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公开(公告)号：CN102709470B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110304804.7
申请日：2011-09-27
申请人： 中国科学院物理研究所
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/22 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , H01F10/193 , H01F10/1936 , H01F10/3218 , H01F10/3272 , H01L27/22 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法，以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、中间导电层、覆盖层，中间导电层为磁性金属、磁性合金或者磁性金属复合层时，缓冲层和绝缘层可以根据实际需要选择性的添加。当中间导电层为非磁性金属层或反铁磁性金属层时，缓冲层和绝缘层必须添加，以便获得较高的信噪比。本发明通过变化的电场对铁电或多铁性材料的电极化特性进行调制，从而达到影响和改变金属层的电导的作用，调控器件电阻的变化，获得不同的电场下对应不同的电阻态，实现电致电阻效应。
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公开(公告)号：CN102763219A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180009465.8
申请日：2011-01-25
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/7841 , G11C11/565 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2213/51 , G11C2213/53 , G11C2213/77 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/0629 , H01L28/40 , H01L29/792
摘要： 一种忆容器装置包含一对相对导电电极。包含电介质内的移动掺杂剂的半导电材料及移动掺杂剂势垒电介质材料接纳于所述对相对导电电极之间。所述半导电材料及所述势垒电介质材料相对于彼此具有至少由至少一种不同原子元素来表征的不同组成。所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的另一者更靠近所述对电极中的一者。所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述另一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述一者更靠近所述对电极中的另一者。本发明还揭示其它实施方案，包含场效应晶体管、存储器阵列及方法。
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公开(公告)号：CN101057298B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200580038024.5
申请日：2005-09-01
申请人： 统一半导体公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/02 , G11C2213/11 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/53 , G11C2213/54 , G11C2213/71 , H01L27/115 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L29/8616 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： 一种使用混合价导电氧化物的存储器。该存储器包括在缺氧状态下具有较弱导电性的混合价导电氧化物以及电解隧道势垒，该电解隧道势垒为氧的电解质并促使电场有效以引起氧离子运动。
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公开(公告)号：CN101939836A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104176.9
申请日：2009-01-15
申请人： 美光科技公司
发明人： 刘峻
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/82
CPC分类号： H01L27/115 , B60G11/27 , B60G21/067 , B60G21/073 , B60G2500/202 , B60G2800/01 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C16/0475 , G11C2213/53 , G11C2213/71 , H01L29/1033 , H01L29/685
摘要： 在一些实施例中，一种存储器单元包括：晶体管栅极，其通过栅极电介质而与沟道区域间隔；源极区域，其位于所述沟道区域的一侧上；及漏极区域，其位于所述沟道区域的与源极区域相反的一侧上。所述沟道区域具有邻近于漏极区域的相变材料。在一些实施例中，所述相变材料可邻近于源极区域与漏极区域两者。一些实施例包括对具有邻近于漏极区域的相变材料的存储器单元进行编程的方法。反转层邻近于栅极电介质而形成于沟道区域内，其中所述反转层在邻近于漏极区域的相变材料内具有夹断区域。利用所述夹断区域内的热载流子(例如，电子)来改变相变材料内的相位。
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公开(公告)号：CN104303301B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380023984.9
申请日：2013-05-07
申请人： 美光科技公司
发明人： 古尔特杰·S·桑胡
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1253 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/17 , G11C2213/18 , G11C2213/52 , G11C2213/53 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16
摘要： 本发明描述切换装置结构及方法。切换装置可包含包括形成于第一电极与第二电极之间的材料的竖直堆叠。所述切换装置可进一步包含第三电极，所述第三电极耦合到所述竖直堆叠且经配置以接收施加到第三电极的电压以控制在所述第一电极与所述第二电极之间的所述材料中的导电路径的形成状态，其中所述导电路径的所述形成状态可在接通状态与关断状态之间切换。
