公开(公告)号：JP5889439B2

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：JP2014553914

申请日：2012-12-25

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 西本 陽一郎

IPC: B41M1/30 ,  B41F9/06 ,  H05K3/12 ,  B41M1/10

CPC classification number: B41F3/36 ,  B41F9/00 ,  B41M1/10 ,  H01L31/022425 ,  H05K3/207 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0338 ,  H05K3/1275 ,  Y02E10/50

公开(公告)号：JP5878127B2

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：JP2012541486

申请日：2010-12-01

Applicant: エプコス アーゲー ,  EPCOS AG

Inventor： チャールズ ビニンガー ,  ウルリッチ クナウアー ,  ヘルムート ゾットル ,  ワーナー ルイーレ ,  トーマス ジェウラ ,  ルドルフ ヌッスル

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/145 ,  H05K1/16 ,  H05K1/09

CPC classification number: H01L41/0477 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49866 ,  H01L41/0472 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29 ,  H03H9/02929 ,  H03H9/14538 ,  H05K1/09 ,  H05K3/388 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0265 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0338 ,  H05K3/048

公开(公告)号：JP2015130501A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：JP2014258665

申请日：2014-12-22

Applicant: エルジー イノテック カンパニー リミテッド

Inventor： ユン ソン イン ,  キム チョン ハン ,  パク チュン オク ,  イム ヒョン グ

IPC: H05K1/02 ,  H01L33/64 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L33/62

CPC classification number: H05K1/0201 ,  H01L33/62 ,  H05K1/05 ,  H05K1/09 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H05K1/053 ,  H05K1/056 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/10106 ,  H05K3/243

Abstract: 【課題】放熱性に優れた印刷回路基板及びこれを含む発光装置を提供する。 【解決手段】発光素子用印刷回路基板は、第1金属層111と、前記第1金属層の一面に形成される第2金属層112と前記第1金属層の他面に形成される第3金属層113とを含む基板と、前記第2金属層上に形成される絶縁層120と、前記絶縁層上に形成される回路パターン130と、を含み、前記絶縁層には、発光素子パッケージを収容するためのキャビティー160が形成され、前記第1金属層の熱伝導度は、前記第2金属層及び前記第3金属層の熱伝導度より高い。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种实现优异的散热性能的印刷电路板，并提供包括印刷电路板的发光装置。解决方案：一种用于发光元件的印刷电路板，包括：基板，包括第一金属 层111，形成在第一金属层的一个表面上的第二金属层112和形成在第一金属层的另一个表面上的第三金属层113; 形成在第二金属层上的绝缘层120; 以及形成在绝缘层上的电路图案130。 用于存储发光元件封装的空腔160形成在绝缘层上。 第一金属层的导热率高于第二金属层和第三金属层的导热率。

公开(公告)号：JP5732627B2

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：JP2013245191

申请日：2013-11-27

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 古澤 彰男 ,  日根 清裕 ,  森 将人 ,  中村 太一

IPC: C22C13/00 ,  H05K3/34 ,  B23K35/26

CPC classification number: B23K35/262 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/26 ,  B23K35/40 ,  C22C13/00 ,  H05K1/18 ,  H05K3/3463 ,  H05K1/111 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/10909 ,  H05K3/244

公开(公告)号：JPWO2013031913A1

公开(公告)日：2015-03-23

申请号：JP2013506971

申请日：2012-08-30

Applicant: Jx日鉱日石金属株式会社 ,  Jx日鉱日石金属株式会社

Inventor： 友太 永浦 ,  友太 永浦 ,  和彦 坂口 ,  和彦 坂口

IPC: C25D7/06 ,  C23C28/00

CPC classification number: H05K1/09 ,  B32B15/01 ,  C23C18/165 ,  C23C18/31 ,  C23C28/023 ,  C25D1/04 ,  C25D3/04 ,  C25D3/12 ,  C25D3/14 ,  C25D3/16 ,  C25D3/38 ,  C25D3/562 ,  C25D3/565 ,  C25D3/58 ,  C25D5/14 ,  C25D7/0614 ,  C25D9/08 ,  C25D11/38 ,  H05K3/025 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2201/032 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0307 ,  Y10T428/12438 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12514 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/12667 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12931 ,  Y10T428/12944 ,  Y10T428/12958 ,  Y10T428/24917

