公开(公告)号：CN100432293C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200510070984.1

申请日：2005-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志福 ,  陈彦秀 ,  林鸿仁 ,  金明铸 ,  苏庆煌 ,  黄智睦 ,  张沄

IPC: C23C30/00 ,  C23C28/00

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明是有关于一种低温在基材上沉积金属薄膜的方法，适用于金属/绝缘体/金属(MIM)电容元件的制程中。利用小于270℃的沉积温度在基材上沉积金属薄膜，使该金属薄膜具有较佳的均匀性，并且可避免金属薄膜的晶粒形成结块，提高电容元件或是其他设有该金属薄膜的元件的运作完整性。此外本发明的金属薄膜可改善内在的崩溃电压。

公开(公告)号：CN1699624A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510070984.1

申请日：2005-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志福 ,  陈彦秀 ,  林鸿仁 ,  金明铸 ,  苏庆煌 ,  黄智睦 ,  张沄

IPC: C23C30/00 ,  C23C28/00

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明是有关于一种低温在基材上沉积金属薄膜的方法，适用于金属/绝缘体/金属(MIM)电容元件的制程中。利用小于270℃的沉积温度在基材上沉积金属薄膜，使该金属薄膜具有较佳的均匀性，并且可避免金属薄膜的晶粒形成结块，提高电容元件或是其他设有该金属薄膜的元件的运作完整性。此外本发明的金属薄膜可改善内在的崩溃电压。

公开(公告)号：CN104051429B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310294010.6

申请日：2013-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 ,  陈宪伟 ,  吕文雄 ,  林鸿仁

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于晶圆级封装的方法和装置，其中一种半导体器件，包括：衬底、位于衬底上方的接合焊盘、位于衬底上方的保护环、在接合焊盘和保护环之间位于衬底上方的对准标记。该器件可以包括位于衬底上的钝化层、聚合物层、与接合焊盘接触的钝化后互连（PPI）层、以及位于PPI层上的连接件，其中连接件位于接合焊盘和保护环之间，并且对准标记位于连接件和保护环之间。对准标记可以位于PPI层中。可以在不同的层中具有多个对准标记。可以在被保护环环绕的区域的角部附近或边缘处存在器件的多个对准标记。

公开(公告)号：CN103378040B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310002713.7

申请日：2013-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王宗鼎 ,  林鸿仁 ,  吴俊毅 ,  李明机 ,  李建勋

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/4824 ,  H01L21/563 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16056 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件封装件及半导体器件封装方法。在一种实施例中，由于半导体器件的封装件包括衬底以及设置在衬底的第一表面上的接触焊盘。接触焊盘具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧。导电线路连接至接触焊盘的第一侧，并且导电线路的延伸部连接至接触焊盘的第二侧。多个接合焊盘设置在衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN103219316B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210468976.2

申请日：2012-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林鸿仁 ,  王宗鼎 ,  李建勋 ,  吕文雄 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03612 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/21 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了封装组件和形成封装组件的方法，其中，该封装组件包括通过互连接合结构电连接至衬底的半导体管芯。半导体管芯包括上覆半导体衬底的凸块以及上覆半导体衬底并与凸块的第一部分物理接触的模塑料层。衬底包括位于导电区域上的不流动底部填充层。凸块的第二部分与不流动底部填充层物理接触以形成互连接合结构。

公开(公告)号：CN109585391B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201811132809.4

申请日：2018-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘重希 ,  李建勋 ,  吴俊毅 ,  侯皓程 ,  林鸿仁 ,  郑荣伟 ,  王宗鼎 ,  梁裕民 ,  邹立为

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 一种示例性半导体封装件包括裸半导体芯片，邻近裸半导体芯片的封装的半导体芯片，以及接合至裸半导体芯片和封装的半导体芯片的再分布结构。再分布结构包括具有第一厚度的第一再分布层；具有第二厚度的第二再分布层；位于第一再分布层和第二再分布层之间的第三再分布层。第三再分布层具有大于第一厚度和第二厚度的第三厚度。该封装件还包括设置在裸半导体芯片和再分布结构之间的底部填充物，以及密封裸半导体芯片、封装的半导体芯片和底部填充物的模塑料。本发明实施例涉及半导体封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN108807315A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710541562.0

申请日：2017-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯皓程 ,  李建勋 ,  林鸿仁 ,  郑荣伟 ,  王宗鼎

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 提供一种制作集成扇出型封装的方法。所述方法包括以下步骤。在载体上安装集成电路组件。在所述载体上形成绝缘包封体，以包封所述集成电路组件的侧壁。在所述集成电路组件上形成多个导电柱，并形成介电层以覆盖所述集成电路组件及所述绝缘包封体，其中所述多个导电柱穿透所述介电层且电连接到所述集成电路组件。在所述介电层及所述多个导电柱上形成重布线路结构，其中所述重布线路结构经由所述多个导电柱电连接到所述集成电路组件，且所述重布线路结构与所述绝缘包封体通过所述介电层间隔开。

公开(公告)号：CN107017168A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610952366.8

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑荣伟 ,  林鸿仁 ,  王宗鼎 ,  李建勋 ,  侯皓程 ,  刘名哲 ,  庄钧智 ,  陈海明

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L24/09 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/03502 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0812 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/00 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/4853

Abstract: 本发明实施例公开了形成连接件和封装的半导体器件的方法。在一些实施例中，通过在互连结构上方形成第一光刻胶层，并且将第一光刻胶层图案化为具有用于连接件的第一部分的图案，形成连接件。穿过图案化的第一光刻胶层镀第一金属层以形成连接件的第一部分，第一部分具有第一宽度。第二光刻胶层形成在互连结构和连接件的第一部分上方。将第二光刻胶层图案化为具有用于连接件的第二部分的图案。通过图案化的第二光刻胶层镀第二金属层以形成在连接件的第一部分上方的连接件的第二部分。连接件的第二部分具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。

公开(公告)号：CN103035598A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210020210.8

申请日：2012-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王宗鼎 ,  林鸿仁 ,  李建勋

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/18 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11515 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/64

Abstract: 本发明公开了一种器件，包括：衬底、位于衬底上方的金属焊盘、以及一部分位于金属焊盘上方的钝化层。后钝化互连件(PPI)与金属焊盘电连接，其中，PPI的一部分位于金属焊盘和钝化层上方。聚合物层位于PPI上方。焊料球位于PPI上方。复合物的一部分邻接焊料球和聚合物层，其中，复合物包含焊剂和聚合物。本发明还提供了一种无UBM的连接件的形成。

公开(公告)号：CN1610065A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410062342.2

申请日：2004-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郝静晨 ,  林鸿仁 ,  季明华 ,  沈志恒

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28211 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823828

Abstract: 一种形成半导体组件的方法，至少包含以下步骤：形成一结构于一芯片上，该结构具有一第一层与一罩幕层，且该第一层具有一预掺杂的多晶硅层；在移除该罩幕层之前，氧化该芯片以产生一氧化层；以及移除该罩幕层。