公开(公告)号：CN1675775A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03819519.4

申请日：2003-06-17

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  冈本康宏 ,  笠原健资 ,  中山达峰 ,  葛原正明

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/812

摘要： 提供一种改善了肖特基结电极的耐热性并且功率性能和可靠性优良的GaN系半导体装置。在具有与AlGaN电子供给层(14)接触的肖特基性栅电极(17)的半导体装置中，栅电极(17)为由Ni、Pt、Pd中任一种所形成的第一金属层(171)、由Mo、Pt、W、Ti、Ta、MoSi、PtSi、WSi、TiSi、TaSi、MoN、WN、TiN、TaN的任何一种所形成的第二金属层(172)、由Au、Cu、Al、Pt中任一种所形成的第三金属层的层叠结构。由于第二金属层的材料是高熔点的，其对第一金属层金属和第三金属层金属的相互扩散起阻挡层作用，并抑制因高温动作导致的栅极特性恶化。由于与AlGaN电子供给层(14)连接的第一金属层金属的功函数大，其肖特基势垒高，能够获得良好的肖特基接触。

公开(公告)号：CN109037324A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810597967.0

申请日：2018-06-11

申请人： 意法半导体股份有限公司

发明人： F·尤克拉诺 ,  A·齐尼

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7781

摘要： 本公开涉及在断态期间具有高应力顺应性的HEMT晶体管及其制造方法。HEMT包括缓冲层、缓冲层上的空穴供应层、空穴供应层上的异质结构、以及源极电极。空穴供应层由P型掺杂半导体材料制成，缓冲层掺杂有碳，并且源极电极与空穴供应层直接电接触，使得空穴供应层可以被偏置以促进空穴从空穴供应层到缓冲层的传输。

公开(公告)号：CN108780757A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780018390.7

申请日：2017-03-14

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  松田慎平 ,  马场晴之 ,  本田龙之介

IPC分类号： H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为-1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。

公开(公告)号：CN107851663A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680041948.9

申请日：2016-06-28

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 张坤好 ,  张宇昊

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

摘要： 一种半导体器件(100)包括：半导体结构(170)，其形成载流子沟道(140)；势垒层(171)，其接近半导体结构设置；以及一组电极(120、125、130)，其用于提供并控制载流子沟道中的载流子电荷。该势垒层由具有与载流子沟道的导电类型相反的导电类型的杂质至少部分地掺杂。该势垒层的材料具有比该半导体结构中的材料的带隙和热导率大的带隙和热导率。

公开(公告)号：CN103594512B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201210293347.0

申请日：2012-08-16

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 马小龙 ,  殷华湘 ,  许淼 ,  朱慧珑

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L29/15 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/151 ,  H01L29/165 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853

摘要： 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个鳍片，其中鳍片沿第一方向延伸并且具有类菱形截面；在每个鳍片上形成栅极堆叠结构，栅极堆叠结构横跨多个鳍片并且沿第二方向延伸；其中，每个鳍片中位于栅极堆叠结构下方的部分构成器件的沟道区，每个鳍片中位于栅极堆叠结构沿第一方向的两侧的部分构成源漏区。依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用类菱形鳍片提高了栅控能力以有效抑制短沟道效应，此外利用外延量子阱更好地限制载流子、提高了器件驱动能力。

公开(公告)号：CN102956694B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201210305411.2

申请日：2012-08-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 许镇盛 ,  郑现钟 ,  宋俔在 ,  朴晟准 ,  D.塞奥 ,  梁喜准

IPC分类号： H01L29/43 ,  H03K17/56

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： 根据示例实施方式，一种石墨烯开关装置具有可调势垒。该石墨烯开关装置可包括：栅基板；在栅基板上的栅介电层；在栅介电层上的石墨烯层；半导体层和第一电极，顺序堆叠在石墨烯层的第一区上；第二电极，在石墨烯层的第二区上。半导体层可用n型杂质和p型杂质的其中之一掺杂。半导体层可以面对栅基板，石墨烯层位于半导体层与栅基板之间。石墨烯层的第二区可以与石墨烯层的第一区分离。

公开(公告)号：CN105514156A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610019752.1

申请日：2016-01-13

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 薛世伟 ,  王玲 ,  李晓娟 ,  王继强 ,  谢晶 ,  张燕 ,  刘诗嘉 ,  李向阳

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7781 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66462

摘要： 本发明公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本发明的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。

公开(公告)号：CN105492385A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480047772.9

申请日：2014-08-25

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： T·欣特曼 ,  M·G·施瓦布 ,  K·C-P·查 ,  T·魏茨 ,  A·沙费尔 ,  I·B·穆勒

IPC分类号： C01B31/04 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

CPC分类号： C01B31/0492 ,  C01B32/196 ,  C01B2204/06 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种提纯石墨烯纳米带的方法，其包括：-使含有石墨烯纳米带GNR1和一种或多种污染物的组合物与含有分散剂的液体介质接触，并将石墨烯纳米带GNR1分散在液体介质中以得到石墨烯纳米带GNR1的液体分散体，-使石墨烯纳米带GNR1的液体分散体进行分离处理以至少部分地除去一种或多种污染物，从而得到经提纯的石墨烯纳米带GNR1的液体分散体。

公开(公告)号：CN101897029B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN200880120050.6

申请日：2008-11-26

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 徐昌秀 ,  伊兰·本-雅各布 ,  罗伯特·科菲 ,  乌梅什·米什拉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7781

摘要： 本文描述了一种增强模式III族氮化物晶体管，其具有截止状态下的大的源极到漏极势垒、低的截至状态泄漏、和接入区中的低沟道电阻。该器件可以包括在栅极下面的电荷耗尽层和/或在栅极区外面即在接入区中的电荷增强层。

公开(公告)号：CN104538440A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410851598.5

申请日：2014-12-29

申请人： 电子科技大学

发明人： 罗小蓉 ,  杨超 ,  熊佳云 ,  魏杰 ,  周坤 ,  吴俊峰 ,  张波 ,  李肇基

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7781 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0611

摘要： 本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件。本发明的技术方案，主要通过在较厚的缓冲层中引入负电荷，达到提高器件击穿电压或者阈值电压的目的，且不会引入附加寄生电容，同时与在较薄的势垒层中引入电荷相比，在较厚的缓冲层中引入电荷可靠性更好，工艺容差更大。另外，本发明在现在工艺技术的基础上就可实现。本发明尤其适用于HEMT器件。