公开(公告)号：EP2733729A3

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：EP13193352.5

申请日：2013-11-18

申请人： J-Devices Corporation

发明人： Suda, Toru

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L21/98 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L23/3157 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/556 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/00 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02245 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06156 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device includes a rectangular lower semiconductor element (6); a plurality of external electrodes (9) located in a pattern on the lower semiconductor element along sides thereof; a plurality of internal electrodes electrically connected to the plurality of external electrodes via a plurality of line patterns respectively and located on the lower semiconductor element in a pattern; dams (12) provided in such a pattern that each of the dams encloses one or at least two external electrodes among the plurality of external electrodes; an upper semiconductor element (5) mounted on the lower semiconductor element (6) such that a plurality of terminals on the upper semiconductor element are electrically connected to the plurality of internal electrodes respectively; and a resin (4) potted to flow to a space between the lower semiconductor element and the upper semiconductor element.

公开(公告)号：EP1255297B1

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：EP02007433.2

申请日：2002-03-28

申请人： IXYS CORPORATION

发明人： Choi, Kang Rim

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/373 ,  H01L23/433 ,  H01L23/495 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

公开(公告)号：EP2455966A4

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：EP10799683

申请日：2010-05-28

申请人： NICHIA CORP

发明人： SUZUKI RYO ,  HAYASHI TADAO ,  TSUKIOKA TOMOYA ,  TAKEUCHI YOSHIKAZU

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L23/00 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：EP2733729A2

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：EP13193352.5

申请日：2013-11-18

申请人： J-Devices Corporation

发明人： Suda, Toru

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/3157 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/556 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/00 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02245 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06156 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device includes a rectangular lower semiconductor element (6); a plurality of external electrodes (9) located in a pattern on the lower semiconductor element along sides thereof; a plurality of internal electrodes electrically connected to the plurality of external electrodes via a plurality of line patterns respectively and located on the lower semiconductor element in a pattern; dams (12) provided in such a pattern that each of the dams encloses one or at least two external electrodes among the plurality of external electrodes; an upper semiconductor element (5) mounted on the lower semiconductor element (6) such that a plurality of terminals on the upper semiconductor element are electrically connected to the plurality of internal electrodes respectively; and a resin (4) potted to flow to a space between the lower semiconductor element and the upper semiconductor element.

摘要翻译： 半导体器件包括矩形下半导体元件（6）; 多个外部电极（9），沿其侧面位于下部半导体元件上的图案中; 多个内部电极经由多个线图案电连接到多个外部电极，并以图案位于下部半导体元件上; 堤坝（12）以这样的图案提供，使得每个坝围绕多个外部电极中的一个或至少两个外部电极; 安装在下半导体元件（6）上的上半导体元件（5），使得上半导体元件上的多个端子分别电连接到多个内部电极; 和封装在下半导体元件与上半导体元件之间的空间的树脂（4）。

公开(公告)号：EP0720234B1

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：EP95309537.9

申请日：1995-12-29

申请人： SILICONIX Incorporated

发明人： Williams, Richard K.

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L23/482 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00012

摘要： The on-resistance of a vertical power transistor is substantially reduced by forming a thick metal layer on top of the relatively thin metal layer that is conventionally used to make contact with the individual transistor cells in the device. The thick metal layer is preferably plated electrolessly on the thin metal layer through an opening that is formed in the passivation layer.

摘要翻译： 垂直功率晶体管的导通电阻基本上由上形成相对薄的金属层的顶部上的厚金属层并在传统上用于使与该装置中的各个晶体管单元接触减少。 厚金属层优选通过对开口没有被在钝化层上形成化学镀的薄金属层上。

公开(公告)号：EP0817264A3

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：EP97110462.5

申请日：1997-06-26

申请人： NEC CORPORATION

发明人： Kimura, Tomoaki

IPC分类号： H01L23/482

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/41758 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device includes a square pellet, a gate electrode pad, a drain electrode pad, a pair of source electrode pads, and a source electrode path. The pellet has first and second diagonal lines. The gate electrode pad is arranged on one of two corners located on the first diagonal line on the pellet. The drain electrode pad is arranged on the other of the two corners located on the first diagonal line on the pellet. The pair of source electrode pads are arranged on two corners located on the second diagonal line on the pellet. The source electrode path connects the source electrode pads to each other.

