公开(公告)号：CN105428402A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510578851.9

申请日：2015-09-11

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 托尼·范胡克 ,  维特·桑迪·恩 ,  皮特鲁斯·H·C·马涅 ,  蓬奇·伊沃 ,  迪克·克拉森 ,  马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/063 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7378 ,  H03F3/21 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/0684

摘要： 一种包括双极晶体管的半导体器件及其制造方法。一种包括双极晶体管的功率放大器。所述双极晶体管包括：包括横向延伸的漂移区的集电极。所述双极晶体管还包括：位于所述集电极上方的基极。所述双极晶体管还包括：位于所述基极上方的发射极。所述双极晶体管还包括具有与集电极的导电类型不同的导电类型的掺杂区域。掺杂区域在集电极下方横向延伸以在掺杂区域和集电极之间的接触区域处形成结。所述掺杂区域具有不均匀的横向掺杂分布。所述掺杂区域的掺杂级别在离所述双极晶体管的集电极-基极结最近的那部分掺杂区域中最高。

公开(公告)号：CN104410373B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201410509826.0

申请日：2013-06-13

申请人： 西凯渥资讯处理科技公司

发明人： 霍华德·E·陈 ,  亦凡·郭 ,  庭福·吴·黄 ,  迈赫兰·贾纳尼 ,  田·敏·古 ,  菲利浦·约翰·勒托拉 ,  安东尼·詹姆斯·洛比安可 ,  哈迪克·布潘达·莫迪 ,  黄·梦·阮 ,  马修·托马斯·奥扎拉斯 ,  山德拉·刘易斯·培帝威克 ,  马修·肖恩·里德 ,  詹斯·阿尔布雷希特·理吉 ,  大卫·史蒂芬·雷普利 ,  宏晓·邵 ,  宏·沈 ,  卫明·孙 ,  祥志·孙 ,  帕特里克·劳伦斯·韦尔奇 ,  小彼得·J·札帕帝 ,  章国豪

IPC分类号： H03F3/19 ,  H03F3/24

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及包含相关系统、装置及方法的功率放大器模块，其包含：功率放大器，其包含GaAs双极晶体管，所述GaAs双极晶体管具有集极、邻接所述集极的基极及射极，所述集极在与所述基极的结处具有至少约3×1016cm-3的掺杂浓度，所述集极还具有其中掺杂浓度远离所述基极增加的至少第一分级；及RF发射线，其由所述功率放大器驱动，所述RF发射线包含导电层及所述导电层上的表面处理镀层，所述表面处理镀层包含金层、接近所述金层的钯层及接近所述钯层的扩散势垒层，所述扩散势垒层包含镍且具有小于约镍在0.9GHz下的集肤深度的厚度。本发明还提供所述模块的其它实施例连同其相关方法及组件。

公开(公告)号：CN105048972A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510430577.0

申请日：2010-12-08

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 苏珊娜·A·保罗 ,  马里亚·葛登伯格

IPC分类号： H03F1/08 ,  H03F1/56 ,  H03F3/45 ,  H03F3/50

CPC分类号： H03F3/45179 ,  H03F1/086 ,  H03F1/565 ,  H03F3/21 ,  H03F3/45237 ,  H03F3/505 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/492 ,  H03F2200/495 ,  H03F2200/69 ,  H03F2203/45394 ,  H03F2203/45612 ,  H03F2203/5042

摘要： 一种射频(RF)功率放大器，包括用于驱动共源极输出放大器级(514)的输入的低阻抗前级驱动器(513)。所述前置放大器(513)包括第一晶体管(502)，其中所述第一晶体管具有与前置放大器的RF输入节点(501)耦合的第一端子；与前置放大器的RF输出节点(503)耦合的第二端子，以及与电源电压节点(515)耦合的第三端子。第一电感器(504)耦合在RF输出节点(503)与偏压节点(505)之间。RF输入节点(501)和RF输出节点(503)上的相应的第一和第二电压大体上是同相的，并且这两个电压之间的电压差确定了流经第一晶体管(502)的电流。

公开(公告)号：CN104953953A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510089471.9

申请日：2015-02-27

申请人： 英特尔IP公司

发明人： E.科亨

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F3/45 ,  H02M3/04

CPC分类号： H03F1/0222 ,  H03F1/0227 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/102 ,  H03F2200/336 ,  H03F2200/432 ,  H03F2200/451

摘要： 本发明涉及用于提供针对供应单元的供应控制信号的装置和方法。一种用于提供针对供应单元200的供应控制信号122的装置100，供应单元200被配置成向功率放大器300提供可变受控功率供应202。装置100包括被配置成确定信号与至少一个标称值的偏差的确定模块110；以及被配置成在基于所确定的偏差的调整之后提供供应控制信号122的调整模块120。

公开(公告)号：CN104682898A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510081837.8

申请日：2015-02-15

申请人： 上海唯捷创芯电子技术有限公司

发明人： 牛旭

IPC分类号： H03F3/20 ,  H03F1/30

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H03F1/302 ,  H03F1/56 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451

摘要： 本发明公开了一种用于功率放大器的有源偏置电路及通信设备。该电路包括PTAT电流源电路、基准电压电路、隔离稳压电路以及偏置电压电路；其中，PTAT电流源电路输入端连接到电压源，输出端连接基准电压电路，用于产生与电压源和温度成比例的电流；基准电压电路产生与电流和温度成比例的基准电压；隔离稳压电路隔离基准电压电路和偏置电压电路，通过负反馈的环路为偏置电压电路提供稳定电压；偏置电压电路接收隔离电压电路的电压，同时连接电压源，用于产生功率放大管的偏置电压。本发明能够在一定程度抑制温度漂移导致的偏置状态漂移，同时克服大功率输出状态下温度升高所导致的线性度恶化。

