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公开(公告)号:CN106415815A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201580025703.2
申请日:2015-03-25
申请人: 住友电气工业株式会社
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/027 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号: H01L21/02027 , H01L21/02005 , H01L21/027 , H01L21/046 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/6838 , H01L23/562 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要: 一种用于制造半导体器件的方法,包括:制备SiC衬底(10)的步骤;将所述SiC衬底(10)固定到静电吸盘(20)上并且对所述SiC衬底(10)进行热处理的步骤,以及对被固定到所述静电吸盘子注入处理的步骤。所述热处理的步骤包括:外周侧吸附步骤,其在所述SiC衬底(10)的外周区域(12)和所述静电吸盘(20)的外周部(22)之间产生静电吸引力,所述外周部(22)面对所述外周区域(12);以及内周侧吸附步骤,其是在所述外周侧吸附步骤开始之后开始的,并且在所述SiC衬底(10)的内周区域(11)和所述静电吸盘(20)的内周部(21)之间产生静电吸引力,所述内周部(21)面对所述内周区域(11)。(20)上并且被热处理的所述SiC衬底(10)执行离
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公开(公告)号:CN104011868B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201180075624.4
申请日:2011-12-19
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号: H01L29/158 , B82Y10/00 , H01L21/02603 , H01L23/66 , H01L27/0605 , H01L27/0886 , H01L29/045 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42392 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/66469 , H01L29/66522 , H01L29/66742 , H01L29/775 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/785 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L2223/6677 , Y10S977/938
摘要: Ⅲ族-N纳米线设置于衬底上。纵向长度的纳米线被限定在第一Ⅲ族-N材料的沟道区中,源极区与沟道区的第一端电耦合,并且漏极区与沟道区的第二端电耦合。在第一Ⅲ族-N材料上的第二Ⅲ族-N材料用作纳米线表面上的电荷诱导层,和/或势垒层。栅极绝缘体和/或栅极导体在沟道区内完全同轴地环绕纳米线。漏极触点和源极触点可以类似地完全同轴地环绕漏极区和源极区。
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公开(公告)号:CN103930996B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201280054320.4
申请日:2012-10-12
申请人: 住友电气工业株式会社
发明人: 增田健良
IPC分类号: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC分类号: H01L29/7827 , H01L21/0475 , H01L21/049 , H01L21/3065 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/34 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/7813
摘要: MOSFET(1)设置有:衬底(10),其包括碳化硅、在其一个主表面(10A)侧开口、具有被形成在其中的具有侧壁表面(19A)的沟槽(19);栅极绝缘膜(21),其被形成为与侧壁表面(19A)的顶部接触;以及栅电极(23),其被形成为与栅极绝缘膜(21)的顶部接触,其中,在位于侧壁表面(19A)上并且一边上的长度为100nm的正方形区域内的表面粗糙度为1.0nm RMS或更小。
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公开(公告)号:CN102956446B
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201210290813.X
申请日:2012-08-15
申请人: 住友化学株式会社
IPC分类号: H01L21/20 , H01L33/02 , H01L29/06 , C23C16/448
CPC分类号: H01L21/0262 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02581 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/36
摘要: 本发明提供抑制了不希望的杂质的混入的金属氯化物气体发生装置、氢化物气相生长装置、和氮化物半导体模板。作为金属氯化物气体发生装置的HVPE装置具有:筒状的反应炉,其在上游侧具有收容Ga(金属)的槽(收容部),在下游侧具有配置生长用的基板的生长部;透光性的气体导入管,其按照从具有气体导入口的上游侧端部起经由槽到达生长部的方式配置,从上游侧端部导入气体,供给至槽,并将气体与槽内的Ga反应而生成的金属氯化物气体供给至生长部;隔热板,其配置在反应炉内,对气体导入管的上游侧端部侧和生长部侧进行热阻断,气体导入管具有在上游侧端部与隔热板之间弯曲的构造。
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公开(公告)号:CN104126228B
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201180076433.X
申请日:2011-12-23
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号: H01L29/7848 , H01L29/045 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L29/165 , H01L29/42392 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/78618 , H01L29/78696 , H01L2029/7858
