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公开(公告)号：CN103270592B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201280004259.2
申请日：2012-10-22
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/145 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要： 本发明涉及非易失性存储元件以及非易失性存储装置。非易失性存储元件具备第一电极（103）、第二电极（106）以及电阻变化层（104），电阻变化层（104）包括：第一氧化物层（104a），由具有p型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；第二氧化物层（104b），与第一氧化物层（104a）以及第二电极（106）之间相接地配置，由具有n型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；氧储存区域（110），配置在第一氧化物层（104a）内，不与第一电极（103）相接，与第一氧化物层（104a）相比含氧率更高；以及局部区域（105），在第二氧化物层（104b）内与氧储存区域（110）相接地配置，与第二氧化物层（104b）相比含氧率更低。
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公开(公告)号：CN103367452B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310277106.1
申请日：2009-09-11
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C16/0475 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2213/76 , G11C2213/79 , H01L27/2436
摘要： 本发明提供了绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法，其中所提供的一种绿色晶体管包括：半导体衬底，形成于衬底内的第一源极、第二源极、漏极以及形成于衬底表面的栅极；所述漏极形成于栅极底部的衬底内；所述第一源极与第二源极形成于栅极两侧的衬底内，且关于漏极对称；在所述栅极的底部、第一源极内靠近漏极一侧形成有第一口袋注入区；在所述栅极的底部、第二源极内靠近漏极一侧形成有第二口袋注入区；所述第一口袋注入区以及第二口袋注入区的导电类型与漏极相同，且与第一源极以及第二源极相反。并将所述绿色晶体管应用于电阻随机存储器，作为存储单元的选通管，提供较大的读、写操作电流，具有较强的驱动能力，降低功耗。
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公开(公告)号：CN101711431B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200880015322.6
申请日：2008-05-02
申请人： 分子间公司
发明人： 普拉加提·库马尔 , 桑德拉·G.·马尔霍特拉 , 肖恩·巴斯托 , 托尼·江
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1253 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L29/861 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/165
摘要： 本发明提供了具有阻变型金属氧化物的非易失性存储元件。所述非易失性存储元件可在集成电路上形成一个或更多个层。每个存储元件可具有一个第一导电层、一个金属氧化物层和一个第二导电层。电子器件如二极管可与所述存储元件串联联接。所述第一导电层可由一种金属氮化物形成。所述金属氧化物层可包含与第一导电层相同的金属。所述金属氧化物层与可形成与所述第一导电层欧姆接触或肖特基接触。所述第二导电层可形成与所述金属氧化物层欧姆接触或肖特基接触。所述第一导电层、所述金属氧化物层和所述第二导电层可包括亚层。所述第二导电层可包括一个粘附层或阻障层和一个逸出功控制层。
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公开(公告)号：CN103238214B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201280003871.8
申请日：2012-11-21
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： 提供一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置。存储器单元（51）形成于形成多层的X方向的位线（53a和53b）与Y方向的字线（52a）的各交点位置。在对沿Z方向对齐的每个位线组、沿Y方向排列了字线共用的多个垂直阵列面的多层交叉点构造中，共同连接的偶数层的位线（53b）通过偶数层位线选择开关元件（1002）、共同连接的奇数层的位线（53a）通过奇数层位线选择开关元件（1001）来切换控制与全局位线（56）的连接/不连接。偶数层位线选择开关（1002）以及奇数层位线选择开关元件（1001）具有位线的选择功能和低电阻化写入时的电流限制功能。
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公开(公告)号：CN102473455B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201080032408.7
申请日：2010-07-09
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11C13/02 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/34 , G11C2213/54 , G11C2213/55 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146
摘要： 公开了非易失性存储器单元及其使用方法。根据各实施例，该存储器单元包括：位于导电区和金属区之间的隧穿区，其中隧穿区包括位于第一隧穿势垒和第二隧穿势垒之间的活性界面区。响应于将存储器单元编程至选定阻态的写电流，利用来自金属区和导电区两者的离子迁移在活性界面区中形成高阻性薄膜。
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公开(公告)号：CN102498566B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080041990.3
申请日：2010-09-10
申请人： 美光科技公司
发明人： 刘峻
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1675 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/1293 , H01L45/144
摘要： 包括可变电阻材料的存储器装置的存储器单元在所述存储器单元之间具有空腔。电子系统包括此些存储器装置。形成存储器装置的方法包括在所述存储器装置的存储器单元之间提供空腔。
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公开(公告)号：CN102804277B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201080027431.7
申请日：2010-06-08
申请人： 桑迪士克3D公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C7/00 , G11C8/12 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2013/0088 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72
摘要： 本发明描述了使用可逆电阻切换元件的存储系统以及该存储系统的操作方法。本发明公开了用于改变编程条件以考虑到存储器单元具有的不同电阻的技术。这些技术能够以更少的尝试对存储器单元编程，这能够节省时间和/或功率。本文公开了用于获得高编程带宽同时减小最差情况电流和/或功率消耗的技术。在一个实施例中，提供了页面映射方案，该页面映射方案以减小最差情况电流和/或功率消耗的方式对多个存储器单元并行编程。
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公开(公告)号：CN103988264B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201280061039.3
申请日：2012-07-26
申请人： 桑迪士克3D有限责任公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C17/16 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： 一种非易失性存储器单元，包括第一电极、操纵元件、位于与该操纵元件串联的金属氧化物存储元件、位于与该操纵元件和该金属氧化物存储元件串联的介电电阻器、以及第二电极。
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公开(公告)号：CN104835523A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201410466454.8
申请日：2014-09-12
申请人： 华邦电子股份有限公司
发明人： 荒川贤一
CPC分类号： G11C16/26 , G11C7/1051 , G11C11/2273 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C2013/0045 , G11C2013/0054 , G11C2213/82
摘要： 本发明提供一种电流检测电路及半导体存储装置，该电流检测电路能够高速地检测出流过微细的位线构造的电流。本发明的分页缓冲器/感测电路(170)包括：晶体管(TP3)，在预充期间中对节点(SNS)预充电，在放电期间中供给被设定好目标的定电流给节点(SNS)；晶体管(TN3)，根据预充电至节点(SNS)的电压对位线预充电；晶体管(TP2)，连接至节点(SNS)。晶体管(TP2)在放电期间，检测出是否有比晶体管(TP3)供给的定电流大的电流从位线放电，并输出检测结果至节点(SENSE)。
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公开(公告)号：CN102484129B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN200980161379.1
申请日：2009-07-10
IPC分类号： H01L29/40 , H01L27/115
CPC分类号： H01L29/24 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/73 , H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L29/872 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： 忆阻结（400）可以包括第一电极（102）和第二电极（104），忆阻区（106）位于二者之间。忆阻区被配置成经由在所述电极之间施加的开关电压（118）在两个激活状态之间切换。通过在第一电极和第二电极之间施加读取电压，可以断定激活状态。该结进一步包括位于第一电极和忆阻区之间的界面（420）处的整流器区，所述整流器区包括温度响应转换材料层，其在开关电压处是基本导电的并且在读取电压处是基本电阻性的。
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