Abstract: 絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離しない一方で、絶縁基板への積層工程後には剥離可能なキャリア付銅箔を提供する。銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された中間層と、中間層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、中間層は銅箔キャリアとの界面に接しているNi層と極薄銅層との界面に接しているCr層で構成され、Ni層には1000〜40000μg/dm2のNiが存在し、Cr層には10〜100μg/dm2のCrが存在するキャリア付銅箔。

Abstract translation: 而从没有载体的超薄铜箔层被剥离，绝缘基板层叠，以提供一个铜箔剥离载体的步骤之后在绝缘基板贴合的工序之前。 铜箔载体之间的界面，中间层层叠在铜箔载体，具有载体的铜箔，其包括在中间层上的层叠极薄铜层，中间层和铜箔载体上 与Ni层和接触的极薄铜层接触，以由Cr层接口，Ni层中存在1000〜40000μg/ dm 2的镍，Cr层10-100微克/平方分米的Cr 2的 存在带有载体的铜箔。

公开(公告)号：JP2015050343A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：JP2013181381

申请日：2013-09-02

Applicant: 新光電気工業株式会社 ,  Shinko Electric Ind Co Ltd

Inventor： SHIMIZU NORIYOSHI ,  KANEDA WATARU ,  ARISAKA HIROSHI ,  MUTSUKAWA AKIO

IPC: H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H05K1/11 ,  H05K3/42

CPC classification number: H05K3/421 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/115 ,  H05K1/116 ,  H05K3/38 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/0352 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/0979 ,  H05K2201/09827 ,  H05K2201/09854 ,  H05K2201/2072 ,  H05K2203/0789 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】配線層の微細化に容易に対応することができる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板10は、配線層62を被覆する絶縁層53と、絶縁層53の上面53Aに開口し、配線層62の上面62Aを露出する貫通孔VH6と、貫通孔VH6内に設けられ、絶縁層53の上面53Aに露出する上端面66Aを有するビア64とを有する。また、配線基板10は、貫通孔VH6内に設けられ、絶縁層53とビア64との間に設けられた間隙S1と、絶縁層53の上面53Aとビア64の上端面66A上に積層され、間隙S1を充填するとともに、貫通孔VH6よりも平面形状の大きいパッド71Pを有する配線層71とを有する。絶縁層53の上面53Aは、貫通孔VH6の内側面よりも表面粗度が低い。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以容易地响应于布线层的微细加工的布线板。解决方案：布线板10包括：覆盖布线层62的绝缘层53; 通孔VH6，其在绝缘层53的顶面53A上开口，露出布线层62的顶面62A; 以及通孔64，其设置在通孔VH6中，并且具有暴露在绝缘层53的顶面53A上的上端面66A。布线板10还包括：设置在通孔VH6中的空间S1和 设置在绝缘层53和通孔64之间; 以及层叠在绝缘层53的顶面53A和通孔64的上端面66A上的布线层71，填充空间S1，并具有平面形状比通孔 孔VH6。 绝缘层53的顶面53A的表面粗糙度比通孔VH6的内表面的表面粗糙度低。

公开(公告)号：JP5676443B2

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：JP2011519752

申请日：2010-06-11

Applicant: Jx日鉱日石金属株式会社 ,  Jx日鉱日石金属株式会社

Inventor： 敬亮 山西 ,  敬亮 山西 ,  賢吾 神永 ,  賢吾 神永 ,  亮 福地 ,  亮 福地

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/06 ,  H05K3/38

CPC classification number: H05K3/06 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/098

公开(公告)号：JP2015019107A

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：JP2014203471

申请日：2014-10-01

Applicant: Jx日鉱日石金属株式会社 ,  Jx Nippon Mining & Metals Corp ,  Jx日鉱日石金属株式会社

Inventor： YAMANISHI TAKAAKI ,  KAMINAGA KENGO ,  FUKUCHI RYO

IPC: H05K1/09 ,  C23C28/00 ,  H05K3/06

CPC classification number: H05K1/09 ,  B32B15/018 ,  C23C26/00 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  C23C28/025 ,  C23C30/00 ,  C23F1/18 ,  H05K3/0073 ,  H05K3/06 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T428/12438