摘要翻译： 半导体器件包括正方形颗粒，栅电极焊盘，漏电极焊盘，一对源电极焊盘和源电极路径。 丸粒具有第一和第二对角线。 栅极电极焊盘布置在位于小球上的第一对角线上的两个角落中的一个上。 漏电极焊盘布置在位于颗粒上的第一对角线上的两个拐角中的另一个拐角上。 一对源电极焊盘布置在颗粒上位于第二对角线上的两个角上。 源电极路径将源电极焊盘彼此连接。

公开(公告)号：EP0817264A2

公开(公告)日：1998-01-07

申请号：EP97110462.5

申请日：1997-06-26

申请人： NEC CORPORATION

发明人： Kimura, Tomoaki

IPC分类号： H01L23/482

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/41758 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device includes a square pellet, a gate electrode pad, a drain electrode pad, a pair of source electrode pads, and a source electrode path. The pellet has first and second diagonal lines. The gate electrode pad is arranged on one of two corners located on the first diagonal line on the pellet. The drain electrode pad is arranged on the other of the two corners located on the first diagonal line on the pellet. The pair of source electrode pads are arranged on two corners located on the second diagonal line on the pellet. The source electrode path connects the source electrode pads to each other.

摘要翻译： 半导体器件包括方块，栅电极焊盘，漏电极焊盘，一对源极电极焊盘和源电极路径。 颗粒具有第一和第二对角线。 栅极电极垫布置在位于颗粒上的第一对角线上的两个拐角中的一个角上。 漏电极焊盘布置在位于颗粒上的第一对角线上的两个拐角的另一个上。 一对源极电极垫布置在位于颗粒上的第二对角线上的两个角上。 源电极路径将源电极焊盘彼此连接。

公开(公告)号：EP0347993B1

公开(公告)日：1994-06-08

申请号：EP89201593.4

申请日：1989-06-19

申请人： PHILIPS ELECTRONICS UK LIMITED ,  Philips Electronics N.V.

发明人： Jones, Stewart Barry c/oPHILIPS COMPONENTS

IPC分类号： H03B5/18

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H03B5/18 ,  H03B5/1852 ,  H03B2200/0032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： In a microwave oscillator device, wires (1,2,3 etc) form inductors in a feedback path between a control electrode (e.g. gate) and a second main electrode (e.g. source) of a transistor (e.g. a GaAs MESFET). The transistor body (10) is mounted within an insulating surround 25, on a base 21 providing a first device terminal. The connection to the second main electrode comprises in series at least first and second lengths (1,2) of wire, whereas the connection to the control electrode comprises a third length (3) of wire. The invention permits the construction of a mechanical and electrical replacement for a Gunn diode by compressing the wire lengths (1,2,3 etc) in a particular arrangement into the small space inside a conventional Gunn diode envelope (20). The first wire length (1) and possibly more lengths are arched onto a low bonding area (15,16,17) adjacent the base (21), where the second and third wire lengths extend upto an upper bonding area (23) adjacent the top of the surround (25) and connected to the second terminal (22). The resulting inductance of the connection (1,2, and possibly 4) between the second main electrode and the second terminal (22) is higher than the inductance of the connection (3) between the control electrode and the second terminal (22), whcih provides an impedance level equivalent to that of the Gunn diode which the device replaces.

摘要翻译： 在微波振荡器装置中，导线（1,2,3等）在控制电极（例如栅极）和晶体管（例如GaAs MESFET）的第二主电极（例如源极）之间的反馈路径中形成电感器。 晶体管本体（10）安装在绝缘环绕25中，在提供第一器件端子的基座21上。 与第二主电极的连接包括串联的至少第一和第二长度（1,2），而与控制电极的连接包括线的第三长度（3）。 本发明允许通过将特定布置的导线长度（1,2,3等）压缩到传统的耿氏二极管外壳（20）内的小空间内来构造耿氏二极管的机械和电气替代。 第一线长度（1）和可能更多的长度被拱形到邻近基部（21）的低粘结区域（15,16,17）上，其中第二和第三线长度延伸到邻近基部（21）的上接合区域（23） 环绕（25）的顶部并连接到第二端子（22）。 第二主电极和第二端子（22）之间的连接（1,2和可能的4）的所得电感高于控制电极和第二端子（22）之间的连接（3）的电感， whcih提供了与设备替代的Gunn二极管相同的阻抗水平。

公开(公告)号：EP3285294A1

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：EP17185777.4

申请日：2017-08-10

申请人： EM Microelectronic-Marin SA

发明人： Kuratli, Christoph ,  Dupraz, Yves

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/544 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L24/09 ,  G01R31/31715 ,  G01R31/31937 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06167 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/1613 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/014

摘要： The invention relates to an electronic system comprising:
- an integrated circuit die (10') having:
• at least 2 bond pads (20, 37)
• a redistribution layer, said redistribution layer having:
- at least a solder pad (19') comprising 2 portions (33, 34) arranged to enable an electrical connection between each other by a same solder ball placed on said solder pad (19'), but electrically isolated of each other in the absence of a solder ball on the solder pad (19')
- at least 2 redistribution wires (22, 23, 39), each one connecting one of the 2 portions (33, 34) to one of the 2 bond pads (20, 37),

a second bond pad (37) connected via a second redistribution wire (39) to a second portion (34) of the solder pad (19') being dedicated to testing said integrated circuit die (10')
- a grounded printed circuit board track (24), a solder ball (35) being placed between the solder pad (19') and the printed circuit board track (24).