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公开(公告)号：CN105765662A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064108.5
申请日：2014-08-26
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： G11C13/00 , G11C17/12 , H01L29/786
CPC分类号： G11C17/18 , G02F1/13452 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C19/28 , G11C2213/53 , H01L27/1052 , H01L27/11206 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 半导体装置(1001)具备存储单元和写入控制电路，存储单元包含存储晶体管(10A)，存储晶体管(10A)具有含有金属氧化物的活性层(7A)，存储晶体管(10A)是能从漏极电流Ids依赖于栅极‐源极间电压Vgs的半导体状态不可逆地变为漏极电流Ids不依赖于栅极‐源极间电压Vgs的电阻体状态的晶体管，在将存储晶体管(10A)的阈值电压设为Vth，将漏极‐源极间电压设为Vds时，写入控制电路以满足Vgs≥Vds+Vth的方式对施加到漏极(9dA)、源极(9sA)以及栅极电极(3A)的电压进行控制，由此进行向存储晶体管(10A)的写入。
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公开(公告)号：CN102763219B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180009465.8
申请日：2011-01-25
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/7841 , G11C11/565 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2213/51 , G11C2213/53 , G11C2213/77 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/0629 , H01L28/40 , H01L29/792
摘要： 一种忆容器装置包含一对相对导电电极。包含电介质内的移动掺杂剂的半导电材料及移动掺杂剂势垒电介质材料接纳于所述对相对导电电极之间。所述半导电材料及所述势垒电介质材料相对于彼此具有至少由至少一种不同原子元素来表征的不同组成。所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的另一者更靠近所述对电极中的一者。所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述另一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述一者更靠近所述对电极中的另一者。本发明还揭示其它实施方案，包含场效应晶体管、存储器阵列及方法。
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公开(公告)号：CN103403905A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280009970.7
申请日：2012-03-21
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L29/792 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/53 , H01L29/16 , H01L29/42348 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L51/0077 , H01L51/0092 , H01L51/0098 , H01L51/0591
摘要： 一个实施方案的有机分子存储器包含第一导电层、第二导电层和置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层，其中有机分子层包含电阻变化型分子链或电荷储存分子链，电阻变化型分子链或电荷储存分子链具有吸电子取代基。
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公开(公告)号：CN103219353A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310017870.5
申请日：2013-01-17
申请人： 施乐公司 , 加拿大国家研究委员会
CPC分类号： G11C13/0016 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/15 , G11C2213/17 , G11C2213/53 , H01L45/08 , H01L45/1206 , H01L45/14
摘要： 一种非易失性存储设备，包含提供于基底上的至少第一电极和第二电极，第一和第二电极彼此分离；电连接第一和第二电极的有机半导体聚合物；与有机半导体聚合物接触的电解质；以及不与第一电极、第二电极和有机半导体聚合物接触的第三电极；其中有机半导体聚合物具有第一氧化还原态——在其中显示出第一电导率，以及第二氧化还原态——在其中其显示出第二电导率。
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公开(公告)号：CN103137647A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210332475.1
申请日：2012-09-10
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L27/28 , C07C323/31 , C07D495/04 , C07D333/20 , C07D333/32 , C07D519/00 , C07D339/06
CPC分类号： H01L45/14 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/53 , G11C2213/77 , H01L51/0054 , H01L51/0055 , H01L51/0056 , H01L51/0068 , H01L51/0073 , H01L51/0098 , H01L51/0591
摘要： 实施方案的有机分子存储器包括：第一传导层；第二传导层；和有机分子层，该有机分子层在第一传导层和第二传导层之间提供并且含有选自在分子体系中具有分子骨架且同时满足下述条件(I)和(II)的分子的有机分子，其中所述分子骨架具有沿分子轴延伸的π-电子体系：(I)最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)中一个沿分子轴离域，且另一个相对于分子轴定域；和(II)最高占据分子轨道(HOMO)的能级值为-5.75eV或更高。
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