公开(公告)号：CN102725846A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180007199.5

申请日：2011-01-25

申请人： 美光科技公司

发明人： 约翰·A·斯迈思三世 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L45/165 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/56 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1683

摘要： 本发明包含经GCIB处理的电阻性装置、利用经GCIB处理的电阻性装置的装置(例如，如开关、存储器单元)及用于形成所述经GCIB处理的电阻性装置的方法。一种形成经GCIB处理的电阻性装置的方法包含形成下部电极及在所述下部电极上形成氧化物材料。将所述氧化物材料暴露于气体团簇离子束GCIB直到所述氧化物材料的第一部分的电阻相对于所述氧化物材料的第二部分的电阻改变为止。在所述第一部分上形成上部电极。

公开(公告)号：CN101461071B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200680047931.0

申请日：2006-12-12

申请人： NXP股份有限公司 ,  校际微电子中心

发明人： 卢多维克·古克斯 ,  德克·J·C·C·M·武泰斯 ,  朱迪思·G·里索尼·雷耶斯 ,  托马斯·吉勒

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2472 ,  H01L27/2445 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1666

摘要： 本发明公开了一种纵向相变存储器(PCM)单元，其包括与第一相变材料层(14)相接触的底部电极(5)、具有开口(13)的电介质材料层(12)、通过电介质层中的开口与第一相变材料层相接触的第二相变材料层(6)、和与该第二相变材料层相接触的顶部电极(7)的叠层。

公开(公告)号：CN102054529A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010511478.2

申请日：2010-10-19

申请人： 索尼公司

发明人： 角野润 ,  保田周一郎

IPC分类号： G11C16/02

CPC分类号： H01L45/141 ,  G11C13/0002 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1666

摘要： 本发明提供一种存储装置和用于制造存储装置的方法，所述存储装置包括电阻变化型存储元件，且该存储装置包括：第一存储元件，其包括第一电阻变化层和连接至所述第一电阻变化层的第一电极；以及第二存储元件，其包括第二电阻变化层和连接至所述第二电阻变化层的第二电极，其中，所述第二电阻变化层的厚度和材料以及所述第二电极与所述第二电阻变化层的接触面积中的至少一者，不同于所述第一电阻变化层的厚度和材料以及所述第一电极与所述第一电阻变化层的接触面积中的对应的一者。因此，本发明的存储装置能够进行高速重写操作并具有优异数据保持特性。

公开(公告)号：CN102017146A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115281.2

申请日：2009-04-30

申请人： 分子间公司

发明人： 普拉桑特·法塔克 ,  托尼·江 ,  普拉加蒂·库马尔 ,  迈克尔·米勒

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L45/146 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/08 ,  H01L45/10 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1658 ,  H01L47/00

摘要： 描述了非易失性阻变存储器，其包括具有第一电极、第二电极、处于第一电极和第二电极之间的金属氧化物的存储器元件。金属氧化物使用体介导转换进行转换，其具有大于4电子伏特(eV)的带隙，具有对于每一百埃的金属氧化物厚度具有至少一伏的用于设置操作的设置电压，以及，对于每二十埃的所述金属氧化物厚度，在0.5伏(V)下测量，具有小于40安每平米厘米(A/cm2)的漏电流密度。

公开(公告)号：CN100593867C

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200680043939.X

申请日：2006-11-20

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： S·布拉德·赫纳 ,  坦迈·库马尔

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/145 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1675

摘要： 本发明提供一种可达到至少两个稳定的电阻率状态的电阻率切换金属氧化物或氮化物层。此层可用于非易失性存储单元中的状态改变元件中，从而以此电阻率状态存储其数据状态，例如“0”或“1”。在此电阻率切换金属氧化物或氮化物化合物层中包括额外的金属原子会降低引起电阻率状态之间的切换所需的电流，从而减少以此层的电阻率状态存储数据的存储单元阵列的功率要求。在各种实施例中，存储单元可包括与另一元件(例如二极管或晶体管)串联形成的具有添加金属的电阻率切换金属氧化物或氮化物化合物层。