公开(公告)号：CN104348420A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410369405.2

申请日：2014-07-30

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 竹中干一郎 ,  伊藤雅广 ,  堀正和 ,  有家光夫 ,  中村隼人 ,  荒屋敷聪 ,  松本秀俊 ,  佐藤刚 ,  田中聪

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F3/20

CPC分类号： H03F1/0222 ,  H03F1/02 ,  H03F1/0216 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/32 ,  H03F1/42 ,  H03F1/52 ,  H03F1/56 ,  H03F3/04 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F2200/102 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/444 ,  H03F2200/451 ,  H03G3/004

摘要： 在采用包络跟踪方式的功率放大模块中，以低成本来实现线性的提高。功率放大模块包括：对无线频率信号进行放大来输出第一放大信号的第一功率放大电路；基于根据所述无线频率信号的振幅而进行变动的电源电压来对所述第一放大信号进行放大并输出第二放大信号的第二功率放大电路；以及匹配电路，该匹配电路包含串联连接在所述第一及第二功率放大电路之间的第一及第二电容器、以及连接在所述第一及第二电容器与接地之间的电感器，并使所述第一功率放大电路的增益随着所述第二功率放大电路的电源电压的变高而降低。

公开(公告)号：CN104241795A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410255288.7

申请日：2014-06-10

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 杰拉德·简-路易斯·布伊斯 ,  拉耶夫·布斯吉特

IPC分类号： H01P5/10 ,  H01P5/12 ,  H03F3/20

CPC分类号： H03H7/42 ,  H01P5/10 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21

摘要： Marchand平衡-不平衡转换器具有宽度小于两个次级传输线的初级传输线。两个次级传输线还具有不同宽度和长度。这种布置提供了传输线宽度和长度之间的失衡。已经发现这种宽度和长度的失衡能够改善幅度不平衡和相位不平衡。

公开(公告)号：CN102498663B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201080025649.9

申请日：2010-06-09

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 莫哈洁日·赫山姆 ,  H·法兹罗拉·阿米尔

IPC分类号： H03F1/02

CPC分类号： H03F1/025 ,  H03F3/21 ,  H03F2200/504 ,  H03F2200/507 ,  H03F2200/511 ,  H03H11/18 ,  H04L25/0286 ,  H04L25/03019 ,  H04L25/03343 ,  H04L25/03885 ,  Y10T307/696

摘要： 一种设备包括：输入；控制信号产生器，其耦合到所述输入且具有控制信号产生器输出；以及放大器，其耦合到所述控制信号产生器输出，其中供应到所述放大器的电压是基于所述控制信号产生器输出来切换，且其中所述控制信号产生器输出是基于所述输入中的数据信号。还包含一种设备，其包括经配置以实施方法的电路，所述方法包括：检测传入信号；计算所述传入信号的导数；基于所述传入信号的所述导数和时间步长来估计未来传入信号；以及在所述未来传入信号到达切换之前或与切换同时地提供所述估计的未来传入信号以在第一供应电压与第二供应电压之间进行切换，其中所述传入信号和所述未来传入信号是模拟信号。

公开(公告)号：CN101990741B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN200980106934.0

申请日：2009-02-27

申请人： 努吉拉有限公司

发明人： 杰拉德·维蓬尼

IPC分类号： H03F1/02

CPC分类号： H03F1/0233 ,  H03F1/0222 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F2200/102 ,  H03F2200/451

摘要： 本发明公开了一种用于产生包括输入信号的副本的输出信号的方法和装置，该方法包括以下步骤：产生表示输入信号的低频分量的复制信号；产生表示该复制信号中的误差的误差信号；将复制信号与误差信号组合起来以产生输出信号；并且其中，所述产生所述误差信号的步骤还包括以下步骤：产生作为输入信号的延迟版本的延迟信号；和确定输出信号与所述延迟信号之差，该差是所述误差信号。

公开(公告)号：CN104184421A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410218761.4

申请日：2014-05-22

申请人： 富士通株式会社

发明人： 川崎敏雄 ,  石川广吉 ,  长谷和男 ,  宇都宫裕一 ,  A·N·洛日金 ,  滨田一

IPC分类号： H03F1/32 ,  H03F3/20

CPC分类号： H03F1/3247 ,  H03F3/21 ,  H03F3/24 ,  H03F2201/3227 ,  H03F2203/21

摘要： 功率放大器设备、发送机设备及功率放大器设备控制方法。一种功率放大器设备包括：放大器，其被配置为将转换为模拟信号后的输入信号放大；失真补偿器，其被配置为按照第二采样率对输入信号执行预失真处理，该第二采样率比所述输入信号转换为模拟信号后的第一采样率高；去除器，其被配置为从经受所述预失真处理的所述输入信号中去除超出与所述第一采样率对应的频带的频率分量；第一采样率转换器，其被配置为将去除了所述频率分量的所述输入信号的采样率从所述第二采样率转换为所述第一采样率；以及第一信号转换器，其被配置为按照所述第一采样率将采样率被转换的所述输入信号转换为模拟信号，以将转换为模拟信号后的所述输入信号提供给所述放大器。