：CN108878284A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810409277.8

申请日：2018-05-02

申请人： 株式会社迪思科

发明人： F·韦 ,  田渕智隆 ,  山铜英之

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327

摘要： 提供被加工物的加工方法，能够抑制器件的安装不良、断线等加工后的破损。该被加工物的加工方法包含如下的步骤：掩模准备步骤，准备将被加工物正面的器件覆盖并且使间隔道露出的掩模；等离子蚀刻步骤，在该等离子蚀刻步骤中反复进行如下过程：隔着掩模对背面配设有保持部件的被加工物提供等离子化的SF6而形成槽，接着隔着掩模对被加工物提供等离子化的C4F8而使被膜堆积于被加工物，然后隔着掩模对被加工物提供等离子化的SF6从而将槽底的被膜去除而对槽底进行蚀刻；以及异物去除步骤，在实施了等离子蚀刻步骤(ST3)之后，利用清洗液对被加工物进行清洗而将通过等离子蚀刻步骤(ST3)而生成的被膜去除。

公开(公告)号：CN108857049A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810564712.4

申请日：2015-11-27

申请人： 西尔特克特拉有限责任公司

发明人： 扬·黎克特 ,  克里斯蒂安·拜尔 ,  拉尔夫·里斯克

IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/402 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304

CPC分类号： B23K26/53 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/78 ,  H05K999/99

摘要： 本发明涉及一种用于在固体(1)中产生剥离区域(2)的方法，所述剥离区域用于将固体部分(12)，尤其固体层(12)与固体(1)剥离，其中要剥离的固体部分(12)比减去固体部分(12)的固体更薄。根据本发明，所述方法至少包括如下步骤：提供要加工的固体(1)，其中固体(1)优选由化学的化合物构成；提供激光光源；用所述激光光源的激光辐射加载固体(1)，其中激光束经由要分离的固体部分(12)的表面(5)进入固体(1)中，其中激光辐射限定地加载固体(1)的在固体(1)内部的预设的部分，以构成一个剥离区域(2)或多个子剥离区域(25，27，28，29)，其特征在于，通过激光加载在晶格中依次产生多个修改部(9)，其中晶格由于修改部(9)在围绕修改部(9)的区域中至少在所述区域的各一个部分中裂开，其中通过在修改部(9)的区域中的裂纹预设剥离区域(2)或者预设多个子剥离区域(25，27，28，29)。

公开(公告)号：CN105810576B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201510937887.1

申请日：2015-12-15

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·布伦鲍尔 ,  B·德鲁默 ,  K·卡斯帕 ,  G·马克

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6836 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

摘要： 各种实施例涉及切割晶圆的方法及半导体芯片。一种切割晶圆的方法可以包括：在晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，有源区通过一定高度从晶圆的第一表面延伸到晶圆中并且被分离区域分离，分离区域没有金属；在至少一个分离区域中通过从晶圆的第一表面进行等离子体刻蚀而在晶圆中形成至少一个沟槽。该至少一个沟槽比多个有源区更远地延伸到晶圆中。方法可以进一步包括处理在分离区域中的晶圆的剩余部分以将晶圆分离成单独的芯片。

公开(公告)号：CN108735593A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810353472.3

申请日：2018-04-19

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 桐原直俊

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/784

CPC分类号： H01L33/005 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/083 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/382 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01L21/784 ,  H01L21/3043

摘要： 提供晶片的加工方法，解决因碎屑飞散使光器件的品质降低、从正面朝向背面倾斜地分割而无法形成垂直的侧壁以及正面上所形成的发光层损伤的问题。该晶片的加工方法包含：盾构隧道形成工序，将对于蓝宝石基板具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的区域而对晶片照射脉冲激光光线，按照规定的间隔沿分割预定线形成多个盾构隧道，该盾构隧道由多个细孔和围绕各细孔的非晶质构成；改质层形成工序，将对于蓝宝石基板具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而对晶片照射脉冲激光光线，在相邻的盾构隧道之间形成改质层；和分割工序，对晶片施加外力而将晶片分割成多个光器件芯片。

公开(公告)号：CN108701680A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082975.0

申请日：2016-03-31

申请人： 英特尔公司

发明人： V.K.奈尔 ,  D.劳拉内

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

摘要： 本文描述了一种带有使用金属层和通孔的电磁屏蔽的半导体封装。在一个示例中，封装包含具有前侧和背侧的硅衬底，前侧包含有源电路和用于附接到衬底的触点阵列，在管芯的背侧上方的用于防护有源电路不受通过背侧的干扰的敷金属层，以及在一端耦合到背侧敷金属并且在另一端耦合到连接盘阵列的前侧连接盘的用于防护有源电路不受通过管芯的侧面的干扰的多个硅通孔。