Abstract: 【課題】銅張り積層板の銅箔をエッチングにより回路形成を行うに際し、エッチングによるダレを防止し、目的とする回路幅の均一な回路を形成でき、エッチングによる回路形成の時間をなるべく短縮すると共に、パターンエッチングでのエッチング性の向上、ショートや回路幅の不良の発生を防止できることを課題とする。【解決手段】エッチングにより回路形成を行う電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔において、該圧延銅箔又は電解銅箔のエッチング面側に形成された銅よりもエッチングレートの低い白金族、金、銀のいずれか1種以上からなる金属の層又はこれらを主成分とする合金の層を備えていることを特徴とする電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：通过蚀刻覆铜层压板的铜箔来形成电路的实现如下：防止由蚀刻引起的下垂; 形成具有预期电路宽度的均匀电路; 减少通过蚀刻形成电路所需的时间; 图案蚀刻中蚀刻性能的改善; 并防止电路宽度的短路和缺陷的发生。解决方案：用于通过蚀刻形成电路的用于电子电路的轧制铜箔或电解铜箔包括：一层或多种金属在 具有比在铜箔或电解铜箔的蚀刻表面侧形成的铜蚀刻率低的铂族金，银; 或包含一种或多种类型的金属作为主要成分的合金层。

公开(公告)号：JP2014135465A

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：JP2013067196

申请日：2013-03-27

Applicant: Tokyo Electron Ltd ,  東京エレクトロン株式会社

Inventor： ISHIZAKA TADAHIRO ,  SUZUKI KENJI ,  SHIMADA ATSUSHI

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/34 ,  C23C16/16 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H05K3/107 ,  C23C14/358 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0338 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a Cu wiring formation method which can achieve low resistance of Cu wiring while ensuring adequate embeddability.SOLUTION: A Cu wiring formation method of forming Cu wiring 208 which fills a trench 203 on a wafer W having an interlayer insulation film 202 which is an Si-containing film on which the trench 203 of a predetermined pattern is formed on a surface comprises: a process of forming at least on a surface of the trench 203, an Mn film 204 which serves as a self-aligned barrier film by reaction with a base by CVD; a process of forming a Cu film 207 by PVD and embedding the Cu film in the trench 203; and a process of polishing an entire surface by CMP to form Cu wiring 208 in the trench 203.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在确保足够的可嵌入性的同时实现Cu布线的低电阻的Cu布线形成方法。解决方案：形成Cu布线208的Cu布线形成方法，其在具有层间绝缘的晶片W上填充沟槽203 作为其上形成有预定图案的沟槽203的含Si膜的膜202包括：形成至少在沟槽203的表面上的工艺，用作自对准的Mn膜204 通过CVD与碱反应形成阻挡膜; 通过PVD形成Cu膜207并将Cu膜包埋在沟槽203中的工艺; 以及通过CMP抛光整个表面以在沟槽203中形成Cu布线208的工艺。

公开(公告)号：JP2014132565A

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：JP2013248097

申请日：2013-11-29

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： USAMI YOSHIHISA ,  OTA HIROSHI

IPC: H01B13/00 ,  H05K3/10

CPC classification number: H05K1/092 ,  H05K1/0346 ,  H05K3/0091 ,  H05K3/105 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1157 ,  Y10T428/24909

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a conductive film, capable of achieving an efficient progress of reduction of a metal oxide into a metal and yielding a conductive film which exhibits excellent adhesion to a substrate, and to provide a printed wiring board.SOLUTION: The method for manufacturing a conductive film includes: a step of applying a dispersion liquid containing metal oxide particles on a substrate 10 to form a precursor film 12 containing the particles; and a step of irradiating the precursor film with a continuous oscillation laser beam 16 while relatively scanning the film, so as to reduce the metal oxide in an irradiated area by the continuous oscillation laser beam to form a metal-containing conductive film 18. The scanning speed is 1.0 m/s or more; the laser power of the continuous oscillation laser beam is 6.0 W or more; and the irradiation time per one point on the precursor film surface is 1.0 μs or more.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够实现将金属氧化物还原成金属并产生对衬底具有优异粘附性的导电膜的有效进展的导电膜的制造方法，并且提供印刷线路板 解决方案：导电膜的制造方法包括：在基板10上涂布含有金属氧化物粒子的分散液，形成含有该粒子的前体膜12的工序; 以及在相对扫描膜的同时用连续振荡激光束16照射前体膜的步骤，以通过连续振荡激光束在照射区域中还原金属氧化物，以形成含金属的导电膜18.扫描 速度为1.0m / s以上; 连续振荡激光束的激光功率为6.0W以上; 并且前体膜表面上每一点的照射时间为1.0μs以上。