摘要翻译： 本发明涉及一种电子系统，包括： - 集成电路管芯（10'），其具有：·至少2个接合焊盘（20,37）·重新分布层，所述重新分布层具有： - 至少一个焊盘（19' ）包括布置成通过放置在所述焊盘（19'）上的相同焊球实现彼此之间的电连接的两个部分（33,34），但是在焊盘上没有焊球的情况下彼此电隔离 （19）; - 至少两个再分配线（22,23,39），每个再分配线将两个部分（33,34）中的一个连接到2个键合焊盘（20,37）中的一个，第二键合焊盘（37 ）经由第二再分布线（39）连接到专用于测试所述集成电路管芯（10'）的焊盘（19'）的第二部分（34） - 接地印刷电路板轨道（24），焊料 球（35）放置在焊料垫（19'）和印刷电路板轨道（24）之间。

公开(公告)号：EP3032581A1

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：EP14004182.3

申请日：2014-12-11

申请人： Dr. Johannes Heidenhain GmbH ,  Hochschule Rosenheim

发明人： Seliger, Norbert ,  Stubenrauch, Franz

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/373 ,  H02M7/00

CPC分类号： H01L25/071 ,  H01L23/367 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/014

摘要： Eine Schaltzellenanordnung (1) umfasst zumindest eine Schaltzelle (2, 2 1 , 2 2 , 2 3 ), wobei diese einen Schaltungsträger (8) und zumindest zwei Halbleiterschaltelemente (3 1 , 3 2 ) aufweist, wobei ein erstes Halbleiterschaltelement (3 1 ) auf einer ersten Seite des Schaltungsträgers (8) angeordnet und mit diesem elektrisch leitend verbunden ist und wobei ein zweites Halbleiterschaltelement (3 2 ) auf einer zweiten, der ersten Seite gegenüberliegenden Seite des Schaltungsträgers (8) angeordnet und mit diesem elektrisch leitend verbunden ist. Ein erster Anschlussbereich (5 1 ) des ersten Halbleiterschaltelements (3 1 ) ist über eine erste elektrische Leitung (6 1 ) in einem ersten Teil (7 1 ) des Schaltungsträgers (8) mit einem ersten Anschluss (4 1 ) einer Gleichspannungsversorgung (4) verbunden. Ein zweiter Anschlussbereich (5 2 ) des zweiten Halbleiterschaltelements (3 2 ) ist über eine zweite elektrische Leitung (6 2 ) in dem ersten Teil (7 1 ) des Schaltungsträgers (8) mit einem zweiten Anschluss (4 2 ) der Gleichspannungsversorgung (4) verbunden. Außerdem sind ein zweiter Anschlussbereich (5 2 ) des ersten Halbleiterschaltelements (3 1 ) und ein erster Anschlussbereich (5 1 ) des zweiten Halbleiterschaltelements (3 2 ) miteinander und mit einem elektrisch leitfähigen zweiten Teil (7 2 ) des Schaltungsträgers (8) verbunden.

摘要翻译： 一种开关单元阵列（1）包括至少一个开关单元（2，2 1，2 2，2 3），该电路载体（8）和至少两个半导体开关元件（3 1，3 2），其中，第一半导体开关元件（3 1） 设置在电路载体（8）的第一侧和在导电，并且其中被连接到其上的第二半导体开关元件（3 2）上的第二侧上的电路载体的第一侧面（8）相对，并且与该导电连接。 第一半导体开关元件的第一端部（5 1）（3 1）经由第一电线路（6 1）在电路载体的第一部分（7 1）（8）连接，其具有第一端口（4 1）的直流电源（4） 连接。 该第二半导体开关元件的第二端子部（5 2）（3 2）经由在电路载体的第一部分（7 1）的第二电线路（6 2）（8）连接到所述直流电源的一个第二连接件（4 2）（4） 连接。 此外，第一半导体开关元件（3 1）和第二半导体开关元件（3 2）的第一端子部（5 1）的第二连接区域（5 2）连接在一起，在电路载体的导电的第二部分（7 2）（8）。