摘要: 说明了一种非平面栅极全包围器件及其制造方法。在一个实施例中,器件包括衬底,所述衬底包含具有第一晶格常数的顶部表面。嵌入式外延源极区和嵌入式外延漏极区形成在所述衬底的顶部表面上。嵌入式外延源极区和嵌入式外延漏极区具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数。具有第三晶格的沟道纳米线形成于嵌入式外延源极区和嵌入式外延漏极区之间,并与它们耦合。在一个实施例中,第二晶格常数和第三晶格常数与第一晶格常数不同。沟道纳米线包括最底部的沟道纳米线,底部栅极隔离物形成于最底部的沟道纳米线下方的衬底的顶部表面上。栅极电介质层形成于每一条沟道纳米线之上和周围。栅极电极形成于栅极电介质层上,并围绕每一条沟道纳米线。
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公开(公告)号:CN103474354B
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201310343762.7
申请日:2009-11-27
申请人: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC分类号: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC分类号: H01L29/045 , H01L29/20 , H01L29/7833 , H01L29/78681
摘要: 本发明公开一种半导体装置,包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体;与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面,或,具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料;和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
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公开(公告)号:CN106057638A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610210616.0
申请日:2016-04-06
申请人: 格罗方德半导体公司
CPC分类号: H01L29/32 , H01L21/02639 , H01L29/0649 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/205 , H01L29/66795 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/02609 , H01L29/045 , H01L29/0684
摘要: 所揭露的是一种用于制造具有更低缺陷密度的异质磊晶生长晶格不匹配半导体层的结构及方法。使用第一ART沉积程序,在下沟槽中晶格不匹配结晶基板的上表面上磊晶生长第一半导体层。接着,沿着水平平面将该结构转动90°,并且使用第二ART沉积程序,在上沟槽中第一半导体层的上表面上磊晶生长第二半导体层。如此,使得第二半导体层的上部分实质没有磊晶缺陷。
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公开(公告)号:CN105977138A
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201610553010.7
申请日:2016-07-12
申请人: 河源市众拓光电科技有限公司
发明人: 李国强
CPC分类号: Y02P70/521 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02694 , H01L29/045 , H01L31/1856 , H01L33/0075
摘要: 本发明公开了一种生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜,包括钇铝石榴石衬底和GaN薄膜;所述GaN薄膜外延生长在所述钇铝石榴石衬底上;所述钇铝石榴石衬底以(111)面偏(100)面0.5‑1°为外延面,所述钇铝石榴石衬底和所述GaN薄膜的取向关系为:GaN薄膜的(0001)面平行于钇铝石榴石衬底的(111)面。该GaN薄膜的晶体质量好。本发明还公开了所述生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜的制备方法,该制备方法工艺简单,制备成本低廉。另外,本发明还把所述生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜应用于LED器件、光电探测器、太阳能电池器件中。
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公开(公告)号:CN103918080B
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201280054479.6
申请日:2012-11-07
申请人: 住友电气工业株式会社
IPC分类号: H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号: H01L29/7802 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H01L29/7813
摘要: MOSFET(1)设置有:第一沟槽(16),其向主表面(10a)侧打开;衬底(10),其包括碳化硅,在其主表面(10A)侧打开,其中形成有比第一沟槽(16)浅的第二沟槽(17);栅极绝缘膜(20);栅电极(30);以及源电极(50),其被定位为以便接触第二沟槽(17)的侧表面(17a)的顶部。衬底(10)包括:源极区(15)、体区(14)、以及漂移区(13)。第一沟槽(16)被形成为贯穿通过源极区(15)和体区(14)并且延伸到漂移区(13)中。第二沟槽(17)被形成为贯穿通过源极区(15)并且延伸到体区(14)。
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公开(公告)号:CN103681834B
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201310356243.4
申请日:2013-08-15
申请人: 富士通株式会社
IPC分类号: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335 , H02M5/458 , H03F3/189
CPC分类号: H01L29/778 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786
摘要: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括:由化合物半导体形成的电子渡越层;以及形成为覆盖电子渡越层的电极,其中在电子渡越层和电极之间插入有绝缘膜,其中电子渡越层的在电极下方的部分形成为使得具有第一极性面的第一化合物半导体和具有第二极性面的第二化合物半导体交替布置,并且在第一极性面中的极化电荷与在第二极性面中的极化电荷具有相反的极性。
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