公开(公告)号：CN112514061B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN201980038205.X

申请日：2019-06-05

申请人： L·皮尔·德罗什蒙

发明人： L·皮尔·德罗什蒙

IPC分类号： H01L23/538 ,  H10B80/00

摘要： 一种嵌入在多层表面界面内的高峰值带宽I/O通道，该通道形成将第一半导体晶片上的输出或输入端口与第二半导体晶片上的输入或输出端口电连接的总线电路，其中高峰值带宽I/O通道包括与第一半导体晶片和第二半导体晶片上的输入和输出端口进行电连通的过孔、包含嵌入在低介电常数/超低损耗电介质中将过孔电互连的导电装置的通道链路、包括嵌入在高峰值带宽I/O通道内的电容、电感和电阻元件的无源网络过滤电路、包括嵌入在数据信号平面内的通道链路的多层表面界面、形成电源平面和接地平面或可选的信号控制平面的附加导电装置；其中无源网络过滤电路包括具有以飞秒响应时间进行极化和去极化的高能量密度电介质的部件。

公开(公告)号：CN106435534A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610647600.6

申请日：2011-07-25

申请人： L·皮尔·德罗什蒙

发明人： L·皮尔·德罗什蒙 ,  亚历山大·J·科瓦斯

IPC分类号： C23C18/12 ,  C23C18/14

CPC分类号： B32B5/22 ,  B32B5/00 ,  B32B7/02 ,  B32B15/00 ,  B32B18/00 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/258 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

摘要： 一种方法、装置以及由此制造的无定形态或结晶态的材料，其具有在分子水平上均匀的分子分布的多种元素。

公开(公告)号：CN103415925A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201180064037.5

申请日：2011-11-03

申请人： L·皮尔·德罗什蒙

发明人： L·皮尔·德罗什蒙

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/151 ,  H01L29/16 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/34

摘要： 一种三维多晶半导体材料，其提供了形成具有小于或等于50nm的标称最大晶粒直径的单个晶粒的主要成分以及在单个晶粒之间形成边界的次要成分。

公开(公告)号：CN103180955B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201180051163.7

申请日：2011-08-23

申请人： L·皮尔·德罗什蒙

发明人： L·皮尔·德罗什蒙

IPC分类号： H01L29/66

摘要： 一种半导体场效应晶体管提供了谐振栅极和源极以及漏极，其中谐振栅极以一种或多种预定的频率电磁地谐振。

公开(公告)号：CN103119700B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201180045823.0

申请日：2011-07-25

申请人： L·皮尔·德罗什蒙

发明人： L·皮尔·德罗什蒙 ,  亚历山大·J·科瓦斯

IPC分类号： H01L21/365 ,  B05D3/02

CPC分类号： B32B5/22 ,  B32B5/00 ,  B32B7/02 ,  B32B15/00 ,  B32B18/00 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/258 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

摘要： 一种方法、装置以及由此制造的无定形态或结晶态的材料，其具有在分子水平上均匀的分子分布的多种元素。

公开(公告)号：CN101213638B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200680023565.5

申请日：2006-06-30

申请人： L·皮尔·德罗什蒙

发明人： L·皮尔·德罗什蒙

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01Q9/0414 ,  B82Y30/00 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/781 ,  H01C7/003 ,  H01C17/003 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/33 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/642 ,  H01L23/647 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/38 ,  H01Q15/0086 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/092 ,  H05K1/16 ,  H05K1/162 ,  H05K1/165 ,  H05K1/167 ,  H05K3/207 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/09763 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/0338 ,  H05K2203/121 ,  Y10T428/12493

摘要： 一种电子元件提供位于电介质基体(262)之上或之中、处于一对电导体(260A、260B)之间并与其接触的陶瓷元件(264)，其中陶瓷元件包括一种或多种金属氧化物，其在整个所述陶瓷元件中的金属氧化物组分均匀度的波动小于或等于1.5mol％。一种制造电子元件的方法，提供以下步骤：在基体上的一对导电体之间形成陶瓷元件并与该对导电体接触，包括沉积金属有机先导物的混合物并使金属氧化物先导物同时沉积，以形成包括一种或多种金属氧化物的陶瓷元件。

公开(公告)号：CN109148425B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201811089201.8

申请日：2011-08-23

申请人： L·皮尔·德罗什蒙

发明人： L·皮尔·德罗什蒙

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L25/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02

摘要： 一种半导体场效应晶体管提供了谐振栅极和源极以及漏极，其中谐振栅极以一种或多种预定的频率电磁地谐振。

公开(公告)号：CN109148425A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811089201.8

申请日：2011-08-23

申请人： L·皮尔·德罗什蒙

发明人： L·皮尔·德罗什蒙

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L25/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L27/0629 ,  G06F1/3203 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L25/16 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/43 ,  H01L29/435 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7831 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体场效应晶体管提供了谐振栅极和源极以及漏极，其中谐振栅极以一种或多种预定的频率电磁地谐振。

公开(公告)号：CN104603944A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380046854.7

申请日：2013-07-09

申请人： L·皮尔·德罗什蒙

发明人： L·皮尔·德罗什蒙 ,  亚历山大·J·科瓦斯

IPC分类号： H01L25/16

CPC分类号： G06F1/3203 ,  G06F1/26 ,  G06F1/28 ,  G06F1/324 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0685 ,  G06F9/3001 ,  G06F9/30043 ,  G06F9/30098 ,  G06F9/3802 ,  G06F12/0815 ,  G06F12/0862 ,  G06F12/0875 ,  G06F12/1009 ,  G06F13/1605 ,  G06F13/1673 ,  G06F13/1689 ,  G06F13/24 ,  G06F13/36 ,  G06F13/42 ,  G06F15/80 ,  G06F2212/1024 ,  G06F2212/452 ,  G06F2212/602 ,  G06F2212/621 ,  G06F2212/65 ,  G06F2213/0038 ,  G11C7/1072 ,  H01L21/00 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/84 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  Y02D10/14 ,  Y02D10/151 ,  Y10S257/00 ,  H01L2924/00

摘要： 一种混合系统芯片，其提供了安装在半导体载体芯片上的多个存储器和处理器管芯，所述半导体载体芯片含有完全集成的功率管理系统，其以匹配或接近处理器内核时钟速度的速度转换DC功率，从而允许数据在片外物理存储器与处理器管芯之间的有效传送。

公开(公告)号：CN112514061A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980038205.X

申请日：2019-06-05

申请人： L·皮尔·德罗什蒙

发明人： L·皮尔·德罗什蒙

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L25/065

摘要： 一种嵌入在多层表面界面内的高峰值带宽I/O通道，该通道形成将第一半导体晶片上的输出或输入端口与第二半导体晶片上的输入或输出端口电连接的总线电路，其中高峰值带宽I/O通道包括与第一半导体晶片和第二半导体晶片上的输入和输出端口进行电连通的过孔、包含嵌入在低介电常数/超低损耗电介质中将过孔电互连的导电装置的通道链路、包括嵌入在高峰值带宽I/O通道内的电容、电感和电阻元件的无源网络过滤电路、包括嵌入在数据信号平面内的通道链路的多层表面界面、形成电源平面和接地平面或可选的信号控制平面的附加导电装置；其中无源网络过滤电路包括具有以飞秒响应时间进行极化和去极化的高能量密度电介质的部件。