公开(公告)号：CN101461071A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200680047931.0

申请日：2006-12-12

申请人： NXP股份有限公司 ,  校际微电子中心

发明人： 卢多维克·古克斯 ,  德克·J·C·C·M·武泰斯 ,  朱迪思·G·里索尼·雷耶斯 ,  托马斯·吉勒

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2472 ,  H01L27/2445 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1666

摘要： 本发明公开了一种纵向相变存储器(PCM)单元，其包括与第一相变材料层(14)相接触的底部电极(5)、具有开口(13)的电介质材料层(12)、通过电介质层中的开口与第一相变材料层相接触的第二相变材料层(6)、和与该第二相变材料层相接触的顶部电极(7)的叠层。

公开(公告)号：CN101228588A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200680017036.4

申请日：2006-05-18

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司 ,  校际微电子中心

发明人： 迪尔克·武泰 ,  卢多维克·古 ,  朱迪思·利松尼 ,  托马斯·吉勒

IPC分类号： G11C16/02

CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1675

摘要： 提出了一种相变材料存储器单元。所述单元包括至少一个已构图的相变材料层，并且其特征在于该已构图的层包括具有不同电阻率的至少两个区域。如果相变材料的电阻率在具有有限尺寸的良好限制区域中(“热点”)比该区域外部的高，那么对于电极之间流过的给定的电流，与其中电阻率较低的相变材料区域相比，在该区域内部将有利地产生更多焦耳热。

公开(公告)号：CN104969374B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201480006500.4

申请日：2014-01-10

申请人： 爱德斯托科技有限公司

发明人： J·R·詹姆士三世 ,  J·E·桑切斯 ,  W·T·李 ,  Y·马 ,  V·P.戈皮纳特 ,  F·S·寇山

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1625 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/165

摘要： 在本发明的一个实施方式中，电阻开关器件(11)包括布置在基板上方并且连接到第一电势节点的第一电极(120)。开关层(130)布置在第一电极(120)上方。导电非晶层(140)布置在开关层(130)上方。第二电极(150)布置在导电非晶层(140)上并且连接到第二电势节点。

公开(公告)号：CN104518085B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201310746001.6

申请日：2013-12-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张至扬 ,  朱文定 ,  涂国基 ,  廖鈺文 ,  陈侠威 ,  杨晋杰 ,  石昇弘 ,  游文俊

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/124 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/10 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1213 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/14 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691

摘要： 本发明涉及一种具有轴偏移或横向偏移的顶电极通孔（TEVA）和底电极通孔（BEVA）的电阻式随机存取存储器（RRAM）单元架构。具有同轴的TEVA和BEVA的传统RRAM单元能够引起高接触电阻变化率。本发明中的轴偏移的TEVA和BEVA促使TEVA远离RRAM单元上方的绝缘层，这样能够提高接触电阻变化率。本发明也涉及一种具有矩形RRAM单元的存储器件，该RRAM单元具有能够降低形成电压且提高数据保持的较大区域。本发明还公开了具有横向偏移的BEVA/TEVA的RRAM单元结构。

公开(公告)号：CN104081525B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201280064400.8

申请日：2012-11-07

申请人： 美光科技公司

发明人： 安德烈亚·雷达埃利 ,  乌戈·鲁索 ,  阿戈斯蒂诺·皮罗瓦诺 ,  西蒙娜·拉维扎里

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/128 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1675

摘要： 一些实施例包含例如存储器单元的集成装置。所述装置可包含：硫族化物材料；导电材料，其在所述硫族化物材料上方；及散热片，其在所述导电材料与所述硫族化物材料之间。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。一些实施例包含一种形成存储器单元的方法。可在加热器材料上方形成硫族化物材料。可在所述硫族化物材料上方形成导电材料。可在所述导电材料与所述硫族化物材料之间形成散热片。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。