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公开(公告)号：CN103247603A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310049242.5
申请日：2013-02-07
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/76829 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76879 , H01L21/76885 , H01L23/498 , H01L23/49866 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2224/03845 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05562 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/081 , H01L2224/08147 , H01L2224/08501 , H01L2224/09181 , H01L2224/32146 , H01L2224/32501 , H01L2224/80895 , H01L2224/83895 , H01L2225/06524 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01073 , H01L2924/13091 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 提供半导体装置、制造半导体装置的方法以及电子设备。所提供的半导体装置包括半导体基板、形成在半导体基板上的层间绝缘层、形成在层间绝缘层的表面上的接合电极以及覆盖包括层间绝缘层和接合电极的接合表面的整个表面的金属膜。
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公开(公告)号：CN109360833B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201811091131.X
申请日：2013-06-11
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N23/55 , H04N23/73
摘要： 本公开的目的是改善半导体装置例如其中层叠多个基板的具有三维结构的固态成像设备中的耐热性、扩散阻力和可靠性。再者，本公开涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及包括半导体装置的电子装置。本公开的半导体装置包括第一基板和第二基板，该第一基板包括第一层间绝缘膜和第一配线层，第一配线层具有从第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极，第二基板包括第二层间绝缘膜和第二配线层，第二配线层具有从第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极。在第一基板和第二基板之间的贴合表面上，第一连接电极和第二连接电极彼此接合，并且同时在层叠方向上彼此面对的第一层间绝缘膜的至少一部分和第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。
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公开(公告)号：CN111327846B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010127285.0
申请日：2015-07-01
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H03K5/24 , H03K5/08 , H01L27/146
摘要： 本发明涉及成像器件。所述成像器件包括：像素电路，其包括：光电转换器；浮动扩散层；传输晶体管，所述传输晶体管用于将在所述光电转换器处产生的电荷传输至所述浮动扩散层；第一差分晶体管，所述第一差分晶体管连接至所述浮动扩散层；以及复位晶体管，所述复位晶体管用于使保持在所述浮动扩散层中的电荷复位；比较器，其包括：所述第一差分晶体管；第二差分晶体管；以及输出节点；并且其中，所述第一差分晶体管和所述第二差分晶体管布置在第一半导体基板上，并且所述输出节点布置在第二半导体基板上。
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公开(公告)号：CN105580136B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201480053552.7
申请日：2014-09-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14
摘要： 本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN105519096B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201580001816.9
申请日：2015-07-01
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H04N5/3745 , H01L27/146 , H03K5/08
摘要： 本发明涉及能够在提高比较器的判定速度的同时降低功率消耗的比较器、AD转换器、固态成像器件、电子装置和比较器控制方法。所述比较器包括比较单元、正反馈电路和电流限制单元。所述比较单元比较输入信号的电压与参考信号的电压并输出比较结果信号。所述正反馈电路加快所述比较结果信号发生反转时的转变速度。所述电流限制单元限制所述比较结果信号发生反转之后在所述比较单元中流动的电流。本发明例如适用于比较器等。
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公开(公告)号：CN110211979A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910468930.2
申请日：2014-03-14
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L21/60 , H04N5/225
摘要： 一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN109360833A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811091131.X
申请日：2013-06-11
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/225
摘要： 本公开的目的是改善半导体装置例如其中层叠多个基板的具有三维结构的固态成像设备中的耐热性、扩散阻力和可靠性。再者，本公开涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及包括半导体装置的电子装置。本公开的半导体装置包括第一基板和第二基板，该第一基板包括第一层间绝缘膜和第一配线层，第一配线层具有从第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极，第二基板包括第二层间绝缘膜和第二配线层，第二配线层具有从第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极。在第一基板和第二基板之间的贴合表面上，第一连接电极和第二连接电极彼此接合，并且同时在层叠方向上彼此面对的第一层间绝缘膜的至少一部分和第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。
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公开(公告)号：CN108198834A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810156644.8
申请日：2014-03-14
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/2007 , H01L21/76823 , H01L21/76828 , H01L21/76864 , H01L27/14612 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H04N5/2254
摘要： 一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN106899814A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710089900.1
申请日：2015-07-01
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H04N5/3745 , H03K5/08 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/3745 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H03K5/24 , H03K5/2481 , H04N5/37455 , H04N5/378
摘要： 本发明涉及能够在提高比较器的判定速度的同时降低功率消耗的比较器、AD转换器、固态成像器件、电子装置和比较器控制方法。所述比较器包括比较单元、正反馈电路和电流限制单元。所述比较单元比较输入信号的电压与参考信号的电压并输出比较结果信号。所述正反馈电路加快所述比较结果信号发生反转时的转变速度。所述电流限制单元限制所述比较结果信号发生反转之后在所述比较单元中流动的电流。本发明例如适用于比较器等。
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公开(公告)号：CN104040717A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201380005195.2
申请日：2013-01-08
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/02 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/00 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14683 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L31/1876 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： 本发明包括以下：粘合具有第一元件的第一基板的元件形成面和具有第二元件的第二基板的元件形成面使得各面彼此面对；至少在具有第二元件的第二基板的端部形成保护膜；以及使第一基板变薄。
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