公开(公告)号：CN101896998B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880119969.3

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具备：Si基板和形成于所述基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域及位于覆盖区域的内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：结晶生长在开口区域的Ge层；结晶生长在Ge层上的、由包含P的3-5族化合物半导体层所构成的缓冲层；以及结晶生长在缓冲层上的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能移动的温度及时间进行退火而形成。

公开(公告)号：CN101946307B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200980105553.0

申请日：2009-02-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/845 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其提高化合物半导体装置的转换速度。并具有：硅基板；形成在所述硅基板上，并具有抵达所述硅基板且纵横比为以上的开口部的绝缘膜；形成于所述开口部，且形成为比所述绝缘膜的表面更凸出的晶种化合物半导体结晶：以及以所述晶种化合物半导体结晶的特定面为晶种面，于所述绝缘膜上进行横向生长而成的横向生长化合物半导体层。

公开(公告)号：CN102714176A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180006940.6

申请日：2011-02-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  山中贞则 ,  高田朋幸 ,  本城和彦

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/12 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种电子器件，包括：表面为硅结晶的衬底基板、形成于硅结晶上的部分区域的III-V族化合物半导体结晶、包含III-V族化合物半导体结晶的一部分作为活性层的电子元件、形成于衬底基板上并覆盖该电子元件的绝缘膜、形成于绝缘膜上的电极、贯穿绝缘膜且至少部分形成在绝缘膜上将电子元件与电极电接合的第一接合布线、形成于绝缘膜上的无源元件、以及贯穿绝缘膜且至少部分形成于绝缘膜上将电子元件与无源元件电接合的第二接合布线。

公开(公告)号：CN102171793A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980139378.7

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7378

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其是依次包括底板基板、绝缘层、SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)的半导体基板，SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)的至少一部分区域被退火，所述半导体基板包括在至少一部分区域上与SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体。另外，本发明提供一种电子器件，其包括：衬底、设置于衬底上的绝缘层、设置于绝缘层上至少一部分区域被退火的SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)、在至少一部分区域上与SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体、使用化合物半导体形成的半导体设备。

公开(公告)号：CN102171789A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138925.X

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8248 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其是依次包括基底基板、绝缘层和Si结晶层的半导体基板，包括设置于Si结晶层上且经过退火处理的籽晶，和与籽晶晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体。另外，本发明提供一种电子器件，其包括：衬底、设置于衬底上的绝缘层、设置于绝缘层上的Si结晶层、设置于Si结晶层上且经过退火处理的籽晶、与籽晶晶格匹配或者准晶格匹配的化合物半导体、和用所述化合物半导体所形成的半导体设备。

公开(公告)号：CN101971307A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108716.0

申请日：2009-03-18

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  栗田靖之 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，是以常断路形式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。提供一种半导体装置，其具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、对所述通道层供给电子的电子供给层、形成在与所述电子供给层的所述通道层相对向的面的相反面的含有氮的3-5族化合物真性或n形的半导体层、以及与所述半导体层接触而形成的，或者在与所述半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。

公开(公告)号：CN101960576A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107379.3

申请日：2009-03-18

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  栗田靖之 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，是以常断路型式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。该半导体装置具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、向所述通道层供给电子，并在其与所述通道层相对向的面的相反面具有沟部的电子供给层、形成在所述电子供给层的所述沟部的p型半导体层，以及与所述p型半导体层接触而形成，或者在与所述p型半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。

公开(公告)号：CN101952937A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980105610.5

申请日：2009-02-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/16 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其提高化合物半导体装置的转换速度等性能。半导体基板包括：硅基板；形成于硅基板上且具有抵达硅基板的开口部的绝缘膜；形成于开口部的Ge结晶；以Ge结晶为核进行成长而成、且形成为比绝缘膜的表面更凸出的化合物半导体结晶；以及以化合物半导体结晶为晶种面，在绝缘膜上进行横向成长而成的横向成长化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101449401B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200780018826.9

申请日：2007-03-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 广山雄一 ,  秦雅彦 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  F21S2/00

CPC classification number: G02B6/0068 ,  G02B6/0025 ,  G02B6/0046 ,  G02B6/0051 ,  G02B6/0073 ,  H01L27/156 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/5036

Abstract: 本发明提供色调的稳定性优越，同时，还能够调节色调，且适合微细化的单片发光设备及使用了其的照明装置及其驱动方法。单片发光设备是多个发光二极管以单片阵列配置于单一基板上而成的照明用单片发光设备，所述发光二极管从具有pn结的半导体材料及该半导体输出光，并且，设置有含有用于吸收该光的一部分或全部，变换为不同的波长的光的荧光体的层，其中，所述阵列包括：由m个(m≥2)所述发光二极管构成的发光二极管群组，该发光二极管群组包括：各自具有预先规定的N种(N≥2，但N≤m)发光光谱形状的任一种的N种发光二极管，通过按根据发光光谱形状的种类分组的发光二极管组改变向所述发光二极管的供给电力量，能够改变自所述阵列整体的平均发光光谱。

公开(公告)号：CN101611471A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004854.X

申请日：2008-02-12

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管用外延基板，场效应晶体管用外延基板在衬底基板和工作层之间设有含有Ga的氮化物系III－V族半导体外延结晶，氮化物系III－V族半导体外延结晶含有(i)、(ii)及(iii)。(i)第一缓冲层，其含有Ga或Al，并且包括添加了元素周期表中处于与Ga同一周期且原子序号小的补偿杂质元素的高电阻结晶层；(ii)第二缓冲层，其层叠于第一缓冲层的工作层侧，并含有Ga或Al；(iii)高纯度外延结晶层，其设于高电阻结晶层和工作层之间，并不含有或含有能够维持耗尽状态的程度的微量受主杂质。