公开(公告)号：CN107017168A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610952366.8

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑荣伟 ,  林鸿仁 ,  王宗鼎 ,  李建勋 ,  侯皓程 ,  刘名哲 ,  庄钧智 ,  陈海明

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L24/09 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/03502 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0812 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/00 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/4853

Abstract: 本发明实施例公开了形成连接件和封装的半导体器件的方法。在一些实施例中，通过在互连结构上方形成第一光刻胶层，并且将第一光刻胶层图案化为具有用于连接件的第一部分的图案，形成连接件。穿过图案化的第一光刻胶层镀第一金属层以形成连接件的第一部分，第一部分具有第一宽度。第二光刻胶层形成在互连结构和连接件的第一部分上方。将第二光刻胶层图案化为具有用于连接件的第二部分的图案。通过图案化的第二光刻胶层镀第二金属层以形成在连接件的第一部分上方的连接件的第二部分。连接件的第二部分具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。

公开(公告)号：CN114944369A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210079181.6

申请日：2022-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游济阳 ,  吴念芳 ,  陈海明 ,  梁裕民 ,  吴俊毅

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/18 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种半导体封装及一种用于半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括重布线层、半导体管芯、多个导电连接件、多个虚设凸块及底部填充胶。半导体管芯设置在重布线层的顶表面上，且与重布线层电连接。多个导电连接件设置在半导体管芯与重布线层之间，且与半导体管芯及重布线层物理连接及电连接。多个虚设凸块在重布线层的顶表面上设置在多个导电连接件旁边及半导体管芯下方。底部填充胶设置在半导体管芯与重布线层之间，且夹置在多个虚设凸块与半导体管芯之间。多个虚设凸块是电浮动的。多个虚设凸块与底部填充胶接触而不接触半导体管芯。

公开(公告)号：CN109786268A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810691508.9

申请日：2018-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游济阳 ,  陈海明 ,  梁裕民 ,  郑荣伟 ,  李建勋

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31

Abstract: 实施例方法包括：将半导体管芯密封在密封剂中，平坦化密封剂并且在密封剂上沉积聚合物材料。该方法还包括平坦化聚合物材料以及在聚合物材料上形成金属化图案。金属化图案将半导体管芯的管芯连接件电连接至设置在半导体管芯的外部的导电部件。本发明的实施例还涉及半导体封装件中的金属化图案及其形成方法。

公开(公告)号：CN109659292A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201810031594.0

申请日：2018-01-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游济阳 ,  陈衿良 ,  陈海明 ,  何冠霖 ,  梁裕民

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/00

Abstract: 一种集成扇出型封装包括管芯、包封体、重布线结构、多个导电柱、晶种层、及多个导电凸块。所述包封体包封所述管芯。所述重布线结构位于所述管芯及所述包封体上。所述重布线结构与所述管芯电连接且包括依序堆叠的多个介电层以及夹置在所述介电层之间的多个导电图案。距所述管芯最远的所述介电层的杨氏模量高于所述介电层中其余介电层中的每一者的杨氏模量。所述导电图案彼此电连接。所述导电柱设置在所述重布线结构上且与所述重布线结构电连接。所述晶种层位于所述导电柱与所述重布线结构之间。所述导电凸块设置在所述多个导电柱上。

公开(公告)号：CN109659292B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN201810031594.0

申请日：2018-01-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游济阳 ,  陈衿良 ,  陈海明 ,  何冠霖 ,  梁裕民

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/00

Abstract: 一种集成扇出型封装包括管芯、包封体、重布线结构、多个导电柱、晶种层、及多个导电凸块。所述包封体包封所述管芯。所述重布线结构位于所述管芯及所述包封体上。所述重布线结构与所述管芯电连接且包括依序堆叠的多个介电层以及夹置在所述介电层之间的多个导电图案。距所述管芯最远的所述介电层的杨氏模量高于所述介电层中其余介电层中的每一者的杨氏模量。所述导电图案彼此电连接。所述导电柱设置在所述重布线结构上且与所述重布线结构电连接。所述晶种层位于所述导电柱与所述重布线结构之间。所述导电凸块设置在所述多个导电柱上。

公开(公告)号：CN109786268B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201810691508.9

申请日：2018-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游济阳 ,  陈海明 ,  梁裕民 ,  郑荣伟 ,  李建勋

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31

Abstract: 实施例方法包括：将半导体管芯密封在密封剂中，平坦化密封剂并且在密封剂上沉积聚合物材料。该方法还包括平坦化聚合物材料以及在聚合物材料上形成金属化图案。金属化图案将半导体管芯的管芯连接件电连接至设置在半导体管芯的外部的导电部件。本发明的实施例还涉及半导体封装件中的金属化图案及其形成方法。